Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
FDP020N06B-F102
  • В избранное
  • В сравнение
FDP020N06B-F102

FDP020N06B-F102

FDP020N06B-F102
;
FDP020N06B-F102

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FDP020N06B-F102
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена FDP020N06B-F102 при покупке от 1 шт 924.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDP020N06B-F102 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDP020N06B-F102

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Маркировка: FDP020N06B-F102
      • Производитель: ON Semiconductor
      • Тип: MOSFET N-канальный
      • Номинальное напряжение: 60В
      • Номинальный ток: 120А
      • Контактная схема: TO220-3
    • Плюсы:
      • Высокая проводимость при низком напряжении включенного состояния
      • Малые потери энергии при работе
      • Устойчивость к перегреву
      • Легкость управления
    • Минусы:
      • Необходимо соблюдать ограничения по температуре
      • Требуется дополнительное охлаждение для больших токов
      • Стоимость может быть выше, чем у других типов транзисторов
    • Общее назначение:
      • Использование в электронных устройствах, требующих высоких токов и напряжений
      • Управление электрическими цепями
      • Переключение нагрузок
    • Применение:
      • Автомобильная электроника
      • Энергоэффективное оборудование
      • Промышленные системы управления
      • Питание серверных систем
Выбрано: Показать

Характеристики FDP020N06B-F102

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    120A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2mOhm @ 100A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    268 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    20930 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    333W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    FDP020

Техническая документация

 FDP020N06B-F102.pdf
pdf. 0 kb
  • 1542 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    924 ₽
  • 50
    551 ₽
  • 100
    544 ₽
  • 500
    503 ₽
  • 1000
    502 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FDP020N06B-F102
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена FDP020N06B-F102 при покупке от 1 шт 924.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDP020N06B-F102 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDP020N06B-F102

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Маркировка: FDP020N06B-F102
      • Производитель: ON Semiconductor
      • Тип: MOSFET N-канальный
      • Номинальное напряжение: 60В
      • Номинальный ток: 120А
      • Контактная схема: TO220-3
    • Плюсы:
      • Высокая проводимость при низком напряжении включенного состояния
      • Малые потери энергии при работе
      • Устойчивость к перегреву
      • Легкость управления
    • Минусы:
      • Необходимо соблюдать ограничения по температуре
      • Требуется дополнительное охлаждение для больших токов
      • Стоимость может быть выше, чем у других типов транзисторов
    • Общее назначение:
      • Использование в электронных устройствах, требующих высоких токов и напряжений
      • Управление электрическими цепями
      • Переключение нагрузок
    • Применение:
      • Автомобильная электроника
      • Энергоэффективное оборудование
      • Промышленные системы управления
      • Питание серверных систем
Выбрано: Показать

Характеристики FDP020N06B-F102

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    120A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2mOhm @ 100A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    268 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    20930 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    333W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    FDP020

Техническая документация

 FDP020N06B-F102.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDP023N08B-F102MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
    863Кешбэк 129 баллов
    NTP095N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    865Кешбэк 129 баллов
    FDWS86068-F085MOSFET N-CH 100V 80A 8DFN
    866Кешбэк 129 баллов
    NVMFS5C612NLWFAFT1GMOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN
    884Кешбэк 132 балла
    NTMFS08N004CMOSFET N-CH 80V 126A 8PQFN
    885Кешбэк 132 балла
    NVMFWS3D6N10MCLT1GPTNG 100V LL NCH SO-8FL WETTABLE
    886Кешбэк 132 балла
    NTPF082N65S3FMOSFET N-CH 650V 40A TO220F
    891Кешбэк 133 балла
    NVMFS6H800NWFT1GMOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN
    897Кешбэк 134 балла
    FCP165N65S3MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
    901Кешбэк 135 баллов
    NTMFSC4D2N10MCMOSFET N-CH 100V 29.6A/116A 8DFN
    903Кешбэк 135 баллов
    FDBL86363-F085MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF
    918Кешбэк 137 баллов
    NTMTS0D7N06CTXGMOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW
    922Кешбэк 138 баллов
    NVB190N65S3FMOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
    924Кешбэк 138 баллов
    NTMTS0D7N06CLTXGMOSFET N-CH 60V 62.2A/477A 8DFNW
    924Кешбэк 138 баллов
    FDP020N06B-F102MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
    924Кешбэк 138 баллов
    FDP4D5N10CMOSFET N-CH 100V 128A TO220-3
    926Кешбэк 138 баллов
    NTMFS7D8N10GTWGN-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
    929Кешбэк 139 баллов
    FDPF8D5N10CMOSFET N-CH 100V 76A TO220F
    936Кешбэк 140 баллов
    2SK1461N-CHANNEL POWER MOSFET
    936Кешбэк 140 баллов
    NTD5C648NLT4GMOSFET N-CH 60V 22A/91A DPAK
    938Кешбэк 140 баллов
    FCPF400N80ZL1-F154MOSFET N-CH 800V 11A TO220F-3
    938Кешбэк 140 баллов
    NVMFS5C410NWFAFT1GMOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
    945Кешбэк 141 балл
    FCP125N65S3MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
    951Кешбэк 142 балла
    NTPF125N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    956Кешбэк 143 балла
    NTP067N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    957Кешбэк 143 балла
    NVMFS5C404NLAFT1GMOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
    967Кешбэк 145 баллов
    FDMS4D0N12CMOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
    968Кешбэк 145 баллов
    FCP165N65S3R0MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
    968Кешбэк 145 баллов
    NTP082N65S3HFMOSFET N-CH 650V 40A TO220-3
    970Кешбэк 145 баллов
    FCB125N65S3MOSFET N-CH 650V 24A TO263
    972Кешбэк 145 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    IGBT транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Сборки биполярных транзисторов
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Модули триодных тиристоров
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Симисторы - Модули
    Симисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды силовые
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторные модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Высокочастотные диоды
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП