Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FDN302P
  • В избранное
  • В сравнение
FDN302P

FDN302P

FDN302P
;
FDN302P

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
  • Артикул:
    FDN302P
  • Описание:
    MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3Все характеристики

Минимальная цена FDN302P при покупке от 1 шт 39.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDN302P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDN302P

FDN302P — это MOSFET (MOS-полупроводниковый транзистор) с положительным каналом (P-CH), выпущенный компанией Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. Этот тип MOSFET предназначен для работы в напряжении до 20В и может передавать ток до 2.4А.

  • Напряжение рабочего поля: 20В
  • Ток при рабочем поле: 2.4А
  • Тип канала: P-CH (положительный канал)
  • Пакет: SUPERSOT3

Плюсы:

  • Высокая надежность и стабильная работа при различных условиях эксплуатации
  • Малый размер и легкость интеграции в разнообразные электронные устройства
  • Высокая скорость включения и выключения

Минусы:

  • Высокие потери энергии при работе в режиме регулирования тока
  • Требуется дополнительное оборудование для защиты от перегрева и перенапряжения
  • Не рекомендуется использовать в высокочастотных приложениях без дополнительных компонентов

Общее назначение: MOSFET FDN302P используется в различных электронных устройствах, где требуется управление током при низком напряжении. Это может включать источники питания, преобразователи напряжения, драйверы двигателей, системы управления мощностью и другие приборы, требующие точного управления током.

Выбрано: Показать

Характеристики FDN302P

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.4A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    55mOhm @ 2.4A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    882 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    500mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    FDN302

Техническая документация

 FDN302P.pdf
pdf. 0 kb
  • 3000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    39 ₽
  • 100
    14.5 ₽
  • 1000
    9.3 ₽
  • 6000
    6.8 ₽
  • 15000
    6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
  • Артикул:
    FDN302P
  • Описание:
    MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3Все характеристики

Минимальная цена FDN302P при покупке от 1 шт 39.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDN302P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDN302P

FDN302P — это MOSFET (MOS-полупроводниковый транзистор) с положительным каналом (P-CH), выпущенный компанией Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. Этот тип MOSFET предназначен для работы в напряжении до 20В и может передавать ток до 2.4А.

  • Напряжение рабочего поля: 20В
  • Ток при рабочем поле: 2.4А
  • Тип канала: P-CH (положительный канал)
  • Пакет: SUPERSOT3

Плюсы:

  • Высокая надежность и стабильная работа при различных условиях эксплуатации
  • Малый размер и легкость интеграции в разнообразные электронные устройства
  • Высокая скорость включения и выключения

Минусы:

  • Высокие потери энергии при работе в режиме регулирования тока
  • Требуется дополнительное оборудование для защиты от перегрева и перенапряжения
  • Не рекомендуется использовать в высокочастотных приложениях без дополнительных компонентов

Общее назначение: MOSFET FDN302P используется в различных электронных устройствах, где требуется управление током при низком напряжении. Это может включать источники питания, преобразователи напряжения, драйверы двигателей, системы управления мощностью и другие приборы, требующие точного управления током.

Выбрано: Показать

Характеристики FDN302P

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.4A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    55mOhm @ 2.4A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    882 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    500mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    FDN302

Техническая документация

 FDN302P.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTMFS4C35NT1GMOSFET N-CH 30V 12.4A 5DFN
    94Кешбэк 14 баллов
    NVTR01P02LT1GMOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
    94Кешбэк 14 баллов
    NTD4970NT4GMOSFET N-CH 30V 8.5A/36A DPAK
    94Кешбэк 14 баллов
    NTMFS4834NT1GMOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN
    94Кешбэк 14 баллов
    NVJS4405NT1GMOSFET N-CH 25V 1A SC88
    94Кешбэк 14 баллов
    NTD4979N-35GMOSFET N-CH 30V 9.4A/41A IPAK
    96Кешбэк 14 баллов
    FDN8601MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3
    96Кешбэк 14 баллов
    NTNS3166NZT5GMOSFET N-CH 20V 0.361A SOT883
    96Кешбэк 14 баллов
    NTNS3A67PZT5GMOSFET P-CH 20V SOT883
    96Кешбэк 14 баллов
    NTMFS4849NT1GMOSFET N-CH 30V 10.2A/71A 5DFN
    98Кешбэк 14 баллов
    NTTFS5C454NLTAGMOSFET N-CH 40V 20A/85A 8WDFN
    98Кешбэк 14 баллов
    NTMFS4839NHT3GMOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN
    98Кешбэк 14 баллов
    NVTFS5124PLWFTAGMOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
    98Кешбэк 14 баллов
    MCH6353-TL-WMOSFET P-CH 12V 6A 6MCPH
    98Кешбэк 14 баллов
    NTMFS4C10NT1GТранзистор: MOSFET N-CH 30V 8.2A 5DFN
    98Кешбэк 14 баллов
    NTMFS4985NFT3GMOSFET N-CH 30V 17.5A/65A 5DFN
    100Кешбэк 15 баллов
    SFT1440-EMOSFET N-CH 600V 1.5A TP
    100Кешбэк 15 баллов
    SFT1440-TL-EMOSFET N-CH 600V 1.5A TP-FA
    100Кешбэк 15 баллов
    ATP201-TL-HMOSFET N-CH 30V 35A ATPAK
    100Кешбэк 15 баллов
    FDD8778MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
    100Кешбэк 15 баллов
    FDMS8333LТранзистор: MOSFET N CH 40V 22A POWER 56
    100Кешбэк 15 баллов
    FDMS8020MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN
    101Кешбэк 15 баллов
    FDPF5N50UTMOSFET N-CH 500V 4A TO220F
    102Кешбэк 15 баллов
    NTJS3151PT2GMOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
    102Кешбэк 15 баллов
    NTMFS4851NT1GMOSFET N-CH 30V 9.5A/66A 5DFN
    104Кешбэк 15 баллов
    NTLUS3A39PZCTAGMOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN
    104Кешбэк 15 баллов
    NTLJS3A18PZTXGMOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN
    104Кешбэк 15 баллов
    NTLJS3A18PZTWGMOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN
    104Кешбэк 15 баллов
    NTMFS4744NT3GMOSFET N-CH 30V 7A 5DFN
    104Кешбэк 15 баллов
    HUF75321D3STТранзистор: MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
    104Кешбэк 15 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные IGBT транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные диоды
    Симисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторные модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диодные мосты
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Модули триодных тиристоров
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Сборки биполярных транзисторов
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Симисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП