FGA30T65SHD

FGA30T65SHD

FGA30T65SHD

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
ONSEMI
Артикул:
FGA30T65SHD
Описание:
Транзистор: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOВсе характеристики

Минимальная цена FGA30T65SHD при покупке от 1 шт 783.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FGA30T65SHD с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FGA30T65SHD

FGA30T65SHD ONSEMI Транзистор: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR (IGBT)

Основные параметры:

Максимальное напряжение вCollector-Emitter (V_CEO): 650 В
Максимальный ток Collector (I_C): 30 А
Максимальная частота (f_T): 12 кГц
Максимальное напряжение на G_TH: 20 В
Рабочий диапазон температур (T_case): -40°C до +175°C

Плюсы:

Высокая эффективность при работе в режиме включения и выключения
Низкий коэффициент тепловыделения
Долгий срок службы из-за отсутствия контакта между проводниками
Высокая надежность и стабильность работы

Минусы:

Высокие начальные затраты на производство
Сложность в проектировании и монтаже из-за необходимости использования дополнительных компонентов для защиты

Общее назначение:

Использование в промышленных преобразователях мощности
Автомобильных системах управления двигателем
В трансформаторах напряжения
В системах управления электродвигателями
В системах управления освещением и вентиляцией

Применяется в:

Промышленных установках
Автомобилях
Электропоездах
Морских судах
Авиационных системах