Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FDC642P
  • В избранное
  • В сравнение
FDC642P

FDC642P

FDC642P
;
FDC642P

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    FDC642P
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6Все характеристики

Минимальная цена FDC642P при покупке от 1 шт 157.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDC642P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDC642P

FDC642P onsemi — MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 20В
    • Номинальный ток дrain-source (ID): 4А
    • Тип: MOSFET P-канальный
    • Пакет: SUPERSOT6
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в ON-режиме
    • Малый ток утечки в OFF-режиме
    • Малые размеры и легкость
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Не подходит для высоковольтных приложений из-за ограничения по напряжению 20В
    • Требует дополнительного управления для работы в системах с переменным напряжением
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных цепях для управления токами
    • Регулирование напряжений в системах питания
    • Переключение токов в цифровых устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах питания и управления
    • Энергосберегающих приборах
    • Цифровых преобразователях напряжения
    • Системах управления двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики FDC642P

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    65mOhm @ 4A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    16 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    925 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.6W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SuperSOT™-6
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Base Product Number
    FDC642

Техническая документация

 FDC642P.pdf
pdf. 0 kb
  • 20272 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    157 ₽
  • 100
    64 ₽
  • 1000
    44 ₽
  • 6000
    36 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    FDC642P
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6Все характеристики

Минимальная цена FDC642P при покупке от 1 шт 157.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDC642P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDC642P

FDC642P onsemi — MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 20В
    • Номинальный ток дrain-source (ID): 4А
    • Тип: MOSFET P-канальный
    • Пакет: SUPERSOT6
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в ON-режиме
    • Малый ток утечки в OFF-режиме
    • Малые размеры и легкость
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Не подходит для высоковольтных приложений из-за ограничения по напряжению 20В
    • Требует дополнительного управления для работы в системах с переменным напряжением
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных цепях для управления токами
    • Регулирование напряжений в системах питания
    • Переключение токов в цифровых устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах питания и управления
    • Энергосберегающих приборах
    • Цифровых преобразователях напряжения
    • Системах управления двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики FDC642P

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    65mOhm @ 4A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    16 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    925 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.6W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SuperSOT™-6
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Base Product Number
    FDC642

Техническая документация

 FDC642P.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SI7431DP-T1-GE3MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
    911Кешбэк 136 баллов
    SUM110P04-04L-E3Транзистор: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
    913Кешбэк 136 баллов
    IRFIB7N50APBFMOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3
    932Кешбэк 139 баллов
    SIHP21N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
    954Кешбэк 143 балла
    SI7880ADP-T1-E3MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
    960Кешбэк 144 балла
    IRFBC40SPBFMOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
    1 015Кешбэк 152 балла
    SI7439DP-T1-E3MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
    1 047Кешбэк 157 баллов
    IRFP448PBFMOSFET N-CH 500V 11A TO247-3
    1 065Кешбэк 159 баллов
    SIHF30N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 29A TO220
    1 093Кешбэк 163 балла
    SUM90N03-2M2P-E3MOSFET N-CH 30V 90A TO263
    1 099Кешбэк 164 балла
    IRFP048PBFMOSFET N-CH 60V 70A TO247-3
    1 112Кешбэк 166 баллов
    IRFPF30PBFMOSFET N-CH 900V 3.6A TO247-3
    1 175Кешбэк 176 баллов
    SUM85N15-19-E3MOSFET N-CH 150V 85A TO263
    1 195Кешбэк 179 баллов
    IRFP350LCPBFТранзистор: MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3
    1 385Кешбэк 207 баллов
    SUP85N15-21-E3MOSFET N-CH 150V 85A TO220AB
    1 387Кешбэк 208 баллов
    SIHG33N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
    1 400Кешбэк 210 баллов
    SIHB33N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
    1 455Кешбэк 218 баллов
    SIHG70N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 70A TO247AC
    2 689Кешбэк 403 балла
    MMBF170MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23
    53Кешбэк 7 баллов
    2N7000BUТранзистор: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
    72Кешбэк 10 баллов
    BS170Транзистор: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
    74Кешбэк 11 баллов
    FDC8878MOSFET N-CH 30V 8A/8A SUPERSOT6
    121Кешбэк 18 баллов
    FDMS0312ASMOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFN
    123Кешбэк 18 баллов
    FDC86244MOSFET N-CH 150V 2.3A SUPERSOT6
    131Кешбэк 19 баллов
    FDS5351MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC
    135Кешбэк 20 баллов
    FDC8886MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6
    139Кешбэк 20 баллов
    FDC855NMOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
    150Кешбэк 22 балла
    FDC654PMOSFET P-CH 30V 3.6A SUPERSOT6
    154Кешбэк 23 балла
    FDC642PТранзистор: MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
    157Кешбэк 23 балла
    FDMA8051LТранзистор: MOSFET N-CH 40V 10A 6MICROFET
    165Кешбэк 24 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторные модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды силовые
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные триодные тиристоры
    Тиристоры - TRIACs
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы специального назначения
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные IGBT транзисторы
    Симисторы
    IGBT транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП