Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FDMS86310
  • В избранное
  • В сравнение
FDMS86310

FDMS86310

FDMS86310
;
FDMS86310

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FDMS86310
  • Описание:
    MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFNВсе характеристики

Минимальная цена FDMS86310 при покупке от 1 шт 531.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDMS86310 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDMS86310

FDMS86310 onsemi MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 80В
    • Номинальный ток при низком сопротивлении (ID(on)): 17А
    • Ток при максимальном сопротивлении (ID(max)): 50А
    • Количество пакетов (Pins): 8PQFN
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении (низкий RD(on))
    • Устойчивость к перегрузкам и импульсным нагрузкам
    • Малый размер пакета для компактного дизайна
    • Долгий срок службы из-за высокой надежности
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с обычными MOSFET
    • Необходимо учесть тепловые магистрали и систему охлаждения
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение высоких токов в силовых системах
    • Изоляция сигналов в цифровых и аналоговых цепях
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах управления двигателем
    • Силовых преобразователях и источниках питания
    • Измерительных приборах
    • Мобильных устройствах для зарядки и питания
Выбрано: Показать

Характеристики FDMS86310

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    17A (Ta), 50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    8V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.8mOhm @ 17A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    95 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    6290 pF @ 40 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta), 96W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-PQFN (5x6)
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    FDMS86

Техническая документация

 FDMS86310.pdf
pdf. 0 kb
  • 6053 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    531 ₽
  • 10
    399 ₽
  • 100
    277 ₽
  • 500
    238 ₽
  • 3000
    213 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FDMS86310
  • Описание:
    MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFNВсе характеристики

Минимальная цена FDMS86310 при покупке от 1 шт 531.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDMS86310 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDMS86310

FDMS86310 onsemi MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 80В
    • Номинальный ток при низком сопротивлении (ID(on)): 17А
    • Ток при максимальном сопротивлении (ID(max)): 50А
    • Количество пакетов (Pins): 8PQFN
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении (низкий RD(on))
    • Устойчивость к перегрузкам и импульсным нагрузкам
    • Малый размер пакета для компактного дизайна
    • Долгий срок службы из-за высокой надежности
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с обычными MOSFET
    • Необходимо учесть тепловые магистрали и систему охлаждения
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение высоких токов в силовых системах
    • Изоляция сигналов в цифровых и аналоговых цепях
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах управления двигателем
    • Силовых преобразователях и источниках питания
    • Измерительных приборах
    • Мобильных устройствах для зарядки и питания
Выбрано: Показать

Характеристики FDMS86310

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    17A (Ta), 50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    8V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.8mOhm @ 17A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    95 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    6290 pF @ 40 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta), 96W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-PQFN (5x6)
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    FDMS86

Техническая документация

 FDMS86310.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDS7088N7MOSFET N-CH 30V 23A 8SO
    423Кешбэк 63 балла
    HUF75637S3STMOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
    309Кешбэк 46 баллов
    FCP4N60MOSFET N-CH 600V 3.9A TO220-3
    303Кешбэк 45 баллов
    FDPF44N25TRDTUMOSFET N-CH 250V 44A TO220F
    346Кешбэк 51 балл
    FQI4N90TUPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
    320Кешбэк 48 баллов
    FQPF6N40CFMOSFET N-CH 400V 6A TO220F
    173Кешбэк 25 баллов
    FDAF75N28MOSFET N-CH 280V 46A TO3PF
    669Кешбэк 100 баллов
    HUFA75344P3MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
    219Кешбэк 32 балла
    FQI4N80TUMOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
    283Кешбэк 42 балла
    FQN1N50CBUMOSFET N-CH 500V 380MA TO92-3
    64Кешбэк 9 баллов
    FQP32N12V2MOSFET N-CH 120V 32A TO220-3
    143Кешбэк 21 балл
    HUFA76409D3SMOSFET N-CH 60V 18A TO252AA
    61Кешбэк 9 баллов
    FQU1N50TUMOSFET N-CH 500V 1.1A IPAK
    48Кешбэк 7 баллов
    HUF76013D3SMOSFET N-CH 20V 20A TO252AA
    66Кешбэк 9 баллов
    HUF75321S3SMOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
    116Кешбэк 17 баллов
    FQP7P20MOSFET P-CH 200V 7.3A TO220-3
    173Кешбэк 25 баллов
    FDU6512AMOSFET N-CH 20V 10.7A/36A IPAK
    175Кешбэк 26 баллов
    FQP44N08MOSFET N-CH 80V 44A TO220-3
    178Кешбэк 26 баллов
    FQI3N30TUMOSFET N-CH 300V 3.2A I2PAK
    134Кешбэк 20 баллов
    FDP5N50MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3
    129Кешбэк 19 баллов
    FDAF62N28MOSFET N-CH 280V 36A TO3PF
    539Кешбэк 80 баллов
    HUF75925D3STMOSFET N-CH 200V 11A TO252AA
    97Кешбэк 14 баллов
    HUF75631S3SN CHANNEL ULTRAFET 100V, 33A, 4
    204Кешбэк 30 баллов
    FDS4435AMOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
    292Кешбэк 43 балла
    HUF76645P3MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
    423Кешбэк 63 балла
    FQI10N20CTUMOSFET N-CH 200V 9.5A I2PAK
    108Кешбэк 16 баллов
    HUF75321D3MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
    79Кешбэк 11 баллов
    FQA90N10V2MOSFET N-CH 100V 105A TO3P
    702Кешбэк 105 баллов
    FDPF10N50FTMOSFET N-CH 500V 9A TO220F
    234Кешбэк 35 баллов
    FCU4300N80ZMOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK
    134Кешбэк 20 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - TRIACs
    Принадлежности
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП