Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FDN360P
  • В избранное
  • В сравнение
FDN360P

FDN360P

FDN360P
;
FDN360P

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    UMW
  • Артикул:
    FDN360P
  • Описание:
    MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3Все характеристики

Минимальная цена FDN360P при покупке от 1 шт 95.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDN360P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDN360P

FDN360P UMW MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 30 В
    • Номинальный ток (ID(on)): 2 А
    • Тип: P-канальный MOSFET
    • Форм-фактор: SUPERSOT3
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе с низким напряжением
    • Малый размер и легкий вес
    • Хорошая термическая стабильность
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Средняя надежность по сравнению с более дорогими вариантами
    • Не подходит для высоковольтных приложений
  • Общее назначение: Используется в различных электронных устройствах, где требуется управление током с помощью MOSFET.
  • Применение:
    • В электропитании устройств
    • В системах управления нагрузками
    • В преобразователях напряжения
    • В цифровых и аналоговых электрониках
Выбрано: Показать

Характеристики FDN360P

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    80mOhm @ 2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    298 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    500mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Техническая документация

 FDN360P.pdf
pdf. 0 kb
  • 11254 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    95 ₽
  • 100
    37 ₽
  • 1000
    24.6 ₽
  • 6000
    19 ₽
  • 15000
    17 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    UMW
  • Артикул:
    FDN360P
  • Описание:
    MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3Все характеристики

Минимальная цена FDN360P при покупке от 1 шт 95.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDN360P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDN360P

FDN360P UMW MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 30 В
    • Номинальный ток (ID(on)): 2 А
    • Тип: P-канальный MOSFET
    • Форм-фактор: SUPERSOT3
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе с низким напряжением
    • Малый размер и легкий вес
    • Хорошая термическая стабильность
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Средняя надежность по сравнению с более дорогими вариантами
    • Не подходит для высоковольтных приложений
  • Общее назначение: Используется в различных электронных устройствах, где требуется управление током с помощью MOSFET.
  • Применение:
    • В электропитании устройств
    • В системах управления нагрузками
    • В преобразователях напряжения
    • В цифровых и аналоговых электрониках
Выбрано: Показать

Характеристики FDN360P

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    80mOhm @ 2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    298 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    500mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Техническая документация

 FDN360P.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDMC8010ET30MOSFET N-CH 30V 30A/174A POWER33
    196Кешбэк 29 баллов
    FDMS8670SMOSFET N-CH 30V 20A/42A 8PQFN
    203Кешбэк 30 баллов
    FDPF10N60NZMOSFET N-CH 600V 10A TO220F
    407Кешбэк 61 балл
    2N7002Транзистор: MOSFET N-CHANNEL 60V 115MA SOT23
    19Кешбэк 2 балла
    FDN335NТранзистор: MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
    57Кешбэк 8 баллов
    FDN361BNMOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3
    70Кешбэк 10 баллов
    FDN308PMOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
    70Кешбэк 10 баллов
    FDN339ANMOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
    70Кешбэк 10 баллов
    FDN359ANMOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
    70Кешбэк 10 баллов
    FDN352APMOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
    70Кешбэк 10 баллов
    FDN358PMOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
    70Кешбэк 10 баллов
    FDN359BNMOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
    70Кешбэк 10 баллов
    FDN360PMOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
    95Кешбэк 14 баллов
    FDT3612MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
    116Кешбэк 17 баллов
    FDD6685POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
    135Кешбэк 20 баллов
    FDS4435BZMOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
    144Кешбэк 21 балл
    NDT3055LMOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
    144Кешбэк 21 балл
    HUF76609D3MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
    154Кешбэк 23 балла
    FDD8874POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
    154Кешбэк 23 балла
    AO4405MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
    160Кешбэк 24 балла
    AO4466MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
    163Кешбэк 24 балла
    FDD6680ASMOSFET N-CH 30V 55A TO252
    163Кешбэк 24 балла
    NTD4860NT4GMOSFET N-CH 25V 10.4A/65A DPAK
    163Кешбэк 24 балла
    FDD8796POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
    173Кешбэк 25 баллов
    FDD8780POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
    173Кешбэк 25 баллов
    FDD6796AMOSFET N-CH 25V 20A/40A TO252
    180Кешбэк 27 баллов
    FDD7030BLMOSFET N-CH 30V 14A/56A DPAK
    180Кешбэк 27 баллов
    FDD8586MOSFET N-CH 20V 35A TO252AA
    180Кешбэк 27 баллов
    FDD6776AMOSFET N-CH 25V 17.7A/30A DPAK
    180Кешбэк 27 баллов
    FDD4141MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAK
    190Кешбэк 28 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды силовые
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные диоды
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - TRIACs
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные триодные тиристоры
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - массивы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторные модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП