Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FDMA8878
  • В избранное
  • В сравнение
FDMA8878

FDMA8878

FDMA8878
;
FDMA8878

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    FDMA8878
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFETВсе характеристики

Минимальная цена FDMA8878 при покупке от 1 шт 428.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDMA8878 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDMA8878

FDMA8878 onsemi / Fairchild MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 30 В
    • Размер токов: 9 А (непрерывный) / 10 А (пульсирующий)
    • Количество MOSFET: 6
    • Тип: N-канальный
  • Плюсы:
    • Высокая conductive эффективность
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и легкость
    • Простота в установке и подключении
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами MOSFET
    • Необходимо соблюдение правил охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в системах питания
    • Переключение высоких токов в электронных устройствах
    • Регулировка напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления двигателем
    • Электроприборы и бытовая техника
    • Инверторы
    • Системы преобразования энергии
Выбрано: Показать

Характеристики FDMA8878

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9A (Ta), 10A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16mOhm @ 9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    720 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.4W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    6-MicroFET (2x2)
  • Корпус
    6-WDFN Exposed Pad

Техническая документация

 FDMA8878.pdf
pdf. 0 kb
  • 2257 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    428 ₽
  • 10
    259 ₽
  • 100
    182 ₽
  • 1000
    140 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    FDMA8878
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFETВсе характеристики

Минимальная цена FDMA8878 при покупке от 1 шт 428.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDMA8878 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDMA8878

FDMA8878 onsemi / Fairchild MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 30 В
    • Размер токов: 9 А (непрерывный) / 10 А (пульсирующий)
    • Количество MOSFET: 6
    • Тип: N-канальный
  • Плюсы:
    • Высокая conductive эффективность
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и легкость
    • Простота в установке и подключении
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами MOSFET
    • Необходимо соблюдение правил охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в системах питания
    • Переключение высоких токов в электронных устройствах
    • Регулировка напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления двигателем
    • Электроприборы и бытовая техника
    • Инверторы
    • Системы преобразования энергии
Выбрано: Показать

Характеристики FDMA8878

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9A (Ta), 10A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16mOhm @ 9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    720 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.4W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    6-MicroFET (2x2)
  • Корпус
    6-WDFN Exposed Pad

Техническая документация

 FDMA8878.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDS8840NZMOSFET N-CH 40V 18.6A 8SOIC
    309Кешбэк 46 баллов
    FDD5N50NZTMТранзистор: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
    311Кешбэк 46 баллов
    FDMA86265PMOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET
    321Кешбэк 48 баллов
    FDMC6675BZMOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
    340Кешбэк 51 балл
    FDMA86108LZMOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
    342Кешбэк 51 балл
    FDD2582MOSFET N-CH 150V 3.7/21A TO252AA
    344Кешбэк 51 балл
    FCD900N60ZMOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
    346Кешбэк 51 балл
    FDMC8554MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP
    348Кешбэк 52 балла
    FDS86106MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
    366Кешбэк 54 балла
    FDMS7672POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
    366Кешбэк 54 балла
    FDD5680POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
    375Кешбэк 56 баллов
    FDMC8321LMOSFET N-CH 40V 22A/49A POWER33
    377Кешбэк 56 баллов
    FDMC6679AZMOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
    381Кешбэк 57 баллов
    FDT86106LZТранзистор: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
    381Кешбэк 57 баллов
    FDS6575MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
    383Кешбэк 57 баллов
    NDT456PMOSFET P-CH 30V 7.5A SOT-223-4
    385Кешбэк 57 баллов
    FDC8601MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT6
    387Кешбэк 58 баллов
    FDMC7660SMOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
    391Кешбэк 58 баллов
    FDMS86105MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN
    397Кешбэк 59 баллов
    FDD3670MOSFET N-CH 100V 34A TO252
    422Кешбэк 63 балла
    FDM3622MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
    422Кешбэк 63 балла
    FDMA8878MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET
    428Кешбэк 64 балла
    FDMS7660ASMOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN
    438Кешбэк 65 баллов
    FDB12N50TMТранзистор: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
    445Кешбэк 66 баллов
    FCD600N60ZMOSFET N-CH 600V 7.4A DPAK
    447Кешбэк 67 баллов
    FCPF850N80ZPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
    451Кешбэк 67 баллов
    HUF76639S3STТранзистор: MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
    455Кешбэк 68 баллов
    FDD8453LZMOSFET N-CH 40V 16.4A/50A DPAK
    459Кешбэк 68 баллов
    FQPF2N80MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F
    482Кешбэк 72 балла
    FCU900N60ZMOSFET N-CH 600V 4.5A IPAK
    486Кешбэк 72 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Одиночные триодные тиристоры
    Модули драйверов питания
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды силовые
    Транзисторные модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули драйверов питания
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Симисторы - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - TRIACs
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные диоды
    Модули триодных тиристоров
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды - мостовые выпрямители
    Варикапы и Варакторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП