FDB12N50TM

FDB12N50TM

FDB12N50TM

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
onsemi / Fairchild
Артикул:
FDB12N50TM
Описание:
Транзистор: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена FDB12N50TM при покупке от 1 шт 445.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDB12N50TM с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDB12N50TM

FDB12N50TM от ON Semiconductor — MOSFET N-канальный с напряжением разрыва 500В и током тока непрерывного тока 11.5А в корпусе D2PAK.

Основные параметры:
- Напряжение разрыва (V_DS(on)): 500В
- Ток непрерывного тока (I_D(on)): 11.5А
- Коэффициент передачи (R_DS(on)): 37мΩ при 25°C
- Корпус: D2PAK
Плюсы:
- Высокая проводимость (низкий R_DS(on))
- Устойчивость к перенапряжению
- Малый размер и вес из-за компактного корпуса D2PAK
- Низкое энергопотребление в состоянии ожидания
Минусы:
- Высокие потери тепла при больших токах
- Необходимо обеспечить надлежащую вентиляцию для удаления тепла
Общее назначение:
- Использование в источниках питания
- Применение в системах управления электропитанием
- Работа в промышленных устройствах
- Интеграция в системы управления двигателей
В каких устройствах применяется:
- Автомобильных системах питания
- Инверторах для кондиционеров и холодильников
- Системах управления электродвигателями
- Промышленных системах управления электроустановками

Техническая документация