Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FDB2532
  • В избранное
  • В сравнение
FDB2532

FDB2532

FDB2532
;
FDB2532

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    FDB2532
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена FDB2532 при покупке от 1 шт 795.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDB2532 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDB2532

FDB2532 ON SEMICONDUCTOR Транзистор: MOSFET N-ЧИСТВО 150В 8А/79А D2PAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 150В
    • Номинальный ток (ID(on)): 8А
    • Максимальный ток: 79А
    • Пакет: D2PAK
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении на входе
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Низкий коэффициент температурной зависимости
    • Малый размер и вес
  • Минусы:
    • Высокие потери при высоких нагрузочных токах
    • Необходимость дополнительного охлаждения при высоких токах
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Контроль тока в электронных схемах
    • Изменение состояния цепей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная техника
    • Электропоезда
    • Промышленное оборудование
    • Периферийное оборудование ПК
    • Игровые приставки и телевизоры
Выбрано: Показать

Характеристики FDB2532

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    150 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    8A (Ta), 79A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16mOhm @ 33A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    107 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5870 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    310W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D2PAK (TO-263)
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    FDB253

Техническая документация

 FDB2532.pdf
pdf. 0 kb
  • 511 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    795 ₽
  • 10
    643 ₽
  • 25
    547 ₽
  • 40
    497 ₽
  • 50
    489 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    FDB2532
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена FDB2532 при покупке от 1 шт 795.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDB2532 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDB2532

FDB2532 ON SEMICONDUCTOR Транзистор: MOSFET N-ЧИСТВО 150В 8А/79А D2PAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 150В
    • Номинальный ток (ID(on)): 8А
    • Максимальный ток: 79А
    • Пакет: D2PAK
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении на входе
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Низкий коэффициент температурной зависимости
    • Малый размер и вес
  • Минусы:
    • Высокие потери при высоких нагрузочных токах
    • Необходимость дополнительного охлаждения при высоких токах
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Контроль тока в электронных схемах
    • Изменение состояния цепей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная техника
    • Электропоезда
    • Промышленное оборудование
    • Периферийное оборудование ПК
    • Игровые приставки и телевизоры
Выбрано: Показать

Характеристики FDB2532

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    150 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    8A (Ta), 79A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16mOhm @ 33A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    107 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5870 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    310W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D2PAK (TO-263)
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    FDB253

Техническая документация

 FDB2532.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    HUFA75842S3SMOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
    277Кешбэк 41 балл
    FQPF9N50CMOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
    279Кешбэк 41 балл
    FDP5690MOSFET N-CH 60V 32A TO220-3
    279Кешбэк 41 балл
    HUF75939P3MOSFET N-CH 200V 22A TO220-3
    287Кешбэк 43 балла
    FDMS8848NZMOSFET N-CH 40V 22.8A/49A 8PQFN
    287Кешбэк 43 балла
    FDD6682MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
    289Кешбэк 43 балла
    FDZ294NMOSFET N-CH 20V 6A 9BGA
    295Кешбэк 44 балла
    FQB9N50CFTMMOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
    295Кешбэк 44 балла
    FDPF12N50FTMOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F
    297Кешбэк 44 балла
    FQI4N80TUMOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
    297Кешбэк 44 балла
    FDS7064NMOSFET N-CH 30V 16A 8SO
    298Кешбэк 44 балла
    FDD6672AMOSFET N-CH 30V 65A TO252
    304Кешбэк 45 баллов
    FDS5692ZMOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOIC
    304Кешбэк 45 баллов
    FDD6688SMOSFET N-CH 30V 88A DPAK
    304Кешбэк 45 баллов
    FDFS2P102AMOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC
    306Кешбэк 45 баллов
    FDU2572MOSFET N-CH 150V 4A/29A IPAK
    306Кешбэк 45 баллов
    NDB4060LMOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
    306Кешбэк 45 баллов
    FDS4435AMOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
    306Кешбэк 45 баллов
    FDD6670ALMOSFET N-CH 30V 84A DPAK
    308Кешбэк 46 баллов
    FQA7N80CMOSFET N-CH 800V 7A TO3P
    308Кешбэк 46 баллов
    HUFA76633S3STMOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
    308Кешбэк 46 баллов
    2SK4085LS-1EMOSFET N-CH 500V 11A TO220F-3FS
    308Кешбэк 46 баллов
    FDP10AN06A0MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO220-3
    310Кешбэк 46 баллов
    FQP55N06MOSFET N-CH 60V 55A TO220-3
    310Кешбэк 46 баллов
    FQA7N80MOSFET N-CH 800V 7.2A TO3P
    310Кешбэк 46 баллов
    FQAF34N25MOSFET N-CH 250V 21.7A TO3PF
    314Кешбэк 47 баллов
    FQP12N60MOSFET N-CH 600V 10.5A TO220-3
    318Кешбэк 47 баллов
    HUF75339G3MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
    318Кешбэк 47 баллов
    FCP4N60MOSFET N-CH 600V 3.9A TO220-3
    318Кешбэк 47 баллов
    FDS6064N3MOSFET N-CH 20V 23A 8SO
    320Кешбэк 48 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диодные мосты
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - ВЧ
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные триодные тиристоры
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Модули триодных тиристоров
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторные модули
    Транзисторы специального назначения
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы - Модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП