Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FDD8453LZ
  • В избранное
  • В сравнение
FDD8453LZ

FDD8453LZ

FDD8453LZ
;
FDD8453LZ

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    FDD8453LZ
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 16.4A/50A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена FDD8453LZ при покупке от 1 шт 459.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDD8453LZ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDD8453LZ

FDD8453LZ — это MOSFET (MOSFET N-канальный) производства ON Semiconductor (ранее Fairchild Semiconductor). Этот тип MOSFET предназначен для широкого применения в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 40В
    • Максимальная токовая способность: 16.4А (в режиме спорадического использования), 50А (в режиме непрерывной работы)
    • Тип: DPAK (дифференцированный пакет)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Умеренный уровень тепловыделения
    • Простота использования и монтажа
    • Высокая скорость включения и выключения
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Необходимо соблюдать правила размещения компонентов на плате для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в схемах преобразования энергии
    • Защита от перегрузок и скачков напряжения
    • Контроль тока в электрических цепях
  • Применение:
    • Автомобильные системы управления двигателем и аккумуляторами
    • Системы питания и преобразования энергии
    • Мобильные устройства и зарядные станции
    • Промышленные системы управления и автоматизации
Выбрано: Показать

Характеристики FDD8453LZ

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    16.4A (Ta), 50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.7mOhm @ 15A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    64 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3515 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.1W (Ta), 65W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-252AA
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    FDD8453

Техническая документация

 FDD8453LZ.pdf
pdf. 0 kb
  • 34158 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    459 ₽
  • 10
    294 ₽
  • 100
    202 ₽
  • 500
    173 ₽
  • 2500
    137 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    FDD8453LZ
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 16.4A/50A DPAKВсе характеристики

Минимальная цена FDD8453LZ при покупке от 1 шт 459.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDD8453LZ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDD8453LZ

FDD8453LZ — это MOSFET (MOSFET N-канальный) производства ON Semiconductor (ранее Fairchild Semiconductor). Этот тип MOSFET предназначен для широкого применения в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 40В
    • Максимальная токовая способность: 16.4А (в режиме спорадического использования), 50А (в режиме непрерывной работы)
    • Тип: DPAK (дифференцированный пакет)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Умеренный уровень тепловыделения
    • Простота использования и монтажа
    • Высокая скорость включения и выключения
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Необходимо соблюдать правила размещения компонентов на плате для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в схемах преобразования энергии
    • Защита от перегрузок и скачков напряжения
    • Контроль тока в электрических цепях
  • Применение:
    • Автомобильные системы управления двигателем и аккумуляторами
    • Системы питания и преобразования энергии
    • Мобильные устройства и зарядные станции
    • Промышленные системы управления и автоматизации
Выбрано: Показать

Характеристики FDD8453LZ

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    16.4A (Ta), 50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.7mOhm @ 15A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    64 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3515 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.1W (Ta), 65W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-252AA
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    FDD8453

Техническая документация

 FDD8453LZ.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDS8840NZMOSFET N-CH 40V 18.6A 8SOIC
    309Кешбэк 46 баллов
    FDD5N50NZTMТранзистор: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
    311Кешбэк 46 баллов
    FDMA86265PMOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET
    321Кешбэк 48 баллов
    FDMC6675BZMOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
    340Кешбэк 51 балл
    FDMA86108LZMOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
    342Кешбэк 51 балл
    FDD2582MOSFET N-CH 150V 3.7/21A TO252AA
    344Кешбэк 51 балл
    FCD900N60ZMOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
    346Кешбэк 51 балл
    FDMC8554MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP
    348Кешбэк 52 балла
    FDS86106MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
    366Кешбэк 54 балла
    FDMS7672POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
    366Кешбэк 54 балла
    FDD5680POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
    375Кешбэк 56 баллов
    FDMC8321LMOSFET N-CH 40V 22A/49A POWER33
    377Кешбэк 56 баллов
    FDMC6679AZMOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
    381Кешбэк 57 баллов
    FDT86106LZТранзистор: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
    381Кешбэк 57 баллов
    FDS6575MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
    383Кешбэк 57 баллов
    NDT456PMOSFET P-CH 30V 7.5A SOT-223-4
    385Кешбэк 57 баллов
    FDC8601MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT6
    387Кешбэк 58 баллов
    FDMC7660SMOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
    391Кешбэк 58 баллов
    FDMS86105MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN
    397Кешбэк 59 баллов
    FDD3670MOSFET N-CH 100V 34A TO252
    422Кешбэк 63 балла
    FDM3622MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
    422Кешбэк 63 балла
    FDMA8878MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET
    428Кешбэк 64 балла
    FDMS7660ASMOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN
    438Кешбэк 65 баллов
    FDB12N50TMТранзистор: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
    445Кешбэк 66 баллов
    FCD600N60ZMOSFET N-CH 600V 7.4A DPAK
    447Кешбэк 67 баллов
    FCPF850N80ZPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
    451Кешбэк 67 баллов
    HUF76639S3STТранзистор: MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
    455Кешбэк 68 баллов
    FDD8453LZMOSFET N-CH 40V 16.4A/50A DPAK
    459Кешбэк 68 баллов
    FQPF2N80MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F
    482Кешбэк 72 балла
    FCU900N60ZMOSFET N-CH 600V 4.5A IPAK
    486Кешбэк 72 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - JFET
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы специального назначения
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные IGBT транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторные модули
    Диоды силовые
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные диоды
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП