Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FDM3622
  • В избранное
  • В сравнение
FDM3622

FDM3622

FDM3622
;
FDM3622

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    FDM3622
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLPВсе характеристики

Минимальная цена FDM3622 при покупке от 1 шт 422.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDM3622 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDM3622

FDM3622 onsemi MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP — это ненаправленный полупроводниковый транзистор на основе MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства компании ON Semiconductor.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение питания: 100В
    • Размер тока: 4.4А
    • Форм-фактор: 8MLP (8-миллиметровая пластиковая оболочка)
  • Плюсы:
    • Высокое значение разреженного сопротивления (RDS(on))
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Малый размер и легкий вес
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Средняя эффективность при высоких нагрузках
    • Требует дополнительного охлаждения при больших токах
  • Общее назначение:
    • Контроль и управление электрическими цепями
    • Регулирование напряжения и тока
    • Переключение электрических цепей
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильная электроника
    • Электропитание и преобразование энергии
    • Инверторы и преобразователи
    • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики FDM3622

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.4A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    60mOhm @ 4.4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1090 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.1W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-MLP (3.3x3.3)
  • Корпус
    8-PowerWDFN

Техническая документация

 FDM3622.pdf
pdf. 0 kb
  • 2653 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    422 ₽
  • 10
    276 ₽
  • 100
    187 ₽
  • 1000
    140 ₽
  • 6000
    117 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    FDM3622
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLPВсе характеристики

Минимальная цена FDM3622 при покупке от 1 шт 422.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDM3622 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDM3622

FDM3622 onsemi MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP — это ненаправленный полупроводниковый транзистор на основе MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства компании ON Semiconductor.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение питания: 100В
    • Размер тока: 4.4А
    • Форм-фактор: 8MLP (8-миллиметровая пластиковая оболочка)
  • Плюсы:
    • Высокое значение разреженного сопротивления (RDS(on))
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Малый размер и легкий вес
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Средняя эффективность при высоких нагрузках
    • Требует дополнительного охлаждения при больших токах
  • Общее назначение:
    • Контроль и управление электрическими цепями
    • Регулирование напряжения и тока
    • Переключение электрических цепей
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильная электроника
    • Электропитание и преобразование энергии
    • Инверторы и преобразователи
    • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики FDM3622

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.4A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    60mOhm @ 4.4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1090 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.1W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-MLP (3.3x3.3)
  • Корпус
    8-PowerWDFN

Техническая документация

 FDM3622.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTR5105PT1GMOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3
    38Кешбэк 5 баллов
    BSS123Транзистор: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
    38.5Кешбэк 5 баллов
    FDV303NMOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
    39.5Кешбэк 5 баллов
    NTR4501NT1GMOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
    41Кешбэк 6 баллов
    NTK3139PT1GMOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
    42.6Кешбэк 6 баллов
    NDS0610MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23
    43Кешбэк 6 баллов
    2V7002LT1GMOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
    46Кешбэк 6 баллов
    NTR4502PT1GТранзистор: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
    46Кешбэк 6 баллов
    NTA7002NT1GMOSFET N-CH 30V 154MA SC75
    46Кешбэк 6 баллов
    MMBF170LT1GMOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
    47Кешбэк 7 баллов
    BSS138WMOSFET N-CH 50V 210MA SC70
    47Кешбэк 7 баллов
    NDS0605MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23
    48.5Кешбэк 7 баллов
    NTA4153NT1GMOSFET N-CH 20V 915MA SC75
    49Кешбэк 7 баллов
    BSS123LT1GТранзистор: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
    50Кешбэк 7 баллов
    NTR4101PT1GТранзистор: MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
    52Кешбэк 7 баллов
    FDV305NMOSFET N-CH 20V 900MA SOT23
    56Кешбэк 8 баллов
    NTR1P02LT1GMOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
    59Кешбэк 8 баллов
    NTR4171PT1GMOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
    61Кешбэк 9 баллов
    NTS2101PT1GMOSFET P-CH 8V 1.4A SC70-3
    62Кешбэк 9 баллов
    NTS4409NT1GMOSFET N-CH 25V 700MA SC70-3
    62Кешбэк 9 баллов
    NTGS4141NT1GMOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP
    66Кешбэк 9 баллов
    SCH1330-TL-HMOSFET P-CH 20V 1.5A 6SCH
    68Кешбэк 10 баллов
    BVSS123LT1GMOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
    69Кешбэк 10 баллов
    NTNS3190NZT5GMOSFET N-CH 20V 224MA 3XLLGA
    72Кешбэк 10 баллов
    NTJS4151PT1GMOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6
    72Кешбэк 10 баллов
    NTS4101PT1GТранзистор: MOSFET P-CH 20V 1.37A SC70-3
    73Кешбэк 10 баллов
    BVSS84LT1GMOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
    74Кешбэк 11 баллов
    MMBF2201NT1GMOSFET N-CH 20V 300MA SC70-3
    75Кешбэк 11 баллов
    NTR5198NLT1GMOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
    75Кешбэк 11 баллов
    NTR4170NT1GMOSFET N-CH 30V SOT23-3
    76Кешбэк 11 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды силовые
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - ВЧ
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули триодных тиристоров
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Симисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторные модули
    Модули драйверов питания
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Варикапы и Варакторы
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - JFET
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП