Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FDV303N
  • В избранное
  • В сравнение
FDV303N

FDV303N

FDV303N
;
FDV303N

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    FDV303N
  • Описание:
    MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23Все характеристики

Минимальная цена FDV303N при покупке от 1 шт 39.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDV303N с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDV303N

FDV303N ON SEMICONDUCTOR MOSFET N-CH 25V 680mA SOT23

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 25В
    • Номинальный ток: 680мА
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: SOT23
  • Плюсы:
    • Малый размер и легкий вес благодаря компактному пакету SOT23
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Низкое сопротивление резистора насыщения
    • Устойчивость к шумам и помехам
  • Минусы:
    • Требует дополнительного управления для предотвращения повреждения при работе в режиме включения
    • Низкая токовая способность по сравнению с биполярными транзисторами
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения
    • Переключение электрических цепей
    • Уменьшение колебаний и помех
  • Применение:
    • Мобильные устройства
    • Автомобили
    • Игровые приставки
    • Компьютерная периферия
    • Электроника бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики FDV303N

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    25 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    680mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.7V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    450mOhm @ 500mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.3 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    50 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    350mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    FDV303

Техническая документация

 FDV303N.pdf
pdf. 0 kb
  • 12150 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    39 ₽
  • 50
    22.4 ₽
  • 500
    14 ₽
  • 3000
    9.4 ₽
  • 9000
    7.1 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    FDV303N
  • Описание:
    MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23Все характеристики

Минимальная цена FDV303N при покупке от 1 шт 39.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDV303N с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FDV303N

FDV303N ON SEMICONDUCTOR MOSFET N-CH 25V 680mA SOT23

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 25В
    • Номинальный ток: 680мА
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: SOT23
  • Плюсы:
    • Малый размер и легкий вес благодаря компактному пакету SOT23
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Низкое сопротивление резистора насыщения
    • Устойчивость к шумам и помехам
  • Минусы:
    • Требует дополнительного управления для предотвращения повреждения при работе в режиме включения
    • Низкая токовая способность по сравнению с биполярными транзисторами
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения
    • Переключение электрических цепей
    • Уменьшение колебаний и помех
  • Применение:
    • Мобильные устройства
    • Автомобили
    • Игровые приставки
    • Компьютерная периферия
    • Электроника бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики FDV303N

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    25 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    680mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.7V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    450mOhm @ 500mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.3 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    50 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    350mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    FDV303

Техническая документация

 FDV303N.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STB200NF03T4MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
    640Кешбэк 96 баллов
    IRFH8321TRPBFMOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6
    88Кешбэк 13 баллов
    2SK2103T100MOSFET N-CH 30V 2A MPT3
    216Кешбэк 32 балла
    FQP9N90CMOSFET N-CH 900V 8A TO220-3
    942Кешбэк 141 балл
    NVB6411ANT4GMOSFET N-CH 100V 77A D2PAK-3
    366Кешбэк 54 балла
    FDP2572Транзистор: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO220-3
    574Кешбэк 86 баллов
    BUK7Y38-100EXMOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56
    233Кешбэк 34 балла
    DMP2007UFG-7MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
    261Кешбэк 39 баллов
    FDS4435AMOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
    205Кешбэк 30 баллов
    STP80NF55-06MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
    522Кешбэк 78 баллов
    DMP3010LPSQ-13MOSFET P-CH 30V 36A PWRDI5060-8
    218Кешбэк 32 балла
    IRF820STRRPBFMOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
    486Кешбэк 72 балла
    FDD3672MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
    372Кешбэк 55 баллов
    2V7002KT1GТранзистор: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
    23.2Кешбэк 3 балла
    STB4NK60ZT4Диод: MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK
    490Кешбэк 73 балла
    FDN306PMOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
    41Кешбэк 6 баллов
    STB45N40DM2AGMOSFET N-CH 400V 38A D2PAK
    1 466Кешбэк 219 баллов
    STB100N10F7MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
    572Кешбэк 85 баллов
    STB60NF06T4MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
    208Кешбэк 31 балл
    IRF8010STRLPBFMOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
    392Кешбэк 58 баллов
    BSS214NWH6327XTSA1MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3
    35Кешбэк 5 баллов
    STB120N4F6MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
    486Кешбэк 72 балла
    IPD90N10S406ATMA1MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
    467Кешбэк 70 баллов
    TP2640LG-GMOSFET P-CH 400V 86MA 8SOIC
    467Кешбэк 70 баллов
    IRF6724MTRPBFMOSFET N-CH 30V 27A/150A DIRECT
    330Кешбэк 49 баллов
    FDS8896Транзистор: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC
    223Кешбэк 33 балла
    APT14F100BТранзистор: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247
    1 342Кешбэк 201 балл
    NTMFS5C456NLT1GMOSFET N-CH 40V 5DFN
    156Кешбэк 23 балла
    SI4842BDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CH 30V 28A 8SO
    522Кешбэк 78 баллов
    BFL4036-1EMOSFET N-CH 500V 9.6A TO220F-3FS
    312Кешбэк 46 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - JFET
    Одиночные триодные тиристоры
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Модули триодных тиристоров
    Полевые транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды силовые
    Транзисторы специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - SCR
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Сборки биполярных транзисторов
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторные модули
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП