Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
FFSB20120A
  • В избранное
  • В сравнение
FFSB20120A

FFSB20120A

FFSB20120A
;
FFSB20120A

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FFSB20120A
  • Описание:
    DIODE SBD 10A 120V D2PAK-3Все характеристики

Минимальная цена FFSB20120A при покупке от 1 шт 1727.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FFSB20120A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FFSB20120A

Разрешенные теги:

,

    ,
  • ,

    • Основные параметры:
      • Маркировка: FFSB20120A
      • Производитель: ON Semiconductor
      • Тип: Диод SBD (Schottky Barrier Diode)
      • Номинальный ток: 10 А
      • Номинальное напряжение: 120 В
      • Пакет: D2PAK-3
    • Плюсы:
      • Низкий вольт-паразитный ток
      • Высокая скорость перехода
      • Компактный размер
      • Высокая надежность
    • Минусы:
      • Высокие потери при работе в режиме регулирования напряжения
      • Не подходит для высокочастотных приложений
    • Общее назначение:
      • Защита от обратного напряжения
      • Блокировка обратного тока
      • Регулирование напряжения
    • В каких устройствах применяется:
      • Автомобильная электроника
      • Промышленное оборудование
      • Системы управления двигателем
      • Энергосберегающие устройства
Выбрано: Показать

Характеристики FFSB20120A

  • Тип диода
    Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    32A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.75 V @ 20 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    200 µA @ 1200 V
  • Емкость @ Vr, F
    1220pF @ 1V, 100KHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Исполнение корпуса
    D²PAK-3 (TO-263-3)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    FFSB20120

Техническая документация

 FFSB20120A.pdf
pdf. 0 kb
  • 1135 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 727 ₽
  • 10
    1 184 ₽
  • 100
    945 ₽
  • 500
    784 ₽
  • 800
    769 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FFSB20120A
  • Описание:
    DIODE SBD 10A 120V D2PAK-3Все характеристики

Минимальная цена FFSB20120A при покупке от 1 шт 1727.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FFSB20120A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FFSB20120A

Разрешенные теги:

,

    ,
  • ,

    • Основные параметры:
      • Маркировка: FFSB20120A
      • Производитель: ON Semiconductor
      • Тип: Диод SBD (Schottky Barrier Diode)
      • Номинальный ток: 10 А
      • Номинальное напряжение: 120 В
      • Пакет: D2PAK-3
    • Плюсы:
      • Низкий вольт-паразитный ток
      • Высокая скорость перехода
      • Компактный размер
      • Высокая надежность
    • Минусы:
      • Высокие потери при работе в режиме регулирования напряжения
      • Не подходит для высокочастотных приложений
    • Общее назначение:
      • Защита от обратного напряжения
      • Блокировка обратного тока
      • Регулирование напряжения
    • В каких устройствах применяется:
      • Автомобильная электроника
      • Промышленное оборудование
      • Системы управления двигателем
      • Энергосберегающие устройства
Выбрано: Показать

Характеристики FFSB20120A

  • Тип диода
    Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    32A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.75 V @ 20 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    200 µA @ 1200 V
  • Емкость @ Vr, F
    1220pF @ 1V, 100KHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Исполнение корпуса
    D²PAK-3 (TO-263-3)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    FFSB20120

Техническая документация

 FFSB20120A.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FFSH1065B-F085650V 10A SIC SBD GEN1.5
    1 431Кешбэк 214 баллов
    FFSP2065BDN-F085SIC DIODE 650V 20A
    1 436Кешбэк 215 баллов
    FFSP2065B-F085SIC DIODE 650V
    1 469Кешбэк 220 баллов
    FFSP3065AДиод: DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO220-2
    1 473Кешбэк 220 баллов
    FFSH1665ADN-F155650V 16A SIC SBD
    1 486Кешбэк 222 балла
    UJ3D06520TS650V 20A SIC SCHOTTKY DIODE G3,
    1 509Кешбэк 226 баллов
    FFSH3065A650V 30A SIC SBD
    1 528Кешбэк 229 баллов
    FFSP3065B-F085SIC DIODE 650V
    1 539Кешбэк 230 баллов
    FFSH10120A1200V 10A SIC SBD
    1 575Кешбэк 236 баллов
    FFSB10120A-F0851200V 10A AUTO SIC SBD
    1 596Кешбэк 239 баллов
    FFSB3065B-F085650V 30A SIC SBD GEN1.5
    1 596Кешбэк 239 баллов
    UJ3D06530TSДиод: 650V 30A SIC SCHOTTKY DIODE G3,
    1 708Кешбэк 256 баллов
    FFSB20120ADIODE SBD 10A 120V D2PAK-3
    1 727Кешбэк 259 баллов
    UJ3D1210KS1200V 10A SIC SCHOTTKY DIODE G3,
    1 727Кешбэк 259 баллов
    FFSH10120A-F0851200V 10A AUTO SIC SBD
    1 770Кешбэк 265 баллов
    FFSH2065ADN-F155650V 20A SIC SBD
    1 780Кешбэк 267 баллов
    FFSH20120ADN-F0851200V 20A AUTO SIC SBD
    1 786Кешбэк 267 баллов
    FFSH3065ADN-F155650V 30A SIC SBD
    1 816Кешбэк 272 балла
    FFSH2065B-F085SIC DIODE 650V
    1 829Кешбэк 274 балла
    NDSH10170ASIC JBS 1700V 10A TO247
    1 939Кешбэк 290 баллов
    FFSH3065B-F085650V 30A SIC SBD GEN1.5
    1 945Кешбэк 291 балл
    FFSP4065BDN-F085SIC DIODE 650V 40A
    2 063Кешбэк 309 баллов
    FFSH20120A-F0851200V 20A AUTO SIC SBD
    2 194Кешбэк 329 баллов
    NVDSH20120CSIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L
    2 245Кешбэк 336 баллов
    FFSH4065A650V 40A SIC SBD
    2 393Кешбэк 358 баллов
    UJ3D1220K21200V 20A SIC SCHOTTKY DIODE G3,
    2 454Кешбэк 368 баллов
    FFSH4065BDN-F085SIC DIODE 650V
    2 526Кешбэк 378 баллов
    NDSH25170ASIC JBS 1700V 25A TO247
    2 560Кешбэк 384 балла
    FFSH5065A650V 50A SIC SBD
    2 569Кешбэк 385 баллов
    FFSB20120A-F0851200V 20A AUTO SIC SBD
    2 693Кешбэк 403 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторные модули
    Транзисторы специального назначения
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные триодные тиристоры
    Модули триодных тиристоров
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Симисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП