Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FDN302P
  • В избранное
  • В сравнение
FDN302P

FDN302P

FDN302P
;
FDN302P

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
  • Артикул:
    FDN302P
  • Описание:
    MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3Все характеристики

Минимальная цена FDN302P при покупке от 1 шт 39.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDN302P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDN302P

FDN302P — это MOSFET (MOS-полупроводниковый транзистор) с положительным каналом (P-CH), выпущенный компанией Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. Этот тип MOSFET предназначен для работы в напряжении до 20В и может передавать ток до 2.4А.

  • Напряжение рабочего поля: 20В
  • Ток при рабочем поле: 2.4А
  • Тип канала: P-CH (положительный канал)
  • Пакет: SUPERSOT3

Плюсы:

  • Высокая надежность и стабильная работа при различных условиях эксплуатации
  • Малый размер и легкость интеграции в разнообразные электронные устройства
  • Высокая скорость включения и выключения

Минусы:

  • Высокие потери энергии при работе в режиме регулирования тока
  • Требуется дополнительное оборудование для защиты от перегрева и перенапряжения
  • Не рекомендуется использовать в высокочастотных приложениях без дополнительных компонентов

Общее назначение: MOSFET FDN302P используется в различных электронных устройствах, где требуется управление током при низком напряжении. Это может включать источники питания, преобразователи напряжения, драйверы двигателей, системы управления мощностью и другие приборы, требующие точного управления током.

Выбрано: Показать

Характеристики FDN302P

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.4A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    55mOhm @ 2.4A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    882 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    500mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    FDN302

Техническая документация

 FDN302P.pdf
pdf. 0 kb
  • 3000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    39 ₽
  • 100
    14.5 ₽
  • 1000
    9.3 ₽
  • 6000
    6.8 ₽
  • 15000
    6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
  • Артикул:
    FDN302P
  • Описание:
    MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3Все характеристики

Минимальная цена FDN302P при покупке от 1 шт 39.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDN302P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDN302P

FDN302P — это MOSFET (MOS-полупроводниковый транзистор) с положительным каналом (P-CH), выпущенный компанией Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. Этот тип MOSFET предназначен для работы в напряжении до 20В и может передавать ток до 2.4А.

  • Напряжение рабочего поля: 20В
  • Ток при рабочем поле: 2.4А
  • Тип канала: P-CH (положительный канал)
  • Пакет: SUPERSOT3

Плюсы:

  • Высокая надежность и стабильная работа при различных условиях эксплуатации
  • Малый размер и легкость интеграции в разнообразные электронные устройства
  • Высокая скорость включения и выключения

Минусы:

  • Высокие потери энергии при работе в режиме регулирования тока
  • Требуется дополнительное оборудование для защиты от перегрева и перенапряжения
  • Не рекомендуется использовать в высокочастотных приложениях без дополнительных компонентов

Общее назначение: MOSFET FDN302P используется в различных электронных устройствах, где требуется управление током при низком напряжении. Это может включать источники питания, преобразователи напряжения, драйверы двигателей, системы управления мощностью и другие приборы, требующие точного управления током.

Выбрано: Показать

Характеристики FDN302P

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.4A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    55mOhm @ 2.4A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    882 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    500mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    FDN302

Техническая документация

 FDN302P.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SIHP28N65EF-GE3MOSFET N-CH 650V 28A TO220AB
    1 109Кешбэк 166 баллов
    IRFP460LCPBFТранзистор: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
    1 115Кешбэк 167 баллов
    SIHH11N65EF-T1-GE3MOSFET N-CH 650V 11A PPAK 8 X 8
    1 163Кешбэк 174 балла
    IRFPC60LCPBFТранзистор: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
    1 166Кешбэк 174 балла
    IRFPC60PBFТранзистор: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
    1 174Кешбэк 176 баллов
    SUM45N25-58-E3MOSFET N-CH 250V 45A TO263
    1 243Кешбэк 186 баллов
    SIHP24N65E-GE3MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
    1 270Кешбэк 190 баллов
    SIHB30N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
    1 301Кешбэк 195 баллов
    SIHG24N65E-GE3MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
    1 306Кешбэк 195 баллов
    SIHG30N60E-GE3Транзистор: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
    1 355Кешбэк 203 балла
    IRFP22N60KPBFMOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
    1 737Кешбэк 260 баллов
    SIHG47N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
    1 738Кешбэк 260 баллов
    SIHG47N60E-E3MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
    1 970Кешбэк 295 баллов
    SIHG73N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC
    2 575Кешбэк 386 баллов
    2N7002EMOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
    19.7Кешбэк 2 балла
    FDN327NТранзистор: MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
    25.6Кешбэк 3 балла
    2N7002KWТранзистор: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70
    25.6Кешбэк 3 балла
    FDN338PMOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
    27.5Кешбэк 4 балла
    FDN336PMOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
    29.5Кешбэк 4 балла
    FDN304PMOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
    31.4Кешбэк 4 балла
    FDN337NMOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
    37Кешбэк 5 баллов
    FDN302PMOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
    39Кешбэк 5 баллов
    FDN306PMOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
    43Кешбэк 6 баллов
    IXFP12N50PMOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
    968Кешбэк 145 баллов
    IXTA3N120MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
    1 795Кешбэк 269 баллов
    IXTQ69N30PMOSFET N-CH 300V 69A TO3P
    2 131Кешбэк 319 баллов
    IXFH16N80PMOSFET N-CH 800V 16A TO247AD
    2 155Кешбэк 323 балла
    IXFH42N60P3MOSFET N-CH 600V 42A TO247AD
    2 207Кешбэк 331 балл
    IXFH170N10PMOSFET N-CH 100V 170A TO247AD
    2 453Кешбэк 367 баллов
    IXTH10P60MOSFET P-CH 600V 10A TO247
    2 582Кешбэк 387 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Симисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды силовые
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы специального назначения
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR - модули
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - IGBT - модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторные модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП