Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
ES1JLW
  • В избранное
  • В сравнение
ES1JLW

ES1JLW

ES1JLW
;
ES1JLW

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    ES1JLW
  • Описание:
    Диод: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123WВсе характеристики

Минимальная цена ES1JLW при покупке от 1 шт 80.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ES1JLW с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ES1JLW

DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W — это диод общего назначения с характеристиками:

  • Номинальное напряжение: 600 В
  • Номинальный ток: 1 А
  • Форм-фактор: SOD123W

Плюсы:

  • Высокая надежность
  • Устойчивость к перенапряжению
  • Малый размер и легкость интеграции в различные устройства

Минусы:

  • Высокие потери при работе в диодном режиме
  • Низкий ток при высоких температурах

Общее назначение: Диод используется для защиты электронных схем от обратного тока и для ограничения напряжения.

В каких устройствах применяется:

  • Системы управления мощностью
  • Программируемые логические контроллеры (PLC)
  • Автомобильные системы
  • Инверторы и преобразователи напряжения
  • Трансформаторные блоки питания
Выбрано: Показать

Характеристики ES1JLW

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 1 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    35 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 600 V
  • Емкость @ Vr, F
    20pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-123W
  • Исполнение корпуса
    SOD-123W
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    ES1J

Техническая документация

 ES1JLW.pdf
pdf. 0 kb
  • 107326 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    80 ₽
  • 100
    33 ₽
  • 1000
    21.3 ₽
  • 5000
    17.2 ₽
  • 20000
    13.7 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    ES1JLW
  • Описание:
    Диод: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123WВсе характеристики

Минимальная цена ES1JLW при покупке от 1 шт 80.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ES1JLW с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ES1JLW

DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W — это диод общего назначения с характеристиками:

  • Номинальное напряжение: 600 В
  • Номинальный ток: 1 А
  • Форм-фактор: SOD123W

Плюсы:

  • Высокая надежность
  • Устойчивость к перенапряжению
  • Малый размер и легкость интеграции в различные устройства

Минусы:

  • Высокие потери при работе в диодном режиме
  • Низкий ток при высоких температурах

Общее назначение: Диод используется для защиты электронных схем от обратного тока и для ограничения напряжения.

В каких устройствах применяется:

  • Системы управления мощностью
  • Программируемые логические контроллеры (PLC)
  • Автомобильные системы
  • Инверторы и преобразователи напряжения
  • Трансформаторные блоки питания
Выбрано: Показать

Характеристики ES1JLW

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 1 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    35 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 600 V
  • Емкость @ Vr, F
    20pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-123W
  • Исполнение корпуса
    SOD-123W
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    ES1J

Техническая документация

 ES1JLW.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RB162LAM-40TFTRAUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    120Кешбэк 18 баллов
    RBR1VWM60ATRLOW VF, 60V, 1A, SCHOTTKY BARRIE
    120Кешбэк 18 баллов
    RBR1VWM30ATRLOW VF, 30V, 1A, SCHOTTKY BARRIE
    120Кешбэк 18 баллов
    RSX501LAM20TRДиод: DIODE SCHOTTKY 20V 5A PMDTM
    122Кешбэк 18 баллов
    RR2LAM4STFTRDIODE GEN PURP 400V 2A PMDTM
    122Кешбэк 18 баллов
    RB068VWM100TFTR100V, 2A, SINGLE, PMDE, ULTRA LO
    122Кешбэк 18 баллов
    RRU1LAM4STFTRRECTIFYING DIODE (AEC-Q101 QUALI
    122Кешбэк 18 баллов
    RBR10T30ANZC9RBR10T30ANZ IS LOW VF
    122Кешбэк 18 баллов
    RB088LAM-30TFTRAUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    122Кешбэк 18 баллов
    RBR2LAM30ATRDIODE SCHOTTKY 30V 2A PMDTM
    123Кешбэк 18 баллов
    RBR2LAM60ATRDIODE SCHOTTKY 60V 2A PMDTM
    123Кешбэк 18 баллов
    RR2LAM6STFTRDIODE GEN PURP 600V 2A PMDTM
    123Кешбэк 18 баллов
    RBR3LAM40CTRДиод: RBR3LAM40C IS LOW VF
    123Кешбэк 18 баллов
    RBR1L60ADDTE25LOW VF TYPE AUTOMOTIVE SCHOTTKY
    123Кешбэк 18 баллов
    RB058LAM150TFTRAUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    123Кешбэк 18 баллов
    RB160LAM-90TFTRAUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    123Кешбэк 18 баллов
    RB068LAM-30TRDIODE SCHOTTKY 30V 2A PMDTM
    123Кешбэк 18 баллов
    RBR3LAM40BTRDIODE SCHOTTKY 40V 3A PMDTM
    123Кешбэк 18 баллов
    RBR3L60BDDTE25Диод: LOW VF TYPE AUTOMOTIVE SCHOTTKY
    123Кешбэк 18 баллов
    RBR3L40CDDTE25LOW VF TYPE AUTOMOTIVE SCHOTTKY
    123Кешбэк 18 баллов
    RBR5LAM30ATRДиод: DIODE SCHOTTKY 30V 5A PMDTM
    123Кешбэк 18 баллов
    RB058LAM-60TFTRДиод: AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    125Кешбэк 18 баллов
    RBR1VWM40ATFTRLOW VF, 40V, 1A, SCHOTTKY BARRIE
    125Кешбэк 18 баллов
    RR1LAM6STFTRRECTIFYING DIODE (AEC-Q101 QUALI
    125Кешбэк 18 баллов
    RBR2VWM30ATRLOW VF, 30V, 2A, SCHOTTKY BARRIE
    125Кешбэк 18 баллов
    RB068LAM-40TRDIODE SCHOTTKY 40V 2A PMDTM
    125Кешбэк 18 баллов
    RBR1L30ADDTE25LOW VF TYPE AUTOMOTIVE SCHOTTKY
    125Кешбэк 18 баллов
    RB450UMTLRB450UM IS SCHOTTKY BARRIER DIOD
    125Кешбэк 18 баллов
    RBR2VWM60ATRLOW VF, 60V, 2A, SCHOTTKY BARRIE
    125Кешбэк 18 баллов
    RBR2VWM40ATFTRLOW VF, 40V, 2A, SCHOTTKY BARRIE
    127Кешбэк 19 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы специального назначения
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Модули триодных тиристоров
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Симисторы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - JFET
    Одиночные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторные модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Симисторы - Модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП