Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FDMS86300
  • В избранное
  • В сравнение
FDMS86300

FDMS86300

FDMS86300
;
FDMS86300

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FDMS86300
  • Описание:
    MOSFET N-CH 80V 19A/80A 8PQFNВсе характеристики

Минимальная цена FDMS86300 при покупке от 1 шт 645.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDMS86300 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDMS86300

FDMS86300 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с низким напряжением гатода-истока (N-CH), предназначенным для использования в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Напряжение гатода-истока (VGS(th)): 2.5 В
    • Максимальное напряжение гатода-истока (VGS(max)): 80 В
    • Максимальный ток стока (ID(max)): 19 А при 25°C, 80 А при 250 мВ теплового затухания
    • Количество пакетов: 8 PQFN (Quad Flat No-Lead)
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий напряжениегатода-истока
    • Высокий коэффициент передачи
    • Устойчивость к тепловому затуханию
    • Небольшой размер пакета
  • Минусы:
    • Требует дополнительного проектирования для защиты от перегрева и обратного напряжения
    • Не подходит для всех типов приложений без должной охлаждения и защиты
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Регулировка напряжения в системах управления
    • Переключение высокочастотных сигналов
    • Применение в автомобильных системах
    • Работа в устройствах с высокими требованиями к надежности
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем и климат-контролем
    • Источники питания для ноутбуков и других портативных устройств
    • Системы управления промышленного оборудования
    • Преобразователи напряжения
    • Регуляторы напряжения в бытовой технике
Выбрано: Показать

Характеристики FDMS86300

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    19A (Ta), 80A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    8V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.9mOhm @ 19A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    86 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7082 pF @ 40 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta), 104W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-PQFN (5x6)
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    FDMS86

Техническая документация

 FDMS86300.pdf
pdf. 0 kb
  • 3516 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    645 ₽
  • 10
    419 ₽
  • 100
    291 ₽
  • 500
    247 ₽
  • 3000
    202 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FDMS86300
  • Описание:
    MOSFET N-CH 80V 19A/80A 8PQFNВсе характеристики

Минимальная цена FDMS86300 при покупке от 1 шт 645.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDMS86300 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDMS86300

FDMS86300 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с низким напряжением гатода-истока (N-CH), предназначенным для использования в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Напряжение гатода-истока (VGS(th)): 2.5 В
    • Максимальное напряжение гатода-истока (VGS(max)): 80 В
    • Максимальный ток стока (ID(max)): 19 А при 25°C, 80 А при 250 мВ теплового затухания
    • Количество пакетов: 8 PQFN (Quad Flat No-Lead)
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий напряжениегатода-истока
    • Высокий коэффициент передачи
    • Устойчивость к тепловому затуханию
    • Небольшой размер пакета
  • Минусы:
    • Требует дополнительного проектирования для защиты от перегрева и обратного напряжения
    • Не подходит для всех типов приложений без должной охлаждения и защиты
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Регулировка напряжения в системах управления
    • Переключение высокочастотных сигналов
    • Применение в автомобильных системах
    • Работа в устройствах с высокими требованиями к надежности
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем и климат-контролем
    • Источники питания для ноутбуков и других портативных устройств
    • Системы управления промышленного оборудования
    • Преобразователи напряжения
    • Регуляторы напряжения в бытовой технике
Выбрано: Показать

Характеристики FDMS86300

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    19A (Ta), 80A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    8V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.9mOhm @ 19A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    86 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7082 pF @ 40 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta), 104W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-PQFN (5x6)
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    FDMS86

Техническая документация

 FDMS86300.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDS3512MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
    575Кешбэк 86 баллов
    FQA8N100CMOSFET N-CH 1000V 8A TO3PN
    579Кешбэк 86 баллов
    FDMS86310MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN
    583Кешбэк 87 баллов
    FDB390N15AMOSFET N-CH 150V 27A D2PAK
    583Кешбэк 87 баллов
    FDMS6681Z
    584Кешбэк 87 баллов
    FDMC510PТранзистор: MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
    585Кешбэк 87 баллов
    FQB27P06TMMOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
    595Кешбэк 89 баллов
    FDPF15N65MOSFET N-CH 650V 15A TO220F
    597Кешбэк 89 баллов
    FDP070AN06A0Транзистор: MOSFET N-CH 60V 15A/80A TO220-3
    599Кешбэк 89 баллов
    FDB3682MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO263
    602Кешбэк 90 баллов
    FDPF190N15AMOSFET N-CH 150V 27.4A TO220F
    609Кешбэк 91 балл
    NTMFS5C404NLT1GMOSFET N-CH 40V 52A/370A 5DFN
    615Кешбэк 92 балла
    FDP2572Транзистор: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO220-3
    617Кешбэк 92 балла
    NTB60N06T4GMOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
    619Кешбэк 92 балла
    FDMC86260ET150
    619Кешбэк 92 балла
    FDMS86252MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN
    621Кешбэк 93 балла
    FDMC86340ET80
    621Кешбэк 93 балла
    FDMS3572MOSFET N-CH 80V 8.8A/22A 8MLP
    623Кешбэк 93 балла
    NTMFS5C410NLT1GMOSFET N-CH 40V 46A/302A 5DFN
    625Кешбэк 93 балла
    FDMS86300DCMOSFET N-CH 80V 24A/76A DLCOOL56
    631Кешбэк 94 балла
    2SK4088LSMOSFET N-CH 650V 7.5A TO220FI
    631Кешбэк 94 балла
    FDPF18N50MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
    641Кешбэк 96 баллов
    FCP850N80ZMOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
    641Кешбэк 96 баллов
    NTMFS5C612NLT3GMOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN
    643Кешбэк 96 баллов
    FQPF8N80CYDTUMOSFET N-CH 800V 8A TO220F-3
    643Кешбэк 96 баллов
    FDPF33N25TMOSFET N-CH 250V 33A TO220F
    645Кешбэк 96 баллов
    FDMS86300MOSFET N-CH 80V 19A/80A 8PQFN
    645Кешбэк 96 баллов
    FDB120N10MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK
    647Кешбэк 97 баллов
    NTB6410ANT4GMOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
    651Кешбэк 97 баллов
    2SK3709MOSFET N-CH 100V 37A TO220ML
    653Кешбэк 97 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные триодные тиристоры
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторные модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Модули триодных тиристоров
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды силовые
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП