Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FCP11N60
  • В избранное
  • В сравнение
FCP11N60

FCP11N60

FCP11N60
;
FCP11N60

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    FCP11N60
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена FCP11N60 при покупке от 1 шт 722.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FCP11N60 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FCP11N60

FCP11N60 ON SEMICONDUCTOR MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)) - 600В
    • Номинальный ток (ID) - 11А
    • Количество контактов - 3
    • Оболочка - TO220-3
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малый ток утечки
    • Устойчивость к перегреву
    • Низкое значение динамического сопротивления
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение для высоких мощностей
    • Возможны проблемы с шумами при использовании на высоких частотах
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Регулировка напряжения
    • Переключение высоковольтных нагрузок
    • Измерения и тестирование электронных устройств
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленные преобразователи
    • Приборы для бытовой электроники
    • Системы управления электропитанием
Выбрано: Показать

Характеристики FCP11N60

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    380mOhm @ 5.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    52 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1490 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    125W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    FCP11

Техническая документация

 FCP11N60.pdf
pdf. 0 kb
  • 21 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    722 ₽
  • 3
    639 ₽
  • 10
    516 ₽
  • 50
    381 ₽
  • 100
    368 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    FCP11N60
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена FCP11N60 при покупке от 1 шт 722.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FCP11N60 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FCP11N60

FCP11N60 ON SEMICONDUCTOR MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)) - 600В
    • Номинальный ток (ID) - 11А
    • Количество контактов - 3
    • Оболочка - TO220-3
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малый ток утечки
    • Устойчивость к перегреву
    • Низкое значение динамического сопротивления
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение для высоких мощностей
    • Возможны проблемы с шумами при использовании на высоких частотах
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Регулировка напряжения
    • Переключение высоковольтных нагрузок
    • Измерения и тестирование электронных устройств
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленные преобразователи
    • Приборы для бытовой электроники
    • Системы управления электропитанием
Выбрано: Показать

Характеристики FCP11N60

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    380mOhm @ 5.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    52 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1490 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    125W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    FCP11

Техническая документация

 FCP11N60.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    HUFA75842S3SMOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
    277Кешбэк 41 балл
    FQPF9N50CMOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
    279Кешбэк 41 балл
    FDP5690MOSFET N-CH 60V 32A TO220-3
    279Кешбэк 41 балл
    HUF75939P3MOSFET N-CH 200V 22A TO220-3
    287Кешбэк 43 балла
    FDMS8848NZMOSFET N-CH 40V 22.8A/49A 8PQFN
    287Кешбэк 43 балла
    FDD6682MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
    289Кешбэк 43 балла
    FDZ294NMOSFET N-CH 20V 6A 9BGA
    295Кешбэк 44 балла
    FQB9N50CFTMMOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
    295Кешбэк 44 балла
    FDPF12N50FTMOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F
    297Кешбэк 44 балла
    FQI4N80TUMOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
    297Кешбэк 44 балла
    FDS7064NMOSFET N-CH 30V 16A 8SO
    298Кешбэк 44 балла
    FDD6672AMOSFET N-CH 30V 65A TO252
    304Кешбэк 45 баллов
    FDS5692ZMOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOIC
    304Кешбэк 45 баллов
    FDD6688SMOSFET N-CH 30V 88A DPAK
    304Кешбэк 45 баллов
    FDFS2P102AMOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC
    306Кешбэк 45 баллов
    FDU2572MOSFET N-CH 150V 4A/29A IPAK
    306Кешбэк 45 баллов
    NDB4060LMOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
    306Кешбэк 45 баллов
    FDS4435AMOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
    306Кешбэк 45 баллов
    FDD6670ALMOSFET N-CH 30V 84A DPAK
    308Кешбэк 46 баллов
    FQA7N80CMOSFET N-CH 800V 7A TO3P
    308Кешбэк 46 баллов
    HUFA76633S3STMOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
    308Кешбэк 46 баллов
    2SK4085LS-1EMOSFET N-CH 500V 11A TO220F-3FS
    308Кешбэк 46 баллов
    FDP10AN06A0MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO220-3
    310Кешбэк 46 баллов
    FQP55N06MOSFET N-CH 60V 55A TO220-3
    310Кешбэк 46 баллов
    FQA7N80MOSFET N-CH 800V 7.2A TO3P
    310Кешбэк 46 баллов
    FQAF34N25MOSFET N-CH 250V 21.7A TO3PF
    314Кешбэк 47 баллов
    FQP12N60MOSFET N-CH 600V 10.5A TO220-3
    318Кешбэк 47 баллов
    HUF75339G3MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
    318Кешбэк 47 баллов
    FCP4N60MOSFET N-CH 600V 3.9A TO220-3
    318Кешбэк 47 баллов
    FDS6064N3MOSFET N-CH 20V 23A 8SO
    320Кешбэк 48 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные диоды
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Симисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторные модули
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - JFET
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Сборки
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Варикапы и Варакторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП