Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FDC855N
  • В избранное
  • В сравнение
FDC855N

FDC855N

FDC855N
;
FDC855N

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    FDC855N
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6Все характеристики

Минимальная цена FDC855N при покупке от 1 шт 150.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDC855N с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDC855N

FDC855N onsemi / Fairchild MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 30В
    • Номинальный ток (ID): 6.1А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: SUPERSOT6
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Малое значение тока течения при открытом канале
    • Устойчивость к электрическим помехам
    • Компактный размер пакета
  • Минусы:
    • Могут быть ограничения по максимальному току при высоких температурах
    • Необходимо соблюдать требования к размещению и проектированию системы охлаждения
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Регулирование напряжения
    • Переключатель в системах управления мощностью
    • Применение в инверторах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах питания
    • Электроприводах
    • Системах управления освещением
    • Мобильных зарядных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики FDC855N

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6.1A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    27mOhm @ 6.1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    655 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.6W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SuperSOT™-6
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Base Product Number
    FDC855

Техническая документация

 FDC855N.pdf
pdf. 0 kb
  • 549 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    150 ₽
  • 100
    79 ₽
  • 1000
    55 ₽
  • 6000
    45 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    FDC855N
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6Все характеристики

Минимальная цена FDC855N при покупке от 1 шт 150.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDC855N с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDC855N

FDC855N onsemi / Fairchild MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 30В
    • Номинальный ток (ID): 6.1А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: SUPERSOT6
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Малое значение тока течения при открытом канале
    • Устойчивость к электрическим помехам
    • Компактный размер пакета
  • Минусы:
    • Могут быть ограничения по максимальному току при высоких температурах
    • Необходимо соблюдать требования к размещению и проектированию системы охлаждения
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Регулирование напряжения
    • Переключатель в системах управления мощностью
    • Применение в инверторах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах питания
    • Электроприводах
    • Системах управления освещением
    • Мобильных зарядных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики FDC855N

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6.1A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    27mOhm @ 6.1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    655 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.6W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SuperSOT™-6
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Base Product Number
    FDC855

Техническая документация

 FDC855N.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SI7431DP-T1-GE3MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
    911Кешбэк 136 баллов
    SUM110P04-04L-E3Транзистор: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
    913Кешбэк 136 баллов
    IRFIB7N50APBFMOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3
    932Кешбэк 139 баллов
    SIHP21N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
    954Кешбэк 143 балла
    SI7880ADP-T1-E3MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
    960Кешбэк 144 балла
    IRFBC40SPBFMOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
    1 015Кешбэк 152 балла
    SI7439DP-T1-E3MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
    1 047Кешбэк 157 баллов
    IRFP448PBFMOSFET N-CH 500V 11A TO247-3
    1 065Кешбэк 159 баллов
    SIHF30N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 29A TO220
    1 093Кешбэк 163 балла
    SUM90N03-2M2P-E3MOSFET N-CH 30V 90A TO263
    1 099Кешбэк 164 балла
    IRFP048PBFMOSFET N-CH 60V 70A TO247-3
    1 112Кешбэк 166 баллов
    IRFPF30PBFMOSFET N-CH 900V 3.6A TO247-3
    1 175Кешбэк 176 баллов
    SUM85N15-19-E3MOSFET N-CH 150V 85A TO263
    1 195Кешбэк 179 баллов
    IRFP350LCPBFТранзистор: MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3
    1 385Кешбэк 207 баллов
    SUP85N15-21-E3MOSFET N-CH 150V 85A TO220AB
    1 387Кешбэк 208 баллов
    SIHG33N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
    1 400Кешбэк 210 баллов
    SIHB33N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
    1 455Кешбэк 218 баллов
    SIHG70N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 70A TO247AC
    2 689Кешбэк 403 балла
    MMBF170MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23
    53Кешбэк 7 баллов
    2N7000BUТранзистор: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
    72Кешбэк 10 баллов
    BS170Транзистор: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
    74Кешбэк 11 баллов
    FDC8878MOSFET N-CH 30V 8A/8A SUPERSOT6
    121Кешбэк 18 баллов
    FDMS0312ASMOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFN
    123Кешбэк 18 баллов
    FDC86244MOSFET N-CH 150V 2.3A SUPERSOT6
    131Кешбэк 19 баллов
    FDS5351MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC
    135Кешбэк 20 баллов
    FDC8886MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6
    139Кешбэк 20 баллов
    FDC855NMOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
    150Кешбэк 22 балла
    FDC654PMOSFET P-CH 30V 3.6A SUPERSOT6
    154Кешбэк 23 балла
    FDC642PТранзистор: MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
    157Кешбэк 23 балла
    FDMA8051LТранзистор: MOSFET N-CH 40V 10A 6MICROFET
    165Кешбэк 24 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диодные мосты - Модули
    Диодные мосты
    Варикапы и Варакторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторные модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Симисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды силовые
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные IGBT транзисторы
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные диоды
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Сборки биполярных транзисторов
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы специального назначения
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП