Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
FDMS4D0N12C
FDMS4D0N12C

FDMS4D0N12C

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ONSEMI
  • Артикул:
    FDMS4D0N12C
  • Описание:
    MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFNВсе характеристики

Минимальная цена FDMS4D0N12C при покупке от 1 шт 862.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDMS4D0N12C с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FDMS4D0N12C

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    120 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    18.5A (Ta), 114A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4mOhm @ 67A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 370A
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    82 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    6460 pF @ 60 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.7W (Ta), 106W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-PQFN (5x6)
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    FDMS4
Техническая документация
 FDMS4D0N12C.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 3484 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    862 ₽
  • 10
    701 ₽
  • 100
    575 ₽
  • 500
    533 ₽
  • 1000
    523 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ONSEMI
  • Артикул:
    FDMS4D0N12C
  • Описание:
    MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFNВсе характеристики

Минимальная цена FDMS4D0N12C при покупке от 1 шт 862.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDMS4D0N12C с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FDMS4D0N12C

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    120 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    18.5A (Ta), 114A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4mOhm @ 67A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 370A
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    82 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    6460 pF @ 60 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.7W (Ta), 106W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-PQFN (5x6)
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    FDMS4
Техническая документация
 FDMS4D0N12C.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    C3M0120100JSICFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
    3 674Кешбэк 551 балл
    TSM056NH04LCR RLG40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
    350Кешбэк 52 балла
    FDZ7064SN-CHANNEL POWER MOSFET
    249Кешбэк 37 баллов
    PXN7R7-25QLJPXN7R7-25QL/SOT8002/MLPAK33
    78Кешбэк 11 баллов
    RJK03P6DPA-WS#J5AN-CHANNEL POWER MOSFET
    353Кешбэк 52 балла
    SIHA21N80AEF-GE3EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
    270Кешбэк 40 баллов
    R6018JNJGTLMOSFET N-CH 600V 18A LPTS
    962Кешбэк 144 балла
    BS870Q-7-FMOSFET N-CH 60V 250MA SOT23
    39Кешбэк 5 баллов
    PMH550UPEHMOSFET P-CH 20V 800MA DFN0606-3
    56Кешбэк 8 баллов
    BUZ111SLE3045AMOSFET N-CH 50V 80A TO263
    192Кешбэк 28 баллов
    DMN6068SEQ-13MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R
    136Кешбэк 20 баллов
    IXTP8N70X2MMOSFET N-CH 700V 4A TO220
    813Кешбэк 121 балл
    RQ5E025SPTLMOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
    158Кешбэк 23 балла
    TBB1002BMTL-EТранзистор: RF N-CHANNEL MOSFET
    86Кешбэк 12 баллов
    SQ7414CENW-T1_GE3MOSFET N-CH 60V 18A PPAK1212-8W
    275Кешбэк 41 балл
    SQM120N06-3M5L_GE3MOSFET N-CH 60V 120A TO263
    826Кешбэк 123 балла
    NX3008NBKVLMOSFET N-CH 30V 400MA TO236AB
    56Кешбэк 8 баллов
    PXP1500-100QSJMOSFET P-CH 100V 700MA LFPAK33
    190Кешбэк 28 баллов
    TSM650N15CR RLGMOSFET N-CH 150V 24A 8PDFN
    558Кешбэк 83 балла
    NVTFWS030N06CTAGMOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
    279Кешбэк 41 балл
    IPT65R040CFD7XTMA1MOSFET N-CH 650V 8HSOF
    1 669Кешбэк 250 баллов
    IXFT60N65X2HVMOSFET N-CH 650V 60A TO268HV
    2 638Кешбэк 395 баллов
    FDMS10C4D2NMOSFET N-CH 100V 17A 8PQFN
    688Кешбэк 103 балла
    RSQ015P10HZGTRMOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
    192Кешбэк 28 баллов
    RJK0352DSP-WS#J0N-CHANNEL POWER MOSFET
    156Кешбэк 23 балла
    EPC2037GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
    366Кешбэк 54 балла
    PJA3416A_R1_00001SOT-23, MOSFET
    58Кешбэк 8 баллов
    IMW120R090M1HXKSA1SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
    1 492Кешбэк 223 балла
    DMP6018LPS-13MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
    476Кешбэк 71 балл
    NVTFS5C680NLTAGMOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN
    220Кешбэк 33 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - Модули
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды силовые
    Высокочастотные полевые транзисторы
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП