Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FDMS4435BZ
  • В избранное
  • В сравнение
FDMS4435BZ

FDMS4435BZ

FDMS4435BZ
;
FDMS4435BZ

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ONSEMI
  • Артикул:
    FDMS4435BZ
  • Описание:
    MOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFNВсе характеристики

Минимальная цена FDMS4435BZ при покупке от 1 шт 216.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDMS4435BZ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDMS4435BZ

FDMS4435BZ ONSEMI MOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFN

  • Основные параметры:
    • Тип: МOSFET (P-канальный)
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Номинальный ток: 9А (однополосный), 18А (двухполосный)
    • Пакет: 8-PQFN (плоский квадратный ножевой корпус)
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в "включённом" состоянии
    • Низкие потери энергии при работе
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Малый размер и вес из-за компактного пакета
  • Минусы:
    • Неустойчивость к обратному напряжению
    • Требуется дополнительная защита от вольтажа
    • Тепловые потери могут быть значительными без эффективного охлаждения
  • Общее назначение:
    • Контролирование тока в электронных устройствах
    • Изменение состояния цепей питания
    • Ограничение тока и защиты от перегрузок
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Питание и регулировка напряжения в бытовой технике
    • Электронные устройства с высокими требованиями к точности
    • Инверторы и преобразователи
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики FDMS4435BZ

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9A (Ta), 18A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20mOhm @ 9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    47 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2050 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta), 39W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-PQFN (5x6)
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    FDMS4435

Техническая документация

 FDMS4435BZ.pdf
pdf. 0 kb
  • 2347 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    216 ₽
  • 10
    173 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ONSEMI
  • Артикул:
    FDMS4435BZ
  • Описание:
    MOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFNВсе характеристики

Минимальная цена FDMS4435BZ при покупке от 1 шт 216.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDMS4435BZ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDMS4435BZ

FDMS4435BZ ONSEMI MOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFN

  • Основные параметры:
    • Тип: МOSFET (P-канальный)
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Номинальный ток: 9А (однополосный), 18А (двухполосный)
    • Пакет: 8-PQFN (плоский квадратный ножевой корпус)
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в "включённом" состоянии
    • Низкие потери энергии при работе
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Малый размер и вес из-за компактного пакета
  • Минусы:
    • Неустойчивость к обратному напряжению
    • Требуется дополнительная защита от вольтажа
    • Тепловые потери могут быть значительными без эффективного охлаждения
  • Общее назначение:
    • Контролирование тока в электронных устройствах
    • Изменение состояния цепей питания
    • Ограничение тока и защиты от перегрузок
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Питание и регулировка напряжения в бытовой технике
    • Электронные устройства с высокими требованиями к точности
    • Инверторы и преобразователи
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики FDMS4435BZ

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9A (Ta), 18A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20mOhm @ 9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    47 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2050 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta), 39W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-PQFN (5x6)
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    FDMS4435

Техническая документация

 FDMS4435BZ.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDMC3612MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP
    212Кешбэк 31 балл
    FDPF16N50POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
    212Кешбэк 31 балл
    NTD3055-150T4GMOSFET N-CH 60V 9A DPAK
    212Кешбэк 31 балл
    NTD3055-094T4GMOSFET N-CH 60V 12A DPAK
    213Кешбэк 31 балл
    NTMFS4937NCT1GMOSFET N-CH 30V 10.2A 5DFN
    214Кешбэк 32 балла
    RFD12N06RLESM9AMOSFET N-CH 60V 18A TO252AA
    214Кешбэк 32 балла
    NTMFS4983NFT1GMOSFET N-CH 30V 22A/106A 5DFN
    216Кешбэк 32 балла
    FDMS7692MOSFET N-CH 30V 14A/28A 8PQFN
    216Кешбэк 32 балла
    FDMS4435BZMOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFN
    216Кешбэк 32 балла
    NTF3055L108T1GТранзистор: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
    218Кешбэк 32 балла
    FDC2512MOSFET N-CH 150V 1.4A SUPERSOT6
    220Кешбэк 33 балла
    NTR3A30PZT1GТранзистор: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3
    220Кешбэк 33 балла
    NVTFS4C25NTAGMOSFET N-CH 30V 10.1A/22.1A 8DFN
    220Кешбэк 33 балла
    HUF75321P3MOSFET N-CH 55V 35A TO220-3
    220Кешбэк 33 балла
    MVGSF1N03LT1GMOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23
    220Кешбэк 33 балла
    NTMFS4821NT1GMOSFET N-CH 30V 8.8A/58.5A 5DFN
    220Кешбэк 33 балла
    FDMC8676
    224Кешбэк 33 балла
    NTF5P03T3GMOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223
    226Кешбэк 33 балла
    NTD6414ANT4GMOSFET N-CH 100V 32A DPAK
    230Кешбэк 34 балла
    NTMFS5C423NLT1GMOSFET N-CH 40V 5DFN
    230Кешбэк 34 балла
    FQP55N10MOSFET N-CH 100V 55A TO220-3
    232Кешбэк 34 балла
    FDME820NZTMOSFET N-CH 20V 9A MICROFET
    232Кешбэк 34 балла
    FDMS8027SMOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFN
    234Кешбэк 35 баллов
    NTMFS4C10NT3GMOSFET N-CHANNEL 30V 46A 5DFN
    236Кешбэк 35 баллов
    FDU3N40TUMOSFET N-CH 400V 2A IPAK
    236Кешбэк 35 баллов
    NTLJS4114NT1GMOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
    236Кешбэк 35 баллов
    FDMC86324MOSFET N-CH 80V 7A/20A POWER33
    236Кешбэк 35 баллов
    2SK3816-DL-1EMOSFET N-CH 60V 40A TO263-2
    236Кешбэк 35 баллов
    NTF6P02T3GMOSFET P-CH 20V 10A SOT223
    238Кешбэк 35 баллов
    NTMFS4923NET3GMOSFET N-CH 30V 12.7A/91A 5DFN
    240Кешбэк 36 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторные модули
    Транзисторы специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули триодных тиристоров
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды силовые
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП