Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FDP038AN06A0
  • В избранное
  • В сравнение
FDP038AN06A0

FDP038AN06A0

FDP038AN06A0
;
FDP038AN06A0

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    FDP038AN06A0
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 17A/80A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена FDP038AN06A0 при покупке от 1 шт 689.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDP038AN06A0 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDP038AN06A0

FDP038AN06A0 onsemi / Fairchild MOSFET N-CH 60V 17A/80A TO220-3

  • Основные параметры:
    • Напряжение на дrain-source (VDS(on)) при ID=17A: 60В
    • Размер тока (ID): 17А при VDS(on)=4В, 80А при VDS(on)=6В
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Комплектация: TO220-3
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Малый ток утечки
    • Быстрое переключение
    • Термическая стабильность
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высокой нагрузке
    • Могут возникать проблемы с шумами при работе в высокочастотном режиме
  • Общее назначение:
    • Использование в системах управления мощностью
    • Переключение высоковольтных цепей
    • Применение в преобразователях напряжения
    • Управление двигателем постоянного тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Электроприборы
    • Системы управления энергопотреблением
Выбрано: Показать

Характеристики FDP038AN06A0

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    17A (Ta), 80A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.8mOhm @ 80A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    124 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    6400 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    310W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    FDP038

Техническая документация

 FDP038AN06A0.pdf
pdf. 0 kb
  • 44 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    689 ₽
  • 3
    587 ₽
  • 10
    514 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    FDP038AN06A0
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 17A/80A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена FDP038AN06A0 при покупке от 1 шт 689.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDP038AN06A0 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDP038AN06A0

FDP038AN06A0 onsemi / Fairchild MOSFET N-CH 60V 17A/80A TO220-3

  • Основные параметры:
    • Напряжение на дrain-source (VDS(on)) при ID=17A: 60В
    • Размер тока (ID): 17А при VDS(on)=4В, 80А при VDS(on)=6В
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Комплектация: TO220-3
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Малый ток утечки
    • Быстрое переключение
    • Термическая стабильность
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высокой нагрузке
    • Могут возникать проблемы с шумами при работе в высокочастотном режиме
  • Общее назначение:
    • Использование в системах управления мощностью
    • Переключение высоковольтных цепей
    • Применение в преобразователях напряжения
    • Управление двигателем постоянного тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Электроприборы
    • Системы управления энергопотреблением
Выбрано: Показать

Характеристики FDP038AN06A0

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    17A (Ta), 80A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.8mOhm @ 80A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    124 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    6400 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    310W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    FDP038

Техническая документация

 FDP038AN06A0.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NDP6060LMOSFET N-CH 60V 48A TO220-3
    603Кешбэк 90 баллов
    NTMFS5C604NLT1GMOSFET N-CH 60V 38A 5DFN
    605Кешбэк 90 баллов
    FDA24N40FMOSFET N-CH 400V 23A TO3PN
    608Кешбэк 91 балл
    HUF75639S3STMOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
    612Кешбэк 91 балл
    FDB15N50MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK
    620Кешбэк 93 балла
    FDP18N50MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
    622Кешбэк 93 балла
    FDA24N50FMOSFET N-CH 500V 24A TO3PN
    664Кешбэк 99 баллов
    FDP038AN06A0MOSFET N-CH 60V 17A/80A TO220-3
    689Кешбэк 103 балла
    HUF75344P3Транзистор: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
    693Кешбэк 103 балла
    FCPF400N80ZMOSFET N-CH 800V 11A TO220F
    703Кешбэк 105 баллов
    FQB47P06TM_AM002MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK
    714Кешбэк 107 баллов
    FDB5800MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
    718Кешбэк 107 баллов
    FCP11N60MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
    722Кешбэк 108 баллов
    FDP075N15A_F102MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
    730Кешбэк 109 баллов
    FDA69N25Транзистор: MOSFET N-CH 250V 69A TO3PN
    730Кешбэк 109 баллов
    FQPF47P06MOSFET P-CH 60V 30A TO220F
    749Кешбэк 112 баллов
    FDPF18N50TMOSFET N-CH 500V 18A TO220F
    753Кешбэк 112 баллов
    FDPF20N50FTMOSFET N-CH 500V 20A TO220F
    772Кешбэк 115 баллов
    FDP047AN08A0MOSFET N-CH 75V 15A TO220-3
    786Кешбэк 117 баллов
    FDB2532Транзистор: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK
    795Кешбэк 119 баллов
    FDP2532MOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3
    795Кешбэк 119 баллов
    FDP22N50NMOSFET N-CH 500V 22A TO220-3
    849Кешбэк 127 баллов
    FDB2710MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
    855Кешбэк 128 баллов
    HUF75344G3MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
    861Кешбэк 129 баллов
    FQA36P15MOSFET P-CH 150V 36A TO3PN
    895Кешбэк 134 балла
    FCP20N60MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3
    911Кешбэк 136 баллов
    FDA59N30Транзистор: MOSFET N-CH 300V 59A TO3PN
    930Кешбэк 139 баллов
    FDB035AN06A0MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK
    980Кешбэк 147 баллов
    FCPF20N60MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
    1 067Кешбэк 160 баллов
    FCB20N60FTMMOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
    1 072Кешбэк 160 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные триодные тиристоры
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диодные мосты
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды силовые
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы специального назначения
    Диоды - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные диоды
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторные модули
    Симисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП