Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FDP2572
  • В избранное
  • В сравнение
FDP2572

FDP2572

FDP2572
;
FDP2572

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FDP2572
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена FDP2572 при покупке от 1 шт 574.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDP2572 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDP2572

FDP2572 onsemi / Fairchild Транзистор: MOSFET N-ЧИНИТ 150В 4А/29А TO220-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение между дреном и сгущением (VDS(on)) - 150В
    • Номинальный ток дренов-сгущения (ID) - 4А
    • Максимальный ток дренов-сгущения (ID(max)) - 29А
    • Коэффициент сопротивления при переходе от настроя на прямой ток (RDS(on)) - до 15 мО
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме настроя
    • Низкое значение коэффициента сопротивления
    • Устойчивость к перегреву
    • Универсальность применения
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению из-за возможного высокого тепловыделения
    • Могут потребоваться дополнительные компоненты для управления
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения и тока в электронных схемах
    • Переключение нагрузок в источниках питания
    • Защита электронных устройств от перегрузок и скачков напряжения
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Источники питания
    • Системы управления двигателей
    • Оборудование для промышленности
Выбрано: Показать

Характеристики FDP2572

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    150 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4A (Ta), 29A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    54mOhm @ 9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    34 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1770 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    135W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    FDP25

Техническая документация

 FDP2572.pdf
pdf. 0 kb
  • 1543 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    574 ₽
  • 50
    286 ₽
  • 100
    258 ₽
  • 500
    209 ₽
  • 1000
    193 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FDP2572
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена FDP2572 при покупке от 1 шт 574.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDP2572 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDP2572

FDP2572 onsemi / Fairchild Транзистор: MOSFET N-ЧИНИТ 150В 4А/29А TO220-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение между дреном и сгущением (VDS(on)) - 150В
    • Номинальный ток дренов-сгущения (ID) - 4А
    • Максимальный ток дренов-сгущения (ID(max)) - 29А
    • Коэффициент сопротивления при переходе от настроя на прямой ток (RDS(on)) - до 15 мО
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме настроя
    • Низкое значение коэффициента сопротивления
    • Устойчивость к перегреву
    • Универсальность применения
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению из-за возможного высокого тепловыделения
    • Могут потребоваться дополнительные компоненты для управления
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения и тока в электронных схемах
    • Переключение нагрузок в источниках питания
    • Защита электронных устройств от перегрузок и скачков напряжения
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Источники питания
    • Системы управления двигателей
    • Оборудование для промышленности
Выбрано: Показать

Характеристики FDP2572

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    150 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4A (Ta), 29A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    54mOhm @ 9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    34 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1770 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    135W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    FDP25

Техническая документация

 FDP2572.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STF16N50M2MOSFET N-CH 500V 13A TO220
    432Кешбэк 64 балла
    STU13NM60NMOSFET N-CH 600V 11A IPAK
    666Кешбэк 99 баллов
    STF21NM60NDMOSFET N-CH 600V 17A TO220FP
    1 113Кешбэк 166 баллов
    STB55NF06LT4MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
    379Кешбэк 56 баллов
    STB75NF75LT4MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
    531Кешбэк 79 баллов
    STF2HNK60ZТранзистор: MOSFET N-CH 600V 2A TO220FP
    206Кешбэк 30 баллов
    STP13N80K5MOSFET N-CH 800V 12A TO220
    760Кешбэк 114 баллов
    STB60NF06LT4MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
    460Кешбэк 69 баллов
    STD2NC45-1MOSFET N-CH 450V 1.5A IPAK
    304Кешбэк 45 баллов
    STP34NM60NDMOSFET N-CH 600V 29A TO220
    1 156Кешбэк 173 балла
    STF13NM60NDТранзистор: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
    574Кешбэк 86 баллов
    STF11N65M2MOSFET N-CH 650V 7A TO220FP
    441Кешбэк 66 баллов
    STF10LN80K5MOSFET N-CH 800V 8A TO220FP
    689Кешбэк 103 балла
    STP190N55LF3MOSFET N-CH 55V 120A TO220-3
    1 008Кешбэк 151 балл
    STF7N65M2MOSFET N-CH 650V 5A TO220FP
    400Кешбэк 60 баллов
    STF18N65M2MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
    589Кешбэк 88 баллов
    STP95N4F3MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
    494Кешбэк 74 балла
    STP140NF55MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
    318Кешбэк 47 баллов
    STW18N65M5MOSFET N-CH 650V 15A TO247
    783Кешбэк 117 баллов
    STF10N60M2MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
    343Кешбэк 51 балл
    STF5NK100ZMOSFET N-CH 1000V 3.5A TO220FP
    792Кешбэк 118 баллов
    STP10NM60NDMOSFET N-CH 600V 8A TO220
    482Кешбэк 72 балла
    STB6NK90ZT4MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
    664Кешбэк 99 баллов
    STB14NK60ZT4MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK
    987Кешбэк 148 баллов
    STW72N60DM2AGMOSFET N-CH 600V 66A TO247
    1 422Кешбэк 213 баллов
    STN3N40K3MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223
    156Кешбэк 23 балла
    STW37N60DM2AGMOSFET N-CH 600V 28A TO247
    1 494Кешбэк 224 балла
    STP5N60M2MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220
    205Кешбэк 30 баллов
    STB42N65M5Диод: MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
    1 867Кешбэк 280 баллов
    STP18N65M2MOSFET N-CH 650V 12A TO220
    499Кешбэк 74 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Сборки биполярных транзисторов
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диодные мосты
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - JFET
    Симисторы
    Диоды силовые
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Модули триодных тиристоров
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторные модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные диоды
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП