Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FDS2582
  • В избранное
  • В сравнение
FDS2582

FDS2582

FDS2582
;
FDS2582

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    FDS2582
  • Описание:
    MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOICВсе характеристики

Минимальная цена FDS2582 при покупке от 1 шт 310.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDS2582 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDS2582

FDS2582 ON SEMICONDUCTOR MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC — это полупроводниковый транзистор с напряжением включения 150В и током 4.1А, упаковкой 8SOIC.

  • Основные параметры:
    • Напряжение включения: 150В
    • Ток: 4.1А
    • Упаковка: 8SOIC
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Малый размер и легкость интеграции в схемы
    • Устойчивость к перегреву
    • Малое потребление энергии при отключенном состоянии
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с традиционными транзисторами
    • Необходимо соблюдение правил охлаждения для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение нагрузок в различных приборах
    • Импульсное управление в системах управления
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Системы управления электропитанием
    • Приборы для домашнего использования
    • Электронные устройства для промышленности
Выбрано: Показать

Характеристики FDS2582

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    150 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.1A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    66mOhm @ 4.1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1290 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    FDS25

Техническая документация

 FDS2582.pdf
pdf. 0 kb
  • 5 шт
    в наличии
  • 54 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    310 ₽
  • 5
    254 ₽
  • 10
    214 ₽
  • 25
    155 ₽
  • 100
    141 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    FDS2582
  • Описание:
    MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOICВсе характеристики

Минимальная цена FDS2582 при покупке от 1 шт 310.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDS2582 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDS2582

FDS2582 ON SEMICONDUCTOR MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC — это полупроводниковый транзистор с напряжением включения 150В и током 4.1А, упаковкой 8SOIC.

  • Основные параметры:
    • Напряжение включения: 150В
    • Ток: 4.1А
    • Упаковка: 8SOIC
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Малый размер и легкость интеграции в схемы
    • Устойчивость к перегреву
    • Малое потребление энергии при отключенном состоянии
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с традиционными транзисторами
    • Необходимо соблюдение правил охлаждения для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение нагрузок в различных приборах
    • Импульсное управление в системах управления
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Системы управления электропитанием
    • Приборы для домашнего использования
    • Электронные устройства для промышленности
Выбрано: Показать

Характеристики FDS2582

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    150 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.1A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    66mOhm @ 4.1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1290 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    FDS25

Техническая документация

 FDS2582.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IPD053N08N3GATMA1MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
    288Кешбэк 43 балла
    BSC098N10NS5ATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 100V 60A TDSON
    288Кешбэк 43 балла
    IPD90N04S404ATMA1MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
    288Кешбэк 43 балла
    AUIRLZ44ZMOSFET N-CH 55V 51A TO220AB
    288Кешбэк 43 балла
    IRFB5620PBFMOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
    288Кешбэк 43 балла
    BSC097N06NSATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6
    290Кешбэк 43 балла
    IPD60R600P6ATMA1MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
    290Кешбэк 43 балла
    BSZ040N04LSGATMA1MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON
    290Кешбэк 43 балла
    IPD26N06S2L35ATMA2MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
    290Кешбэк 43 балла
    BSC0501NSIATMA1MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSON
    292Кешбэк 43 балла
    IRF5305PBFТранзистор: MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB
    292Кешбэк 43 балла
    IPA65R1K5CEXKSA1Транзистор: MOSFET N-CH 650V 5.2A TO220
    292Кешбэк 43 балла
    IPW65R660CFDFKSA1MOSFET N-CH 700V 6A TO247-3
    294Кешбэк 44 балла
    IRFR7446TRPBFMOSFET N-CH 40V 56A DPAK
    294Кешбэк 44 балла
    IPD068P03L3GATMA1MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
    294Кешбэк 44 балла
    IRF6619TR1PBFMOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
    294Кешбэк 44 балла
    IPP057N06N3GXKSA1Транзистор: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
    294Кешбэк 44 балла
    BSC0503NSIATMA1MOSFET N-CH 30V 22A/88A TDSON
    296Кешбэк 44 балла
    IRF3415PBFMOSFET N-CH 150V 43A TO220AB
    296Кешбэк 44 балла
    IPD80R2K8CEATMA1MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
    298Кешбэк 44 балла
    IRL1404ZSTRLPBFMOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
    298Кешбэк 44 балла
    IRL540NPBFТранзистор: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
    299Кешбэк 44 балла
    IRFR5410TRPBFТранзистор: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
    299Кешбэк 44 балла
    IRFH8311TRPBFMOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
    300Кешбэк 45 баллов
    BSC026N04LSATMA1MOSFET N-CH 40V 23A/100A TDSON
    300Кешбэк 45 баллов
    IPL60R1K5C6SATMA1MOSFET N-CH 600V 3A THIN-PAK
    300Кешбэк 45 баллов
    IRF7862TRPBFMOSFET N-CH 30V 21A 8SO
    300Кешбэк 45 баллов
    BSZ033NE2LS5ATMA1MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON
    300Кешбэк 45 баллов
    BSZ028N04LSATMA1MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON
    300Кешбэк 45 баллов
    BSP135H6327XTSA1Транзистор: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
    300Кешбэк 45 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторные модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - одиночные
    IGBT транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы специального назначения
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - TRIACs
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диодные мосты
    Высокочастотные диоды
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - JFET
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП