Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FDC8886
  • В избранное
  • В сравнение
FDC8886

FDC8886

FDC8886
;
FDC8886

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    FDC8886
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6Все характеристики

Минимальная цена FDC8886 при покупке от 1 шт 99.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDC8886 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDC8886

FDC8886 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с низким сопротивлением на проводимость N-канального типа с напряжением блокировки 30В и током тока до 6,5А или 8А при определенных условиях.

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки: 30В
    • Ток тока: до 6,5А или 8А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: SUPERSOT6
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое сопротивление на проводимость
    • Малый размер и легкий вес благодаря компактному пакету
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Необходимо учесть термический дизайн для эффективного отвода тепла
    • Существуют ограничения по рабочему току и напряжению в зависимости от условий применения
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для управления токами
    • Применяется в системах питания, преобразователях напряжения, источниках питания
    • Используется в автомобильной электронике для управления моторами и другими нагрузками
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Преобразователи напряжения для бытовой техники
    • Источники питания для различных устройств
    • Электронные контроллеры для промышленных применений
Выбрано: Показать

Характеристики FDC8886

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6.5A (Ta), 8A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    23mOhm @ 6.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.4 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    465 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.6W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SuperSOT™-6
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Base Product Number
    FDC8886

Техническая документация

 FDC8886.pdf
pdf. 0 kb
  • 4821 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    99 ₽
  • 100
    49 ₽
  • 1000
    38 ₽
  • 9000
    31 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    FDC8886
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6Все характеристики

Минимальная цена FDC8886 при покупке от 1 шт 99.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDC8886 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDC8886

FDC8886 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с низким сопротивлением на проводимость N-канального типа с напряжением блокировки 30В и током тока до 6,5А или 8А при определенных условиях.

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки: 30В
    • Ток тока: до 6,5А или 8А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: SUPERSOT6
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое сопротивление на проводимость
    • Малый размер и легкий вес благодаря компактному пакету
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Необходимо учесть термический дизайн для эффективного отвода тепла
    • Существуют ограничения по рабочему току и напряжению в зависимости от условий применения
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для управления токами
    • Применяется в системах питания, преобразователях напряжения, источниках питания
    • Используется в автомобильной электронике для управления моторами и другими нагрузками
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Преобразователи напряжения для бытовой техники
    • Источники питания для различных устройств
    • Электронные контроллеры для промышленных применений
Выбрано: Показать

Характеристики FDC8886

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6.5A (Ta), 8A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    23mOhm @ 6.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.4 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    465 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.6W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SuperSOT™-6
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Base Product Number
    FDC8886

Техническая документация

 FDC8886.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SSM3K337R,LFMOSFET N-CH 38V 2A SOT23F
    113Кешбэк 16 баллов
    SSM6J511NU,LFMOSFET P-CH 12V 14A 6UDFNB
    115Кешбэк 17 баллов
    SSM6K202FE,LFMOSFET N-CH 30V 2.3A ES6
    128Кешбэк 19 баллов
    SSM3K341R,LFMOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F
    130Кешбэк 19 баллов
    SSM6J507NU,LFMOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
    132Кешбэк 19 баллов
    2SK2009TE85LFMOSFET N-CH 30V 200MA SC59-3
    134Кешбэк 20 баллов
    TPC8129,LQ(SMOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
    156Кешбэк 23 балла
    SSM6J771G,LFMOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP
    193Кешбэк 28 баллов
    TPH8R903NL,LQMOSFET N CH 30V 20A 8SOP
    214Кешбэк 32 балла
    TK4A50D(STA4,Q,M)Транзистор: MOSFET N-CH 500V 4A TO220SIS
    223Кешбэк 33 балла
    TPN4R712MD,L1QMOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
    229Кешбэк 34 балла
    TPC8134,LQ(SMOSFET P-CH 40V 5A 8SOP
    240Кешбэк 36 баллов
    TPN30008NH,LQMOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON
    244Кешбэк 36 баллов
    TJ10S04M3L(T6L1,NQMOSFET P-CH 40V 10A DPAK
    257Кешбэк 38 баллов
    TPH4R003NL,L1QMOSFET N-CH 30V 40A 8SOP
    260Кешбэк 39 баллов
    TK6P65W,RQMOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
    260Кешбэк 39 баллов
    TK30E06N1,S1XMOSFET N-CH 60V 43A TO220
    270Кешбэк 40 баллов
    TK5A45DA(STA4,Q,M)MOSFET N-CH 450V 4.5A TO220SIS
    288Кешбэк 43 балла
    TK35A08N1,S4XMOSFET N-CH 80V 35A TO220SIS
    292Кешбэк 43 балла
    TK35E08N1,S1XMOSFET N-CH 80V 55A TO220
    292Кешбэк 43 балла
    TK2A65D(STA4,Q,M)MOSFET N-CH 650V 2A TO220SIS
    294Кешбэк 44 балла
    TJ30S06M3L(T6L1,NQMOSFET P-CH 60V 30A DPAK
    297Кешбэк 44 балла
    TK3A60DA(STA4,Q,M)MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220SIS
    297Кешбэк 44 балла
    TPH14006NH,L1QMOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
    303Кешбэк 45 баллов
    TPH2R608NH,L1QMOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
    305Кешбэк 45 баллов
    TK40E06N1,S1XMOSFET N-CH 60V 40A TO220
    305Кешбэк 45 баллов
    TPH6R003NL,LQMOSFET N CH 30V 38A 8SOP
    312Кешбэк 46 баллов
    TK6A45DA(STA4,Q,M)MOSFET N-CH 450V 5.5A TO220SIS
    323Кешбэк 48 баллов
    TJ20S04M3L(T6L1,NQMOSFET P-CH 40V 20A DPAK
    331Кешбэк 49 баллов
    TJ80S04M3L(T6L1,NQMOSFET P-CH 40V 80A DPAK
    335Кешбэк 50 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - выпрямители - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Принадлежности
    Транзисторы - JFET
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR - модули
    IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП