Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FDS6575
  • В избранное
  • В сравнение
FDS6575

FDS6575

FDS6575
;
FDS6575

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    FDS6575
  • Описание:
    MOSFET P-CH 20V 10A 8SOICВсе характеристики

Минимальная цена FDS6575 при покупке от 1 шт 383.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDS6575 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDS6575

FDS6575 — это полупроводниковый транзистор MOSFET с положительным зарядом (P-канальный), разработанный On Semiconductor и Fairchild Semiconductor. Основные характеристики:

  • Напряжение операции (VDS): 20 В
  • Размер тока (ID): 10 А
  • Формат корпуса: 8SOIC

Плюсы:

  • Высокая мощность и способность переносить большие токи
  • Низкое напряжение включения, что улучшает эффективность работы
  • Малый размер и легкий монтаж благодаря корпусу 8SOIC

Минусы:

  • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Могут возникать проблемы с электрической изоляцией при работе с высокими напряжениями

Общее назначение:

  • Применяется в различных приборах и системах для управления токами
  • Используется в источниках питания, преобразователях энергии и других приборах, требующих высокой проводимости

В каких устройствах применяется:

  • Источники питания
  • Преобразователи энергии
  • Автомобильные системы
  • Системы управления двигателем
  • Производственное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики FDS6575

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    13mOhm @ 10A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    74 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4951 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    FDS65

Техническая документация

 FDS6575.pdf
pdf. 0 kb
  • 5 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    383 ₽
  • 10
    245 ₽
  • 100
    165 ₽
  • 1000
    120 ₽
  • 5000
    114 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    FDS6575
  • Описание:
    MOSFET P-CH 20V 10A 8SOICВсе характеристики

Минимальная цена FDS6575 при покупке от 1 шт 383.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDS6575 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDS6575

FDS6575 — это полупроводниковый транзистор MOSFET с положительным зарядом (P-канальный), разработанный On Semiconductor и Fairchild Semiconductor. Основные характеристики:

  • Напряжение операции (VDS): 20 В
  • Размер тока (ID): 10 А
  • Формат корпуса: 8SOIC

Плюсы:

  • Высокая мощность и способность переносить большие токи
  • Низкое напряжение включения, что улучшает эффективность работы
  • Малый размер и легкий монтаж благодаря корпусу 8SOIC

Минусы:

  • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Могут возникать проблемы с электрической изоляцией при работе с высокими напряжениями

Общее назначение:

  • Применяется в различных приборах и системах для управления токами
  • Используется в источниках питания, преобразователях энергии и других приборах, требующих высокой проводимости

В каких устройствах применяется:

  • Источники питания
  • Преобразователи энергии
  • Автомобильные системы
  • Системы управления двигателем
  • Производственное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики FDS6575

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    13mOhm @ 10A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    74 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4951 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    FDS65

Техническая документация

 FDS6575.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDS8840NZMOSFET N-CH 40V 18.6A 8SOIC
    309Кешбэк 46 баллов
    FDD5N50NZTMТранзистор: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
    311Кешбэк 46 баллов
    FDMA86265PMOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET
    321Кешбэк 48 баллов
    FDMC6675BZMOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
    340Кешбэк 51 балл
    FDMA86108LZMOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
    342Кешбэк 51 балл
    FDD2582MOSFET N-CH 150V 3.7/21A TO252AA
    344Кешбэк 51 балл
    FCD900N60ZMOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
    346Кешбэк 51 балл
    FDMC8554MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP
    348Кешбэк 52 балла
    FDS86106MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
    366Кешбэк 54 балла
    FDMS7672POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
    366Кешбэк 54 балла
    FDD5680POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
    375Кешбэк 56 баллов
    FDMC8321LMOSFET N-CH 40V 22A/49A POWER33
    377Кешбэк 56 баллов
    FDMC6679AZMOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
    381Кешбэк 57 баллов
    FDT86106LZТранзистор: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
    381Кешбэк 57 баллов
    FDS6575MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
    383Кешбэк 57 баллов
    NDT456PMOSFET P-CH 30V 7.5A SOT-223-4
    385Кешбэк 57 баллов
    FDC8601MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT6
    387Кешбэк 58 баллов
    FDMC7660SMOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
    391Кешбэк 58 баллов
    FDMS86105MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN
    397Кешбэк 59 баллов
    FDD3670MOSFET N-CH 100V 34A TO252
    422Кешбэк 63 балла
    FDM3622MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
    422Кешбэк 63 балла
    FDMA8878MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET
    428Кешбэк 64 балла
    FDMS7660ASMOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN
    438Кешбэк 65 баллов
    FDB12N50TMТранзистор: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
    445Кешбэк 66 баллов
    FCD600N60ZMOSFET N-CH 600V 7.4A DPAK
    447Кешбэк 67 баллов
    FCPF850N80ZPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
    451Кешбэк 67 баллов
    HUF76639S3STТранзистор: MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
    455Кешбэк 68 баллов
    FDD8453LZMOSFET N-CH 40V 16.4A/50A DPAK
    459Кешбэк 68 баллов
    FQPF2N80MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F
    482Кешбэк 72 балла
    FCU900N60ZMOSFET N-CH 600V 4.5A IPAK
    486Кешбэк 72 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторные модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Варикапы и Варакторы
    Диоды силовые
    Модули триодных тиристоров
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки биполярных транзисторов
    Модули драйверов питания
    Одиночные триодные тиристоры
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Биполярные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули драйверов питания
    Симисторы
    IGBT транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП