Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
FDS5692Z

FDS5692Z

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена FDS5692Z при покупке от 229 шт 255.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDS5692Z с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FDS5692Z

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    50 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.8A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    24mOhm @ 5.8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1025 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Техническая документация
FDS5692Z.pdf
pdf. 0 kb
  • 6990 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 229
    255 ₽

Минимально и кратно 229 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

Минимальная цена FDS5692Z при покупке от 229 шт 255.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDS5692Z с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FDS5692Z

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    50 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.8A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    24mOhm @ 5.8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1025 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Техническая документация
FDS5692Z.pdf
pdf. 0 kb