Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
FDD6N50FTM

FDD6N50FTM

FDD6N50FTM
;
FDD6N50FTM

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена FDD6N50FTM при покупке от 1 шт 337.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDD6N50FTM с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDD6N50FTM

FDD6N50FTM от ON Semiconductor — это N-канальный MOSFET с напряжением включения 500В и током пропускания 5,5А, имеющий оболочку DPAK.

  • Основные параметры:
    • Напряжение включения: 500В
    • Ток пропускания: 5,5А
    • Оболочка: DPAK
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение включения
    • Высокая надежность
    • Малый размер
    • Высокая скорость переключения
    • Легкий управляемый режим
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с транзисторами других типов
    • Требует дополнительных компонентов для управления
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных цепях для управления током
    • Применение в источниках питания
    • Работа в цифровых и аналоговых системах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Источники питания
    • Компьютерные системы
    • Системы управления двигателем
    • Игровые консоли
Выбрано: Показать

Характеристики FDD6N50FTM

Техническая документация

FDD6N50FTM.pdf
pdf. 0 kb
  • 6132 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    337 ₽
  • 10
    215 ₽
  • 100
    145 ₽
  • 1000
    105 ₽
  • 5000
    89 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена FDD6N50FTM при покупке от 1 шт 337.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDD6N50FTM с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDD6N50FTM

FDD6N50FTM от ON Semiconductor — это N-канальный MOSFET с напряжением включения 500В и током пропускания 5,5А, имеющий оболочку DPAK.

  • Основные параметры:
    • Напряжение включения: 500В
    • Ток пропускания: 5,5А
    • Оболочка: DPAK
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение включения
    • Высокая надежность
    • Малый размер
    • Высокая скорость переключения
    • Легкий управляемый режим
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с транзисторами других типов
    • Требует дополнительных компонентов для управления
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных цепях для управления током
    • Применение в источниках питания
    • Работа в цифровых и аналоговых системах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Источники питания
    • Компьютерные системы
    • Системы управления двигателем
    • Игровые консоли
Выбрано: Показать

Характеристики FDD6N50FTM

Техническая документация

FDD6N50FTM.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории