Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - модули
FF300R12KS4PHOSA1
  • В избранное
  • В сравнение
FF300R12KS4PHOSA1

FF300R12KS4PHOSA1

FF300R12KS4PHOSA1
;
FF300R12KS4PHOSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    FF300R12KS4PHOSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MODULE 1200V 300AВсе характеристики

Минимальная цена FF300R12KS4PHOSA1 при покупке от 1 шт 30371.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FF300R12KS4PHOSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FF300R12KS4PHOSA1

FF300R12KS4PHOSA1 Infineon Technologies ИGBT модуль

  • Номинальное напряжение: 1200 В
  • Номинальный ток: 300 А
  • Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
  • Форм-фактор: MSA (Module Substrate Assembly)

Плюсы:

  • Высокая эффективность и энергоэффективность
  • Устойчивость к перегреву
  • Простота интеграции в системы управления
  • Малый размер и легкость установки

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требуется дополнительное охлаждение для предотвращения перегрева
  • Сложнее в ремонтном обслуживании по сравнению с отдельными компонентами

Общее назначение:

  • Используется в промышленных преобразователях питания
  • Входные и выходные блоки синусоидального преобразования
  • Системы управления двигателем
  • Блоки управления электроприводами
Выбрано: Показать

Характеристики FF300R12KS4PHOSA1

  • Package
    Tray
  • Конфигурация
    Half Bridge Inverter
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    300 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    3.75V @ 15V, 300A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    5 mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    20 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 125°C
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    Module
  • Base Product Number
    FF300R12

Техническая документация

 FF300R12KS4PHOSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 9 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    30 371 ₽
  • 16
    27 535 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    FF300R12KS4PHOSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MODULE 1200V 300AВсе характеристики

Минимальная цена FF300R12KS4PHOSA1 при покупке от 1 шт 30371.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FF300R12KS4PHOSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FF300R12KS4PHOSA1

FF300R12KS4PHOSA1 Infineon Technologies ИGBT модуль

  • Номинальное напряжение: 1200 В
  • Номинальный ток: 300 А
  • Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
  • Форм-фактор: MSA (Module Substrate Assembly)

Плюсы:

  • Высокая эффективность и энергоэффективность
  • Устойчивость к перегреву
  • Простота интеграции в системы управления
  • Малый размер и легкость установки

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требуется дополнительное охлаждение для предотвращения перегрева
  • Сложнее в ремонтном обслуживании по сравнению с отдельными компонентами

Общее назначение:

  • Используется в промышленных преобразователях питания
  • Входные и выходные блоки синусоидального преобразования
  • Системы управления двигателем
  • Блоки управления электроприводами
Выбрано: Показать

Характеристики FF300R12KS4PHOSA1

  • Package
    Tray
  • Конфигурация
    Half Bridge Inverter
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    300 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    3.75V @ 15V, 300A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    5 mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    20 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 125°C
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    Module
  • Base Product Number
    FF300R12

Техническая документация

 FF300R12KS4PHOSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    F475R12KS4BPSA1Транзистор: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-211
    17 455Кешбэк 2 618 баллов
    FS100R12N2T7B15BPSA1Транзистор: LOW POWER ECONO
    14 121Кешбэк 2 118 баллов
    DF600R12IP4DBOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 600A 3350W
    76 564Кешбэк 11 484 балла
    FF300R12KS4PHOSA1Транзистор: IGBT MODULE 1200V 300A
    30 371Кешбэк 4 555 баллов
    FF650R17IE4BOSA1Транзистор: IGBT MODULE 1700V 4150W
    75 484Кешбэк 11 322 балла
    FP35R12W2T4BOMA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 54A 215W
    9 176Кешбэк 1 376 баллов
    F4200R17N3E4BPSA1Транзистор: IGBT MOD 1700V 200A 20MW
    21 960Кешбэк 3 294 балла
    FS660R08A6P2FBBPSA1Транзистор: HYBRID PACK DRIVE
    52 794Кешбэк 7 919 баллов
    FF1400R12IP4PBOSA1Транзистор: IGBT MODULE 1200V 1400A
    109 011Кешбэк 16 351 балл
    FZ600R12KS4HOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 700A 3900W
    31 320Кешбэк 4 698 баллов
    FS200R12PT4BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 280A 1000W
    29 786Кешбэк 4 467 баллов
    FS20R06W1E3BOMA1Транзистор: IGBT MODULE 600V 35A 135W
    4 719Кешбэк 707 баллов
    F3L150R12W2H3B11BPSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 75A 500W
    11 225Кешбэк 1 683 балла
    FF1000R17IE4BOSA1Транзистор: IGBT MODULE 1700V 6250W
    99 219Кешбэк 14 882 балла
    FF200R12KT4HOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 320A 1100W
    16 522Кешбэк 2 478 баллов
    F3L400R12PT4PB26BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 800A 20MW
    29 814Кешбэк 4 472 балла
    F43L50R07W2H3FB11BPSA2Транзистор: IGBT MOD 650V 50A 20MW
    12 276Кешбэк 1 841 балл
    FD300R12KE3HOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 480A 1470W
    23 788Кешбэк 3 568 баллов
    FS50R07W1E3B11ABOMA1Транзистор: IGBT MODULES
    8 126Кешбэк 1 218 баллов
    FS75R12W2T4BOMA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 107A 375W
    9 974Кешбэк 1 496 баллов
    FZ1200R12HE4HOSA2Транзистор: IGBT MODULE 1200V 1200A
    98 277Кешбэк 14 741 балл
    FF1500R12IE5BPSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 1500A 20MW
    110 892Кешбэк 16 633 балла
    FF300R12ME7B11BPSA1Транзистор: MEDIUM POWER ECONO, AG-ECONOD-74
    18 975Кешбэк 2 846 баллов
    FZ1600R17HP4B2BOSA2Транзистор: IGBT MODULE 1700V 1600A
    178 283Кешбэк 26 742 балла
    FP35R12KT4BPSA1Транзистор: LOW POWER ECONO
    12 466Кешбэк 1 869 баллов
    FS35R12KT3BPSA1Транзистор: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-311
    12 824Кешбэк 1 923 балла
    F3L400R10W3S7B11BPSA1Транзистор: IGBT MODULE LOW POWER EASY
    25 226Кешбэк 3 783 балла
    FP75R06KE3BOSA1Транзистор: IGBT MODULE 600V 95A 250W
    18 499Кешбэк 2 774 балла
    FF300R17KE4HOSA1Транзистор: IGBT MOD 1700V 440A 1800W
    23 563Кешбэк 3 534 балла
    FP100R07N3E4B11BOSA1Транзистор: IGBT MOD 650V 100A 335W
    20 204Кешбэк 3 030 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Принадлежности
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды силовые
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - Специального назначения
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Драйверы питания - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП