Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - модули
FD300R12KE3HOSA1
  • В избранное
  • В сравнение
FD300R12KE3HOSA1

FD300R12KE3HOSA1

FD300R12KE3HOSA1
;
FD300R12KE3HOSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    FD300R12KE3HOSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 1200V 480A 1470WВсе характеристики

Минимальная цена FD300R12KE3HOSA1 при покупке от 1 шт 23966.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FD300R12KE3HOSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FD300R12KE3HOSA1

FD300R12KE3HOSA1 INFINEON IGBT модуль

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блока: 1200В
    • Номинальный ток: 480А
    • Мощность: 1470Вт
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Малый размер и легкость
    • Эффективность работы
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуется дополнительное охлаждение
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения и тока в электропитании
    • Контроль тока в электрических системах
    • Применяется в промышленных и бытовых приборах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Системы управления двигателей
    • Промышленное оборудование
    • Беспроводные устройства
    • Солнечные панели и системы хранения энергии
Выбрано: Показать

Характеристики FD300R12KE3HOSA1

  • Конфигурация
    Single
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    480 A
  • Рассеивание мощности
    1470 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.15V @ 15V, 300A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    5 mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    21 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 125°C
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    Module
  • Base Product Number
    FD300R12

Техническая документация

 FD300R12KE3HOSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 8 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    23 966 ₽
  • 10
    20 803 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    FD300R12KE3HOSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 1200V 480A 1470WВсе характеристики

Минимальная цена FD300R12KE3HOSA1 при покупке от 1 шт 23966.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FD300R12KE3HOSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FD300R12KE3HOSA1

FD300R12KE3HOSA1 INFINEON IGBT модуль

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блока: 1200В
    • Номинальный ток: 480А
    • Мощность: 1470Вт
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Малый размер и легкость
    • Эффективность работы
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуется дополнительное охлаждение
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения и тока в электропитании
    • Контроль тока в электрических системах
    • Применяется в промышленных и бытовых приборах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Системы управления двигателей
    • Промышленное оборудование
    • Беспроводные устройства
    • Солнечные панели и системы хранения энергии
Выбрано: Показать

Характеристики FD300R12KE3HOSA1

  • Конфигурация
    Single
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    480 A
  • Рассеивание мощности
    1470 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.15V @ 15V, 300A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    5 mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    21 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 125°C
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    Module
  • Base Product Number
    FD300R12

Техническая документация

 FD300R12KE3HOSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FF650R17IE4BOSA1Транзистор: IGBT MODULE 1700V 4150W
    76 050Кешбэк 11 407 баллов
    FP35R12W2T4BOMA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 54A 215W
    9 245Кешбэк 1 386 баллов
    FP75R12KT3BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 105A 355W
    22 437Кешбэк 3 365 баллов
    F4200R17N3E4BPSA1Транзистор: IGBT MOD 1700V 200A 20MW
    22 125Кешбэк 3 318 баллов
    FD300R06KE3HOSA1Транзистор: IGBT MOD 600V 400A 940W
    30 870Кешбэк 4 630 баллов
    FS660R08A6P2FBBPSA1Транзистор: HYBRID PACK DRIVE
    53 190Кешбэк 7 978 баллов
    FF1400R12IP4PBOSA1Транзистор: IGBT MODULE 1200V 1400A
    109 828Кешбэк 16 474 балла
    FZ600R12KS4HOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 700A 3900W
    31 555Кешбэк 4 733 балла
    FS150R07N3E4BOSA1Транзистор: IGBT MOD 650V 150A 430W
    18 949Кешбэк 2 842 балла
    FS200R12PT4BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 280A 1000W
    30 009Кешбэк 4 501 балл
    FS20R06W1E3BOMA1Транзистор: IGBT MODULE 600V 35A 135W
    4 754Кешбэк 713 баллов
    F1225R12KT4GBOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 25A 160W
    18 366Кешбэк 2 754 балла
    FMG1G400US60LТранзистор: IGBT, 400A, 600V, N-CHANNEL
    21 891Кешбэк 3 283 балла
    F3L150R12W2H3B11BPSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 75A 500W
    11 309Кешбэк 1 696 баллов
    F3L150R07W2E3B11BOMA1Транзистор: IGBT MOD 650V 150A 335W
    12 732Кешбэк 1 909 баллов
    FF1000R17IE4BOSA1Транзистор: IGBT MODULE 1700V 6250W
    99 962Кешбэк 14 994 балла
    FP35R12W2T4PBPSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 70A 20MW
    13 129Кешбэк 1 969 баллов
    FS150R12KE3GBOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 200A 695W
    55 732Кешбэк 8 359 баллов
    F3L400R12PT4PB26BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 800A 20MW
    30 037Кешбэк 4 505 баллов
    F43L50R07W2H3FB11BPSA2Транзистор: IGBT MOD 650V 50A 20MW
    12 368Кешбэк 1 855 баллов
    FS3L200R10W3S7FB11BPSA1Транзистор: IGBT MODULE LOW POWER EASY
    22 760Кешбэк 3 414 баллов
    FD300R12KE3HOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 480A 1470W
    23 966Кешбэк 3 594 балла
    FS50R07W1E3B11ABOMA1Транзистор: IGBT MODULES
    8 187Кешбэк 1 228 баллов
    FS75R12W2T4BOMA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 107A 375W
    10 049Кешбэк 1 507 баллов
    FZ1200R12HE4HOSA2Транзистор: IGBT MODULE 1200V 1200A
    99 014Кешбэк 14 852 балла
    FF1500R12IE5BPSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 1500A 20MW
    111 723Кешбэк 16 758 баллов
    FF300R12ME7B11BPSA1Транзистор: MEDIUM POWER ECONO, AG-ECONOD-74
    19 118Кешбэк 2 867 баллов
    FZ1600R17HP4B2BOSA2Транзистор: IGBT MODULE 1700V 1600A
    179 620Кешбэк 26 943 балла
    FP35R12KT4BPSA1Транзистор: LOW POWER ECONO
    12 559Кешбэк 1 883 балла
    FS35R12KT3BPSA1Транзистор: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-311
    12 920Кешбэк 1 937 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Принадлежности
    Транзисторы - Специального назначения
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы - Модули
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП