FFSH4065BDN-F085

FFSH4065BDN-F085, производитель ON Semiconductor

• Описание: СИК диод (SIC диод) с напряжением срабатывания 650В.

Основные параметры:

• Напряжение срабатывания: 650В
• Максимальный ток: 65А
• Температурный коэффициент: -2 мВ/°C
• Питание при температуре 25°C: 13мА
• Температура срабатывания: -55°C до +175°C

Плюсы:

• Высокая частота работы: благодаря использованию SiC материала, диод может работать на значительно более высоких частотах, чем традиционные Si диоды.
• Низкое сопротивление: уменьшает энергетические потери при работе.
• Высокая термостойкость: позволяет работать при высоких температурах без значительного снижения характеристик.
• Устойчивость к перенапряжению: обеспечивает надежную защиту от всплесков напряжения.

Минусы:

• Высокая стоимость: SiC компоненты обычно дороже аналогичных Si устройств.
• Требуются специальные знания для работы: требуются специфические знания и оборудование для интеграции и обслуживания SiC устройств.

Общее назначение:

• Применяется в: Питательных цепях, конвертерах, преобразователях энергии, электротранспорте, солнечных панелях, системах хранения энергии.