Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FDN359BN
FDN359BN

FDN359BN

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    UMW
  • Артикул:
    FDN359BN
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3Все характеристики

Минимальная цена FDN359BN при покупке от 1 шт 68.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDN359BN с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FDN359BN

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.7A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    46mOhm @ 2.7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    650 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    500mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    FDN359
Техническая документация
 FDN359BN.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 1288 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    68 ₽
  • 100
    26 ₽
  • 1000
    17.2 ₽
  • 6000
    13 ₽
  • 15000
    11.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    UMW
  • Артикул:
    FDN359BN
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3Все характеристики

Минимальная цена FDN359BN при покупке от 1 шт 68.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDN359BN с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FDN359BN

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.7A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    46mOhm @ 2.7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    650 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    500mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    FDN359
Техническая документация
 FDN359BN.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NP160N055TUJ-E1-AY
    487Кешбэк 73 балла
    IRFP4568PBFMOSFET N-CH 150V 171A TO247AC
    900Кешбэк 135 баллов
    IRFS3207ZTRRPBFMOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
    889Кешбэк 133 балла
    IRFRC20PBFMOSFET N-CH 600V 2A DPAK
    133Кешбэк 19 баллов
    CSD17522Q5AMOSFET N-CH 30V 87A 8VSON
    319Кешбэк 47 баллов
    DMP2123L-7MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3
    104Кешбэк 15 баллов
    IXTP20N65XMMOSFET N-CH 650V 9A TO220
    906Кешбэк 135 баллов
    BSC026N04LSATMA1MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
    95Кешбэк 14 баллов
    STL18N65M5MOSFET N-CH 650V 15A POWERFLAT
    661Кешбэк 99 баллов
    FDPF20N50TMOSFET N-CH 500V 20A TO220F
    401Кешбэк 60 баллов
    SIS443DN-T1-GE3MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
    332Кешбэк 49 баллов
    DMG3406L-13MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
    38Кешбэк 5 баллов
    FDMS8320LDCMOSFET N-CH 40V 44A DLCOOL56
    604Кешбэк 90 баллов
    MMBF170Q-7-FMOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
    58Кешбэк 8 баллов
    FDB33N25TMMOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
    471Кешбэк 70 баллов
    IRF7421D1TRPBFMOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO
    102Кешбэк 15 баллов
    FDMS8333LТранзистор: MOSFET N CH 40V 22A POWER 56
    91Кешбэк 13 баллов
    IPB80N06S2H5ATMA2MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
    684Кешбэк 102 балла
    FDD6776AMOSFET N-CH 25V 17.7A/30A DPAK
    173Кешбэк 25 баллов
    FDZ202PMOSFET P-CH 20V 5.5A 12BGA
    78Кешбэк 11 баллов
    IPL65R650C6SATMA1MOSFET N-CH 650V 6.7A THIN-PAK
    374Кешбэк 56 баллов
    NTMFS4121NT1GMOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
    100Кешбэк 15 баллов
    SI5441BDC-T1-E3MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
    148Кешбэк 22 балла
    PMPB47XP,115MOSFET P-CH 30V 4A DFN2020MD-6
    113Кешбэк 16 баллов
    STP23NM50NMOSFET N-CH 500V 17A TO220-3
    918Кешбэк 137 баллов
    3LN01M-TL-EMOSFET N-CH 30V 150MA SC70/MCPH3
    22Кешбэк 3 балла
    FQA34N25MOSFET N-CH 250V 34A TO3P
    463Кешбэк 69 баллов
    ZXM62P02E6TAMOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
    206Кешбэк 30 баллов
    STD100N10F7MOSFET N CH 100V 80A DPAK
    386Кешбэк 57 баллов
    SI5468DC-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
    111Кешбэк 16 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности
    Симисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Симисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП