Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FDN306P
  • В избранное
  • В сравнение
FDN306P

FDN306P

FDN306P
;
FDN306P

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
  • Артикул:
    FDN306P
  • Описание:
    MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3Все характеристики

Минимальная цена FDN306P при покупке от 1 шт 41.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDN306P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDN306P

FDN306P Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET P-канальный
    • Рабочее напряжение: 12В
    • Рейтингный ток: 2.6А
    • Пакет: SUPERSOT3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Малый размер и легкость интеграции в различные устройства
    • Низкий коэффициент динамического сопротивления (Rds(on))
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Необходимо соблюдение правил охлаждения при высоких нагрузках
    • Могут быть ограничения по рабочему диапазону температур
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных цепях для управления током
    • Применение в системах питания и преобразователях
    • Интеграция в устройствах с высокими требованиями к эффективности
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы и преобразователи напряжения
    • Системы питания электронных устройств
    • Модули управления двигателем
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики FDN306P

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.6A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    40mOhm @ 2.6A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1138 pF @ 6 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    500mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Техническая документация

 FDN306P.pdf
pdf. 0 kb
  • 1534 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    41 ₽
  • 100
    15.7 ₽
  • 1000
    10.1 ₽
  • 6000
    7.5 ₽
  • 15000
    6.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.
  • Артикул:
    FDN306P
  • Описание:
    MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3Все характеристики

Минимальная цена FDN306P при покупке от 1 шт 41.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDN306P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDN306P

FDN306P Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET P-канальный
    • Рабочее напряжение: 12В
    • Рейтингный ток: 2.6А
    • Пакет: SUPERSOT3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Малый размер и легкость интеграции в различные устройства
    • Низкий коэффициент динамического сопротивления (Rds(on))
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Необходимо соблюдение правил охлаждения при высоких нагрузках
    • Могут быть ограничения по рабочему диапазону температур
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных цепях для управления током
    • Применение в системах питания и преобразователях
    • Интеграция в устройствах с высокими требованиями к эффективности
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы и преобразователи напряжения
    • Системы питания электронных устройств
    • Модули управления двигателем
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики FDN306P

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.6A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    40mOhm @ 2.6A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1138 pF @ 6 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    500mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Техническая документация

 FDN306P.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STF16N50M2MOSFET N-CH 500V 13A TO220
    432Кешбэк 64 балла
    STU13NM60NMOSFET N-CH 600V 11A IPAK
    666Кешбэк 99 баллов
    STF21NM60NDMOSFET N-CH 600V 17A TO220FP
    1 113Кешбэк 166 баллов
    STB55NF06LT4MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
    379Кешбэк 56 баллов
    STB75NF75LT4MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
    531Кешбэк 79 баллов
    STF2HNK60ZТранзистор: MOSFET N-CH 600V 2A TO220FP
    206Кешбэк 30 баллов
    STP13N80K5MOSFET N-CH 800V 12A TO220
    760Кешбэк 114 баллов
    STB60NF06LT4MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
    460Кешбэк 69 баллов
    STD2NC45-1MOSFET N-CH 450V 1.5A IPAK
    304Кешбэк 45 баллов
    STP34NM60NDMOSFET N-CH 600V 29A TO220
    1 156Кешбэк 173 балла
    STF13NM60NDТранзистор: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
    574Кешбэк 86 баллов
    STF11N65M2MOSFET N-CH 650V 7A TO220FP
    441Кешбэк 66 баллов
    STF10LN80K5MOSFET N-CH 800V 8A TO220FP
    689Кешбэк 103 балла
    STP190N55LF3MOSFET N-CH 55V 120A TO220-3
    1 008Кешбэк 151 балл
    STF7N65M2MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP
    400Кешбэк 60 баллов
    STF18N65M2MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
    589Кешбэк 88 баллов
    STP95N4F3MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
    494Кешбэк 74 балла
    STP140NF55MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
    318Кешбэк 47 баллов
    STW18N65M5MOSFET N-CH 650V 15A TO247
    783Кешбэк 117 баллов
    STF10N60M2MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
    343Кешбэк 51 балл
    STF5NK100ZMOSFET N-CH 1000V 3.5A TO220FP
    792Кешбэк 118 баллов
    STP10NM60NDMOSFET N-CH 600V 8A TO220
    482Кешбэк 72 балла
    STB6NK90ZT4MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
    664Кешбэк 99 баллов
    STB14NK60ZT4MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK
    987Кешбэк 148 баллов
    STW72N60DM2AGMOSFET N-CH 600V 66A TO247
    1 422Кешбэк 213 баллов
    STN3N40K3MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223
    156Кешбэк 23 балла
    STW37N60DM2AGMOSFET N-CH 600V 28A TO247
    1 494Кешбэк 224 балла
    STP5N60M2MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220
    205Кешбэк 30 баллов
    STB42N65M5Диод: MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
    1 867Кешбэк 280 баллов
    STP18N65M2MOSFET N-CH 650V 12A TO220
    499Кешбэк 74 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - ВЧ
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы специального назначения
    Симисторы
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторные модули
    Тиристоры - SCR
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП