Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
FDPF8D5N10C
  • В избранное
  • В сравнение
FDPF8D5N10C

FDPF8D5N10C

FDPF8D5N10C
;
FDPF8D5N10C

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FDPF8D5N10C
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 76A TO220FВсе характеристики

Минимальная цена FDPF8D5N10C при покупке от 1 шт 936.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDPF8D5N10C с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDPF8D5N10C

Размеры и описание:

  • Маркировка FDPF8D5N10C: Модель MOSFET от производителя ON Semiconductor.

  • Тип: N-канальный MOSFET.

  • Номинальное напряжение: 100В.

  • Номинальная токовая способность: 76А.

  • Форм-фактор: TO220F.

Основные параметры:

  • VGS(th): Напряжение включения, обычно около 4В.

  • RDS(on): Сопротивление канала при проводимости, зависит от напряжения и тока.

  • Ciss: Внутренний емкость.

  • Tj(max): Температурный диапазон работы, до 175°C.

Плюсы:

  • Высокая проводимость: Возможность передачи больших токов с низким сопротивлением.

  • Низкое энергетическое затухание: Эффективное использование энергии.

  • Быстрый включение/выключение: Кратковременные транзитные процессы.

  • Компактный размер: TO220F форм-фактор обеспечивает надежную работу.

Минусы:

  • Уязвимость к электрическому шуму: Может быть чувствителен к импульсным воздействиям.

  • Тепловые ограничения: При работе под нагрузкой может нагреваться.

  • Сложность проектирования: Необходимо правильно подобрать защитные элементы и управляющие цепи.

Общее назначение:

  • Для регулирования напряжений в электронных устройствах.

  • Использование в источниках питания, преобразователях напряжения.

  • Применяется в системах управления двигателей.

  • Используется в силовых трансформаторах.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильных системах.

  • Электроприборах.

  • Устройствах для управления двигателем.

  • Источниках питания для компьютеров и серверов.

  • Преобразователях напряжения для бытовой техники.

Выбрано: Показать

Характеристики FDPF8D5N10C

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    76A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.5mOhm @ 76A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 130µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    34 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2475 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.4W (Ta), 35W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220F-3
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    FDPF8

Техническая документация

 FDPF8D5N10C.pdf
pdf. 0 kb
  • 667 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    936 ₽
  • 10
    621 ₽
  • 100
    443 ₽
  • 500
    367 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FDPF8D5N10C
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 76A TO220FВсе характеристики

Минимальная цена FDPF8D5N10C при покупке от 1 шт 936.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDPF8D5N10C с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDPF8D5N10C

Размеры и описание:

  • Маркировка FDPF8D5N10C: Модель MOSFET от производителя ON Semiconductor.

  • Тип: N-канальный MOSFET.

  • Номинальное напряжение: 100В.

  • Номинальная токовая способность: 76А.

  • Форм-фактор: TO220F.

Основные параметры:

  • VGS(th): Напряжение включения, обычно около 4В.

  • RDS(on): Сопротивление канала при проводимости, зависит от напряжения и тока.

  • Ciss: Внутренний емкость.

  • Tj(max): Температурный диапазон работы, до 175°C.

Плюсы:

  • Высокая проводимость: Возможность передачи больших токов с низким сопротивлением.

  • Низкое энергетическое затухание: Эффективное использование энергии.

  • Быстрый включение/выключение: Кратковременные транзитные процессы.

  • Компактный размер: TO220F форм-фактор обеспечивает надежную работу.

Минусы:

  • Уязвимость к электрическому шуму: Может быть чувствителен к импульсным воздействиям.

  • Тепловые ограничения: При работе под нагрузкой может нагреваться.

  • Сложность проектирования: Необходимо правильно подобрать защитные элементы и управляющие цепи.

Общее назначение:

  • Для регулирования напряжений в электронных устройствах.

  • Использование в источниках питания, преобразователях напряжения.

  • Применяется в системах управления двигателей.

  • Используется в силовых трансформаторах.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильных системах.

  • Электроприборах.

  • Устройствах для управления двигателем.

  • Источниках питания для компьютеров и серверов.

  • Преобразователях напряжения для бытовой техники.

Выбрано: Показать

Характеристики FDPF8D5N10C

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    76A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.5mOhm @ 76A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 130µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    34 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2475 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.4W (Ta), 35W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220F-3
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    FDPF8

Техническая документация

 FDPF8D5N10C.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDP023N08B-F102MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
    863Кешбэк 129 баллов
    NTP095N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    865Кешбэк 129 баллов
    FDWS86068-F085MOSFET N-CH 100V 80A 8DFN
    866Кешбэк 129 баллов
    NVMFS5C612NLWFAFT1GMOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN
    884Кешбэк 132 балла
    NTMFS08N004CMOSFET N-CH 80V 126A 8PQFN
    885Кешбэк 132 балла
    NVMFWS3D6N10MCLT1GPTNG 100V LL NCH SO-8FL WETTABLE
    886Кешбэк 132 балла
    NTPF082N65S3FMOSFET N-CH 650V 40A TO220F
    891Кешбэк 133 балла
    NVMFS6H800NWFT1GMOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN
    897Кешбэк 134 балла
    FCP165N65S3MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
    901Кешбэк 135 баллов
    NTMFSC4D2N10MCMOSFET N-CH 100V 29.6A/116A 8DFN
    903Кешбэк 135 баллов
    FDBL86363-F085MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF
    918Кешбэк 137 баллов
    NTMTS0D7N06CTXGMOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW
    922Кешбэк 138 баллов
    NVB190N65S3FMOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
    924Кешбэк 138 баллов
    NTMTS0D7N06CLTXGMOSFET N-CH 60V 62.2A/477A 8DFNW
    924Кешбэк 138 баллов
    FDP020N06B-F102MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
    924Кешбэк 138 баллов
    FDP4D5N10CMOSFET N-CH 100V 128A TO220-3
    926Кешбэк 138 баллов
    NTMFS7D8N10GTWGN-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
    929Кешбэк 139 баллов
    FDPF8D5N10CMOSFET N-CH 100V 76A TO220F
    936Кешбэк 140 баллов
    2SK1461N-CHANNEL POWER MOSFET
    936Кешбэк 140 баллов
    NTD5C648NLT4GMOSFET N-CH 60V 22A/91A DPAK
    938Кешбэк 140 баллов
    FCPF400N80ZL1-F154MOSFET N-CH 800V 11A TO220F-3
    938Кешбэк 140 баллов
    NVMFS5C410NWFAFT1GMOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
    945Кешбэк 141 балл
    FCP125N65S3MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
    951Кешбэк 142 балла
    NTPF125N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    956Кешбэк 143 балла
    NTP067N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    957Кешбэк 143 балла
    NVMFS5C404NLAFT1GMOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
    967Кешбэк 145 баллов
    FDMS4D0N12CMOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
    968Кешбэк 145 баллов
    FCP165N65S3R0MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
    968Кешбэк 145 баллов
    NTP082N65S3HFMOSFET N-CH 650V 40A TO220-3
    970Кешбэк 145 баллов
    FCB125N65S3MOSFET N-CH 650V 24A TO263
    972Кешбэк 145 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные триодные тиристоры
    Диодные мосты
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторные модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Одиночные IGBT транзисторы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды - мостовые выпрямители
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Модули триодных тиристоров
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП