Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FDN359BN
FDN359BN

FDN359BN

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    UMW
  • Артикул:
    FDN359BN
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3Все характеристики

Минимальная цена FDN359BN при покупке от 1 шт 72.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDN359BN с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FDN359BN

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.7A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    46mOhm @ 2.7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    650 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    500mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    FDN359
Техническая документация
 FDN359BN.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 1288 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    72 ₽
  • 100
    27.7 ₽
  • 1000
    18.3 ₽
  • 6000
    13.8 ₽
  • 15000
    12.2 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    UMW
  • Артикул:
    FDN359BN
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3Все характеристики

Минимальная цена FDN359BN при покупке от 1 шт 72.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDN359BN с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FDN359BN

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.7A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    46mOhm @ 2.7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    650 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    500mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    FDN359
Техническая документация
 FDN359BN.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    HCT7000MMOSFET N-CH 60V 200MA 3SMD
    4 973Кешбэк 745 баллов
    IRF6678MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
    413Кешбэк 61 балл
    SI2319DS-T1-E3Транзистор: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
    219Кешбэк 32 балла
    IRFI9634GPBFТранзистор: MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220-3
    448Кешбэк 67 баллов
    SI3459BDV-T1-GE3MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
    136Кешбэк 20 баллов
    PSMN2R8-40PS,127MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
    684Кешбэк 102 балла
    SIHF15N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 15A TO220
    684Кешбэк 102 балла
    SQS840EN-T1_GE3MOSFET N-CH 40V 12A PPAK1212-8
    192Кешбэк 28 баллов
    SI3474DV-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP
    118Кешбэк 17 баллов
    STL18N65M5MOSFET N-CH 650V 15A POWERFLAT
    587Кешбэк 88 баллов
    FDC655BNMOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
    93Кешбэк 13 баллов
    IPL60R185C7AUMA1MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
    552Кешбэк 82 балла
    IXTT1N450HVMOSFET N-CH 4500V 1A TO268
    8 861Кешбэк 1 329 баллов
    IPP65R125C7XKSA1MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
    767Кешбэк 115 баллов
    STD2N95K5MOSFET N-CH 950V 2A DPAK
    298Кешбэк 44 балла
    DMT6010LSS-13MOSFET N-CH 60V 14A 8SO T&R 2
    254Кешбэк 38 баллов
    STF6N95K5MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP
    201Кешбэк 30 баллов
    IXTX210P10TMOSFET P-CH 100V 210A PLUS247-3
    5 913Кешбэк 886 баллов
    TN0604N3-GMOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3
    274Кешбэк 41 балл
    IRF510STRRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO263
    219Кешбэк 32 балла
    IXFH70N30Q3MOSFET N-CH 300V 70A TO247AD
    2 712Кешбэк 406 баллов
    FQD19N10LTMMOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
    147Кешбэк 22 балла
    IPZ60R040C7XKSA1MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4
    1 908Кешбэк 286 баллов
    SQ1421EDH-T1_GE3MOSFET P-CH 60V 1.6A SC70-6
    95Кешбэк 14 баллов
    IRFH8324TRPBFMOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN
    81Кешбэк 12 баллов
    DMP6023LFG-7Транзистор: MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
    87Кешбэк 13 баллов
    ZVP2106AMOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3
    180Кешбэк 27 баллов
    SIRA14DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8
    161Кешбэк 24 балла
    IRFP22N60KPBFMOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
    1 774Кешбэк 266 баллов
    DMN6075S-7Транзистор: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
    45Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - Модули
    Принадлежности
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Симисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды силовые
    Диоды - мостовые выпрямители
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП