Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
FFSH1065B-F085
  • В избранное
  • В сравнение
FFSH1065B-F085

FFSH1065B-F085

FFSH1065B-F085
;
FFSH1065B-F085

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FFSH1065B-F085
  • Описание:
    650V 10A SIC SBD GEN1.5Все характеристики

Минимальная цена FFSH1065B-F085 при покупке от 1 шт 1397.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FFSH1065B-F085 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FFSH1065B-F085

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Номинальное напряжение: 650В
      • Номинальный ток: 10А
      • Тип устройства: СИК СБД (SIC SBD)
      • Генерация: GEN1.5
    • Плюсы:
      • Высокое удельное сопротивление переключения
      • Малый размер и вес
      • Высокая надежность и долговечность
      • Эффективность работы при высоких температурах
    • Минусы:
      • Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами
      • Требуется специальное оборудование для производства
    • Общее назначение:
      • Использование в высоковольтных приборах и системах
      • Применяется в промышленной электронике, трансформаторах, инверторах
    • В каких устройствах применяется:
      • Инверторы для солнечных панелей
      • Автомобильные системы питания
      • Промышленные преобразователи напряжения
      • Системы управления электродвигателями
Выбрано: Показать

Характеристики FFSH1065B-F085

  • Package
    Tube
  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    650 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    11.5A (DC)
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    40 µA @ 650 V
  • Емкость @ Vr, F
    421pF @ 1V, 100kHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-2
  • Исполнение корпуса
    TO-247-2
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    FFSH1065

Техническая документация

 FFSH1065B-F085.pdf
pdf. 0 kb
  • 2121 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 397 ₽
  • 10
    956 ₽
  • 120
    880 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FFSH1065B-F085
  • Описание:
    650V 10A SIC SBD GEN1.5Все характеристики

Минимальная цена FFSH1065B-F085 при покупке от 1 шт 1397.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FFSH1065B-F085 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FFSH1065B-F085

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Номинальное напряжение: 650В
      • Номинальный ток: 10А
      • Тип устройства: СИК СБД (SIC SBD)
      • Генерация: GEN1.5
    • Плюсы:
      • Высокое удельное сопротивление переключения
      • Малый размер и вес
      • Высокая надежность и долговечность
      • Эффективность работы при высоких температурах
    • Минусы:
      • Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами
      • Требуется специальное оборудование для производства
    • Общее назначение:
      • Использование в высоковольтных приборах и системах
      • Применяется в промышленной электронике, трансформаторах, инверторах
    • В каких устройствах применяется:
      • Инверторы для солнечных панелей
      • Автомобильные системы питания
      • Промышленные преобразователи напряжения
      • Системы управления электродвигателями
Выбрано: Показать

Характеристики FFSH1065B-F085

  • Package
    Tube
  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    650 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    11.5A (DC)
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    40 µA @ 650 V
  • Емкость @ Vr, F
    421pF @ 1V, 100kHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-2
  • Исполнение корпуса
    TO-247-2
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    FFSH1065

Техническая документация

 FFSH1065B-F085.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTE6094R-SCHOTTKY RECT CATH CASE
    4 335Кешбэк 650 баллов
    BAS316_R1_00001Диод: SOD-323, SWITCHING
    10.5Кешбэк 1 балл
    STPSC10H12DYДиод: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220AC
    1 151Кешбэк 172 балла
    1N2138DO5 70 AMP SILICON RECTIFIER
    2 708Кешбэк 406 баллов
    1N1126DO4 12 AMP SILICON RECTIFIER
    622Кешбэк 93 балла
    1N1128ADO4 12 AMP SILICON RECTIFIER
    1 195Кешбэк 179 баллов
    1N1344DO4 6 AMP SILICON RECTIFIER
    2 561Кешбэк 384 балла
    RS2MFS500NS, 2A, 1000V, FAST RECOVERY
    70Кешбэк 10 баллов
    UJ3D06560KSD650V 60A SIC SCHOTTKY DIODE G3,
    2 652Кешбэк 397 баллов
    D1800N48TVFXPSA1DIODE GEN PURP 4.8KV 1800A
    84 118Кешбэк 12 617 баллов
    DZ1070N18KHPSA3DIODE GEN PURP 1.8KV 1100A MOD
    83 066Кешбэк 12 459 баллов
    NTE551R-SI 1.5KV 1A
    556Кешбэк 83 балла
    NTE5847Диод: R-800PRV 3A ANODE CASE
    1 510Кешбэк 226 баллов
    NTE586Диод: D-SCHOTTKY 40V 3A
    400Кешбэк 60 баллов
    NTE5900Диод: R-400PRV 16A CATH CASE
    2 223Кешбэк 333 балла
    NTE5922Диод: R-500PRV 20A CATH CASE
    3 335Кешбэк 500 баллов
    SCS205KGHRCDIODE SCHOTTKY 1200V 5A TO-220-2
    1 056Кешбэк 158 баллов
    1N5811Диод: G 4 6 AMP SILICON RECTIFIER
    1 056Кешбэк 158 баллов
    40HF60REC 40AMP 600V DO5
    1 749Кешбэк 262 балла
    MUR160S R5GДиод: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA
    133Кешбэк 19 баллов
    BAS116GWXДиод: DIODE GEN PURP 75V 215MA SOD123
    51Кешбэк 7 баллов
    BAS521BXДиод: DIODE GEN PURP 250V 250MA SOD523
    39Кешбэк 5 баллов
    GE08MPS06AДиод: 650V 8A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP
    498Кешбэк 74 балла
    DZ950N44KHPSA1DIODE GEN PURP 4.4KV 950A MODULE
    141 857Кешбэк 21 278 баллов
    NTE569D-SI 600V 3A SOFT REC
    556Кешбэк 83 балла
    NTE571Диод: D-1000V 3A 150NS SOFT REC
    556Кешбэк 83 балла
    NTE574Диод: R-400V 1A 35NS TRR
    556Кешбэк 83 балла
    NTE5883Диод: R-600PRV 12A ANODE CASE
    2 779Кешбэк 416 баллов
    NTE5912Диод: R-50PRV 20A CATH CASE
    2 779Кешбэк 416 баллов
    NTE5940Диод: R-50PRV 15A CATH CASE
    828Кешбэк 124 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды силовые
    Диодные мосты - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Принадлежности
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП