Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
FGH20N6S2D

FGH20N6S2D

FGH20N6S2D
;
FGH20N6S2D

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена FGH20N6S2D при покупке от 249 шт 224.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FGH20N6S2D с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FGH20N6S2D

Транзистор FGH20N6S2D Fairchild Semiconductor является N-канальным IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor).

  • Основные параметры:
    • VCEO = 600 В
    • IGS = 20 А
    • tRDSON = 12 мс
    • UCE(sat) = 3.5 В при IG = 40 А
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме ON
    • Малый ток течения при открытом цепи
    • Высокая скорость переключения
    • Простота управления с помощью сигнала включения
  • Минусы:
    • Высокие потери при переключении
    • Требуется дополнительное охлаждение из-за высоких потерь
    • Зависимость характеристик от температуры
  • Общее назначение:
    • Передача энергии в электропитании
    • Управление электрическими нагрузками
    • Изменение частоты и амплитуды напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Системах управления двигателем
    • Солнечных батареях и других источниках возобновляемой энергии
    • Электронных устройствах для управления мощностью
Выбрано: Показать

Характеристики FGH20N6S2D

Техническая документация

FGH20N6S2D.pdf
pdf. 0 kb
  • 793 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 249 шт
  • Количество
    Цена
  • 249
    224 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена FGH20N6S2D при покупке от 249 шт 224.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FGH20N6S2D с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FGH20N6S2D

Транзистор FGH20N6S2D Fairchild Semiconductor является N-канальным IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor).

  • Основные параметры:
    • VCEO = 600 В
    • IGS = 20 А
    • tRDSON = 12 мс
    • UCE(sat) = 3.5 В при IG = 40 А
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме ON
    • Малый ток течения при открытом цепи
    • Высокая скорость переключения
    • Простота управления с помощью сигнала включения
  • Минусы:
    • Высокие потери при переключении
    • Требуется дополнительное охлаждение из-за высоких потерь
    • Зависимость характеристик от температуры
  • Общее назначение:
    • Передача энергии в электропитании
    • Управление электрическими нагрузками
    • Изменение частоты и амплитуды напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Системах управления двигателем
    • Солнечных батареях и других источниках возобновляемой энергии
    • Электронных устройствах для управления мощностью
Выбрано: Показать

Характеристики FGH20N6S2D

Техническая документация

FGH20N6S2D.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 249 шт