Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FDC602P
  • В избранное
  • В сравнение
FDC602P

FDC602P

FDC602P
;
FDC602P

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FDC602P
  • Описание:
    MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6Все характеристики

Минимальная цена FDC602P при покупке от 1 шт 155.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDC602P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDC602P

FDC602P ON SEMICONDUCTOR MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6 — это полевое транзисторное устройство (MOSFET) с положительным зарядом гейта. Основные характеристики:

  • Номинальный напряжение блокировки VGS(th): 20В
  • Номинальный ток проводимости ID(on): 5.5А
  • Форм-фактор: SUPERSOT6

Плюсы:

  • Высокая скорость переключения
  • Низкое значение тока утечки
  • Малый размер и легкий вес
  • Устойчивость к электрическим шумам

Минусы:

  • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Необходимо соблюдение правил подключения и защиты от обратного напряжения

Общее назначение:

  • Управление токами в различных электронных устройствах
  • Регулирование напряжений
  • Переключение токов

Применяется в:

  • Автомобильных системах
  • Инверторах
  • Системах управления двигателем
  • Питательных цепях
  • Различных электротехнических устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики FDC602P

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    35mOhm @ 5.5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1456 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.6W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SuperSOT™-6
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Base Product Number
    FDC602

Техническая документация

 FDC602P.pdf
pdf. 0 kb
  • 6378 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    155 ₽
  • 100
    74 ₽
  • 1000
    52 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FDC602P
  • Описание:
    MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6Все характеристики

Минимальная цена FDC602P при покупке от 1 шт 155.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDC602P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDC602P

FDC602P ON SEMICONDUCTOR MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6 — это полевое транзисторное устройство (MOSFET) с положительным зарядом гейта. Основные характеристики:

  • Номинальный напряжение блокировки VGS(th): 20В
  • Номинальный ток проводимости ID(on): 5.5А
  • Форм-фактор: SUPERSOT6

Плюсы:

  • Высокая скорость переключения
  • Низкое значение тока утечки
  • Малый размер и легкий вес
  • Устойчивость к электрическим шумам

Минусы:

  • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Необходимо соблюдение правил подключения и защиты от обратного напряжения

Общее назначение:

  • Управление токами в различных электронных устройствах
  • Регулирование напряжений
  • Переключение токов

Применяется в:

  • Автомобильных системах
  • Инверторах
  • Системах управления двигателем
  • Питательных цепях
  • Различных электротехнических устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики FDC602P

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    35mOhm @ 5.5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1456 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.6W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SuperSOT™-6
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Base Product Number
    FDC602

Техническая документация

 FDC602P.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDS8896Транзистор: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
    177Кешбэк 26 баллов
    FDMC86160MOSFET N CH 100V 9A POWER33
    403Кешбэк 60 баллов
    RFD16N05SM9AMOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
    271Кешбэк 40 баллов
    NTD4809N-1GТранзистор: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK
    27.6Кешбэк 4 балла
    FDMS3500MOSFET N-CH 75V PWR CLIP 56
    400Кешбэк 60 баллов
    FDMS0308ASТранзистор: MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN
    168Кешбэк 25 баллов
    NTD4813N-1GMOSFET N-CH 30V 7.6A/40A IPAK
    48Кешбэк 7 баллов
    NTNS3164NZT5GMOSFET N-CH 20V 361MA SOT883
    83Кешбэк 12 баллов
    FDB024N08BL7MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
    923Кешбэк 138 баллов
    NVR1P02T1GMOSFET P-CH 20V 1A SOT-23-3
    57Кешбэк 8 баллов
    FDC602PMOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
    155Кешбэк 23 балла
    FDZ661PZMOSFET P-CH 20V 2.6A 4WLCSP
    221Кешбэк 33 балла
    FDT86106LZТранзистор: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
    295Кешбэк 44 балла
    NTD4813N-35GMOSFET N-CH 30V 7.6A/40A IPAK
    52Кешбэк 7 баллов
    FDD6N50FTMMOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK
    337Кешбэк 50 баллов
    NVF5P03T3GMOSFET P-CH 30V 3.7A SOT-223
    195Кешбэк 29 баллов
    NVF6P02T3GMOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
    284Кешбэк 42 балла
    FDMS86310MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN
    532Кешбэк 79 баллов
    2SK4043LSMOSFET N-CH 30V 20A TO220FI
    366Кешбэк 54 балла
    NTLUS3A18PZTAGMOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
    193Кешбэк 28 баллов
    FDMS0310ASMOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN
    232Кешбэк 34 балла
    EMH1405-TL-HMOSFET N-CH 30V 8.5A 8EMH
    66Кешбэк 9 баллов
    NTLJS3A18PZTWGMOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN
    98Кешбэк 14 баллов
    NTMFS4937NCT1GMOSFET N-CH 30V 10.2A 5DFN
    195Кешбэк 29 баллов
    NTMFS4C35NT1GMOSFET N-CH 30V 12.4A 5DFN
    88Кешбэк 13 баллов
    NTD4909N-1GMOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK
    62Кешбэк 9 баллов
    CPH3348-TL-WMOSFET P-CH 12V 3A 3CPH
    39Кешбэк 5 баллов
    MCH3333A-TL-WMOSFET P-CH 30V 2A SC70FL/MCPH3
    55Кешбэк 8 баллов
    NTHS5443T1MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET
    37Кешбэк 5 баллов
    FDD7N25LZTMMOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK
    201Кешбэк 30 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Принадлежности
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды силовые
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП