Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FDP18N50
  • В избранное
  • В сравнение
FDP18N50

FDP18N50

FDP18N50
;
FDP18N50

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    FDP18N50
  • Описание:
    MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена FDP18N50 при покупке от 1 шт 641.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDP18N50 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDP18N50

FDP18N50 ON SEMICONDUCTOR MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (MOSFET)
    • Тип поля: N-канальный (N-Channel)
    • Рейтинг напряжения: 500 В
    • Рейтинг тока: 18 А
    • Форм-фактор: TO220-3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое сопротивление в проводимом состоянии
    • Малый тепловыделение при работе
    • Простота в использовании и монтаже
  • Минусы:
    • Требует использования дополнительных компонентов для защиты от скачков напряжения и перегрузки
    • Не подходит для высокочастотных применений без использования дополнительного контура обратной связи
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Оборудование для управления нагрузками
    • Применение в системах управления движением
    • Встраивание в различные электронные устройства
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Системы управления двигателем
    • Электронные устройства бытовой техники
    • Источники питания для компьютеров и серверов
Выбрано: Показать

Характеристики FDP18N50

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    18A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    265mOhm @ 9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    60 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2860 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    235W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    FDP18

Техническая документация

 FDP18N50.pdf
pdf. 0 kb
  • 44 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    641 ₽
  • 3
    523 ₽
  • 10
    430 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    FDP18N50
  • Описание:
    MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена FDP18N50 при покупке от 1 шт 641.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDP18N50 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDP18N50

FDP18N50 ON SEMICONDUCTOR MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (MOSFET)
    • Тип поля: N-канальный (N-Channel)
    • Рейтинг напряжения: 500 В
    • Рейтинг тока: 18 А
    • Форм-фактор: TO220-3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое сопротивление в проводимом состоянии
    • Малый тепловыделение при работе
    • Простота в использовании и монтаже
  • Минусы:
    • Требует использования дополнительных компонентов для защиты от скачков напряжения и перегрузки
    • Не подходит для высокочастотных применений без использования дополнительного контура обратной связи
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Оборудование для управления нагрузками
    • Применение в системах управления движением
    • Встраивание в различные электронные устройства
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Системы управления двигателем
    • Электронные устройства бытовой техники
    • Источники питания для компьютеров и серверов
Выбрано: Показать

Характеристики FDP18N50

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    18A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    265mOhm @ 9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    60 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2860 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    235W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    FDP18

Техническая документация

 FDP18N50.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTMFS4835NT3GMOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN
    124Кешбэк 18 баллов
    FDD6635MOSFET N-CH 35V 15A/59A DPAK
    124Кешбэк 18 баллов
    NTMFS4707NT1GMOSFET N-CH 30V 6.9A 5DFN
    124Кешбэк 18 баллов
    NTMFS4935NBT1GMOSFET N-CH 30V 13A/93A 5DFN
    124Кешбэк 18 баллов
    ATP206-TL-HMOSFET N-CH 40V 40A ATPAK
    124Кешбэк 18 баллов
    FDPF5N50NZUMOSFET N-CH 500V 3.9A TO220F
    124Кешбэк 18 баллов
    FQP6N40CFMOSFET N-CH 400V 6A TO220-3
    124Кешбэк 18 баллов
    NTLUS3C18PZTAGMOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
    124Кешбэк 18 баллов
    NTMFS4935NT3GMOSFET N-CH 30V 13A/93A 5DFN
    126Кешбэк 18 баллов
    NTMFS4120NT1GMOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
    126Кешбэк 18 баллов
    MCH3375-TL-WMOSFET P-CH 30V 1.6A SC70
    126Кешбэк 18 баллов
    NTB65N02RT4GMOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK
    126Кешбэк 18 баллов
    NTD6600N-1GMOSFET N-CH 100V 12A IPAK
    126Кешбэк 18 баллов
    FDY101PZMOSFET P-CH 20V 150MA SC89-3
    128Кешбэк 19 баллов
    CPH6350-TL-WMOSFET P-CH 30V 6A 6CPH
    129Кешбэк 19 баллов
    EFC4612R-S-TRТранзистор: MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
    130Кешбэк 19 баллов
    NTMFS4946NT1GMOSFET N-CH 30V 12.7A/100A 5DFN
    130Кешбэк 19 баллов
    NTMFS5C442NLT1GMOSFET N-CH 40V 27A/130A 5DFN
    130Кешбэк 19 баллов
    NVR4501NT1GMOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
    131Кешбэк 19 баллов
    NVR5198NLT3GMOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
    132Кешбэк 19 баллов
    NTTFS4C10NTAGMOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN
    132Кешбэк 19 баллов
    FDD3682MOSFET N-CH 100V 5.5/32A TO252AA
    133Кешбэк 19 баллов
    NTLJS4114NTAGMOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
    134Кешбэк 20 баллов
    NTD4854NT4GMOSFET N-CH 25V 15.7A/128A DPAK
    134Кешбэк 20 баллов
    NTD4302GMOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
    134Кешбэк 20 баллов
    FQD6N50CTMMOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
    134Кешбэк 20 баллов
    NTD4854N-35GMOSFET N-CH 25V 15.7A/128A IPAK
    134Кешбэк 20 баллов
    NTMFS5C460NLT3GMOSFET N-CH 40V 5DFN
    134Кешбэк 20 баллов
    NTD4854N-1GMOSFET N-CH 25V 15.7A/128A IPAK
    134Кешбэк 20 баллов
    FDPF680N10TMOSFET N-CH 100V 12A TO220F
    135Кешбэк 20 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторные модули
    Варикапы и Варакторы
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR - модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диодные мосты
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы специального назначения
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные биполярные транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Модули драйверов питания
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП