Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
FDBL0200N100
  • В избранное
  • В сравнение
FDBL0200N100

FDBL0200N100

FDBL0200N100
;
FDBL0200N100

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FDBL0200N100
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOFВсе характеристики

Минимальная цена FDBL0200N100 при покупке от 1 шт 1641.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDBL0200N100 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDBL0200N100

Маркировка FDBL0200N100, производитель ON Semiconductor:

  • MOSFET N-канальный
  • Рабочее напряжение (VDS(on)): 100В
  • Предел пропускания тока (ID(on)): 300А
  • Объемный ток (IDSS): 8А
  • Форм-фактор: 8-пиновый SOF (Soft-OFF)

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 100В
  • Ток пропускания: 300А
  • Температурный диапазон работы: от -55°C до +175°C

Плюсы:

  • Высокая надежность
  • Короткое время включения
  • Устойчивость к шуму
  • Низкий уровень шума при работе

Минусы:

  • Высокие потери при работе в режиме тяжелых нагрузок
  • Необходимо соблюдение правил охлаждения

Общее назначение:

  • Использование в электропитании и управлениях
  • Применение в системах преобразования энергии
  • Внедрение в источники питания

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы питания
  • Системы управления двигателей
  • Питание серверных систем
  • Промышленные преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики FDBL0200N100

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    300A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2mOhm @ 80A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    133 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    9760 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    429W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-HPSOF
  • Корпус
    8-PowerSFN
  • Base Product Number
    FDBL0200

Техническая документация

 FDBL0200N100.pdf
pdf. 0 kb
  • 3420 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 641 ₽
  • 10
    1 121 ₽
  • 100
    883 ₽
  • 2000
    721 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FDBL0200N100
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOFВсе характеристики

Минимальная цена FDBL0200N100 при покупке от 1 шт 1641.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDBL0200N100 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDBL0200N100

Маркировка FDBL0200N100, производитель ON Semiconductor:

  • MOSFET N-канальный
  • Рабочее напряжение (VDS(on)): 100В
  • Предел пропускания тока (ID(on)): 300А
  • Объемный ток (IDSS): 8А
  • Форм-фактор: 8-пиновый SOF (Soft-OFF)

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 100В
  • Ток пропускания: 300А
  • Температурный диапазон работы: от -55°C до +175°C

Плюсы:

  • Высокая надежность
  • Короткое время включения
  • Устойчивость к шуму
  • Низкий уровень шума при работе

Минусы:

  • Высокие потери при работе в режиме тяжелых нагрузок
  • Необходимо соблюдение правил охлаждения

Общее назначение:

  • Использование в электропитании и управлениях
  • Применение в системах преобразования энергии
  • Внедрение в источники питания

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы питания
  • Системы управления двигателей
  • Питание серверных систем
  • Промышленные преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики FDBL0200N100

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    300A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2mOhm @ 80A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    133 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    9760 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    429W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-HPSOF
  • Корпус
    8-PowerSFN
  • Base Product Number
    FDBL0200

Техническая документация

 FDBL0200N100.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SQJ454EP-T1_BE3N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE
    351Кешбэк 52 балла
    IRFB11N50APBF-BE3MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
    351Кешбэк 52 балла
    IRFR014TRLPBF-BE3MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
    355Кешбэк 53 балла
    IRFR014PBF-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
    355Кешбэк 53 балла
    SQJ444EP-T1_BE3N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
    355Кешбэк 53 балла
    SQD40131EL_GE3Транзистор: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
    355Кешбэк 53 балла
    SQJA76EP-T1_BE3N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
    355Кешбэк 53 балла
    SQJ488EP-T2_GE3N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
    355Кешбэк 53 балла
    SQJ411EP-T1_GE3MOSFET P-CH 12V 60A PPAK SO-8
    355Кешбэк 53 балла
    SQJ459EP-T1_BE3P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
    355Кешбэк 53 балла
    SQJA80EP-T1_BE3N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
    355Кешбэк 53 балла
    SIHF9630STRL-GE3MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
    355Кешбэк 53 балла
    SIR882BDP-T1-RE3MOSFET N-CH 100V 16.5/67.5A PPAK
    357Кешбэк 53 балла
    SIRA01DP-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8
    357Кешбэк 53 балла
    IRFR9014PBF-BE3P-CHANNEL 60V
    361Кешбэк 54 балла
    SIHP6N80AE-GE3MOSFET N-CH 800V 5A TO220AB
    361Кешбэк 54 балла
    SQJ858AEP-T1_BE3MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
    365Кешбэк 54 балла
    SIHF9630S-GE3MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
    365Кешбэк 54 балла
    SIJ450DP-T1-GE3N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE
    367Кешбэк 55 баллов
    IRL520PBF-BE3MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
    367Кешбэк 55 баллов
    SIR626DP-T1-RE3MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8
    369Кешбэк 55 баллов
    IRF840BPBF-BE3MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
    369Кешбэк 55 баллов
    IRF840PBF-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
    369Кешбэк 55 баллов
    SQJA72EP-T1_BE3N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
    370Кешбэк 55 баллов
    SIR800ADP-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK
    370Кешбэк 55 баллов
    SQJ433EP-T1_GE3MOSFET P-CH 30V 75A PPAK SO-8
    370Кешбэк 55 баллов
    SQJ443EP-T1_GE3MOSFET P-CH 40V 40A PPAK SO-8
    370Кешбэк 55 баллов
    SQJ433EP-T1_BE3P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
    371Кешбэк 55 баллов
    SIHP15N80AE-GE3MOSFET N-CH 800V 13A TO220AB
    372Кешбэк 55 баллов
    SIJ438DP-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8
    374Кешбэк 56 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Модули триодных тиристоров
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Сборки биполярных транзисторов
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторные модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - JFET
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы специального назначения
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП