Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
ESH1B
  • В избранное
  • В сравнение
ESH1B

ESH1B

ESH1B
;
ESH1B

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    ESH1B
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 100V 1A DO214ACВсе характеристики

Минимальная цена ESH1B при покупке от 1 шт 78.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ESH1B с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ESH1B

ESH1B Taiwan Semiconductor Corporation DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VBR) - 100В
    • Номинальная токовая характеристика (ICK) - 1А
    • Форма пакета - DO214AC
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря использованию тайваньской технологии производства
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Компактный размер пакета DO214AC
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с аналогами
    • Ограниченная мощность для высокоточных приложений
  • Общее назначение:
    • Защита электронных устройств от обратного напряжения
    • Распределение нагрузки в цепях
    • Изоляция различных частей электрической цепи
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильных системах
    • Питание цифровых устройств
    • Распределительные системы
    • Мобильных устройств
    • Электроприборах
Выбрано: Показать

Характеристики ESH1B

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    100 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    900 mV @ 1 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    15 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    1 µA @ 100 V
  • Емкость @ Vr, F
    16pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-214AC, SMA
  • Исполнение корпуса
    DO-214AC (SMA)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    ESH1

Техническая документация

 ESH1B.pdf
pdf. 0 kb
  • 14980 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    78 ₽
  • 100
    30 ₽
  • 1000
    20 ₽
  • 7500
    14.7 ₽
  • 22500
    12.8 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    ESH1B
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 100V 1A DO214ACВсе характеристики

Минимальная цена ESH1B при покупке от 1 шт 78.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ESH1B с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ESH1B

ESH1B Taiwan Semiconductor Corporation DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VBR) - 100В
    • Номинальная токовая характеристика (ICK) - 1А
    • Форма пакета - DO214AC
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря использованию тайваньской технологии производства
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Компактный размер пакета DO214AC
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с аналогами
    • Ограниченная мощность для высокоточных приложений
  • Общее назначение:
    • Защита электронных устройств от обратного напряжения
    • Распределение нагрузки в цепях
    • Изоляция различных частей электрической цепи
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильных системах
    • Питание цифровых устройств
    • Распределительные системы
    • Мобильных устройств
    • Электроприборах
Выбрано: Показать

Характеристики ESH1B

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    100 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    900 mV @ 1 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    15 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    1 µA @ 100 V
  • Емкость @ Vr, F
    16pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-214AC, SMA
  • Исполнение корпуса
    DO-214AC (SMA)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    ESH1

Техническая документация

 ESH1B.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RB162LAM-40TFTRAUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    120Кешбэк 18 баллов
    RBR1VWM60ATRLOW VF, 60V, 1A, SCHOTTKY BARRIE
    120Кешбэк 18 баллов
    RBR1VWM30ATRLOW VF, 30V, 1A, SCHOTTKY BARRIE
    120Кешбэк 18 баллов
    RSX501LAM20TRДиод: DIODE SCHOTTKY 20V 5A PMDTM
    122Кешбэк 18 баллов
    RR2LAM4STFTRDIODE GEN PURP 400V 2A PMDTM
    122Кешбэк 18 баллов
    RB068VWM100TFTR100V, 2A, SINGLE, PMDE, ULTRA LO
    122Кешбэк 18 баллов
    RRU1LAM4STFTRRECTIFYING DIODE (AEC-Q101 QUALI
    122Кешбэк 18 баллов
    RBR10T30ANZC9RBR10T30ANZ IS LOW VF
    122Кешбэк 18 баллов
    RB088LAM-30TFTRAUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    122Кешбэк 18 баллов
    RBR2LAM30ATRDIODE SCHOTTKY 30V 2A PMDTM
    123Кешбэк 18 баллов
    RBR2LAM60ATRDIODE SCHOTTKY 60V 2A PMDTM
    123Кешбэк 18 баллов
    RR2LAM6STFTRDIODE GEN PURP 600V 2A PMDTM
    123Кешбэк 18 баллов
    RBR3LAM40CTRДиод: RBR3LAM40C IS LOW VF
    123Кешбэк 18 баллов
    RBR1L60ADDTE25LOW VF TYPE AUTOMOTIVE SCHOTTKY
    123Кешбэк 18 баллов
    RB058LAM150TFTRAUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    123Кешбэк 18 баллов
    RB160LAM-90TFTRAUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    123Кешбэк 18 баллов
    RB068LAM-30TRDIODE SCHOTTKY 30V 2A PMDTM
    123Кешбэк 18 баллов
    RBR3LAM40BTRDIODE SCHOTTKY 40V 3A PMDTM
    123Кешбэк 18 баллов
    RBR3L60BDDTE25Диод: LOW VF TYPE AUTOMOTIVE SCHOTTKY
    123Кешбэк 18 баллов
    RBR3L40CDDTE25LOW VF TYPE AUTOMOTIVE SCHOTTKY
    123Кешбэк 18 баллов
    RBR5LAM30ATRДиод: DIODE SCHOTTKY 30V 5A PMDTM
    123Кешбэк 18 баллов
    RB058LAM-60TFTRДиод: AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    125Кешбэк 18 баллов
    RBR1VWM40ATFTRLOW VF, 40V, 1A, SCHOTTKY BARRIE
    125Кешбэк 18 баллов
    RR1LAM6STFTRRECTIFYING DIODE (AEC-Q101 QUALI
    125Кешбэк 18 баллов
    RBR2VWM30ATRLOW VF, 30V, 2A, SCHOTTKY BARRIE
    125Кешбэк 18 баллов
    RB068LAM-40TRDIODE SCHOTTKY 40V 2A PMDTM
    125Кешбэк 18 баллов
    RBR1L30ADDTE25LOW VF TYPE AUTOMOTIVE SCHOTTKY
    125Кешбэк 18 баллов
    RB450UMTLRB450UM IS SCHOTTKY BARRIER DIOD
    125Кешбэк 18 баллов
    RBR2VWM60ATRLOW VF, 60V, 2A, SCHOTTKY BARRIE
    125Кешбэк 18 баллов
    RBR2VWM40ATFTRLOW VF, 40V, 2A, SCHOTTKY BARRIE
    127Кешбэк 19 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды силовые
    Диоды - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы специального назначения
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Сборки биполярных транзисторов
    Полевые транзисторы - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторные модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    IGBT транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП