Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
FGH40N60SMD
  • В избранное
  • В сравнение
FGH40N60SMD

FGH40N60SMD

FGH40N60SMD
;
FGH40N60SMD

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    FGH40N60SMD
  • Описание:
    Транзистор: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена FGH40N60SMD при покупке от 1 шт 906.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FGH40N60SMD с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FGH40N60SMD

ФГХ40Н60SMD ON SEMICONDUCTOR Транзистор: IGBT FIELD STOP 600В 80А TO247-3

  • Основные параметры:
    • Рейтинг напряжения: 600В
    • Рейтинг тока: 80А
    • Тип: IGBT FIELD STOP
    • Пакет: TO247-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность: За счет конструкции с полем стопа, обеспечивается стабильная работа даже при высоких температурах.
    • Малый ток затухания: Основной параметр, влияющий на эффективность работы, уменьшает потери энергии.
    • Высокая скорость переключения: Благодаря использованию технологии IGBT, обеспечивает быстрое включение и выключение.
  • Минусы:
    • Высокие цены: Из-за сложности производства и высокой надежности, они могут быть дороже других типов транзисторов.
    • Требуют специального охлаждения: При высоких нагрузках может потребоваться дополнительное охлаждение для предотвращения перегрева.
  • Общее назначение:
    • Используется для управления мощными электрическими цепями в различных приложениях, таких как промышленное оборудование, автомобили, солнечные панели и другие источники возобновляемой энергии.
  • Применяется в:
    • Инверторах для солнечных батарей
    • Системах управления двигателей
    • Автомобильных системах питания
    • Питательных блоках для электроники
Выбрано: Показать

Характеристики FGH40N60SMD

  • Тип IGBT
    Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    80 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    120 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.5V @ 15V, 40A
  • Рассеивание мощности
    349 W
  • Энергия переключения
    870µJ (on), 260µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    119 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    12ns/92ns
  • Условие испытаний
    400V, 40A, 6Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    36 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Base Product Number
    FGH40N60

Техническая документация

 FGH40N60SMD.pdf
pdf. 0 kb
  • 43 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    906 ₽
  • 3
    861 ₽
  • 10
    758 ₽
  • 30
    626 ₽
  • 120
    578 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    FGH40N60SMD
  • Описание:
    Транзистор: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена FGH40N60SMD при покупке от 1 шт 906.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FGH40N60SMD с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FGH40N60SMD

ФГХ40Н60SMD ON SEMICONDUCTOR Транзистор: IGBT FIELD STOP 600В 80А TO247-3

  • Основные параметры:
    • Рейтинг напряжения: 600В
    • Рейтинг тока: 80А
    • Тип: IGBT FIELD STOP
    • Пакет: TO247-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность: За счет конструкции с полем стопа, обеспечивается стабильная работа даже при высоких температурах.
    • Малый ток затухания: Основной параметр, влияющий на эффективность работы, уменьшает потери энергии.
    • Высокая скорость переключения: Благодаря использованию технологии IGBT, обеспечивает быстрое включение и выключение.
  • Минусы:
    • Высокие цены: Из-за сложности производства и высокой надежности, они могут быть дороже других типов транзисторов.
    • Требуют специального охлаждения: При высоких нагрузках может потребоваться дополнительное охлаждение для предотвращения перегрева.
  • Общее назначение:
    • Используется для управления мощными электрическими цепями в различных приложениях, таких как промышленное оборудование, автомобили, солнечные панели и другие источники возобновляемой энергии.
  • Применяется в:
    • Инверторах для солнечных батарей
    • Системах управления двигателей
    • Автомобильных системах питания
    • Питательных блоках для электроники
Выбрано: Показать

Характеристики FGH40N60SMD

  • Тип IGBT
    Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    80 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    120 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.5V @ 15V, 40A
  • Рассеивание мощности
    349 W
  • Энергия переключения
    870µJ (on), 260µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    119 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    12ns/92ns
  • Условие испытаний
    400V, 40A, 6Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    36 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Base Product Number
    FGH40N60

Техническая документация

 FGH40N60SMD.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STGWT40H60DLFBТранзистор: IGBT 600V 80A 283W TO3P-3L
    813Кешбэк 121 балл
    STGB30H60DLFBТранзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
    815Кешбэк 122 балла
    STGP40V60FТранзистор: IGBT 600V 80A 283W TO220AB
    819Кешбэк 122 балла
    STGW30NC60VDТранзистор: IGBT 600V 80A 250W TO247
    823Кешбэк 123 балла
    STGP19NC60SТранзистор: IGBT 600V 40A 130W TO220
    832Кешбэк 124 балла
    STGW30V60FТранзистор: IGBT 600V 60A 260W TO247
    835Кешбэк 125 баллов
    STGFW40V60FТранзистор: IGBT 600V 80A 62.5W TO-3PF
    837Кешбэк 125 баллов
    STGW40H65FBТранзистор: IGBT 650V 80A 283W TO247
    852Кешбэк 127 баллов
    STGWT40V60DFТранзистор: IGBT 600V 80A 283W TO3P-3
    852Кешбэк 127 баллов
    STGWT60H65DFBТранзистор: IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L
    856Кешбэк 128 баллов
    STGWA60H65DFBТранзистор: IGBT BIPO 650V 60A TO247-3
    858Кешбэк 128 баллов
    STGWA60V60DFТранзистор: IGBT BIPO 600V 60A TO247-3
    871Кешбэк 130 баллов
    STGW25H120DF2Транзистор: IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247
    882Кешбэк 132 балла
    STGW60V60DFТранзистор: IGBT 600V 80A 375W TO247
    884Кешбэк 132 балла
    STGW60V60FТранзистор: IGBT 600V 80A 375W TO247
    891Кешбэк 133 балла
    STGW60H65DFBТранзистор: IGBT 650V 80A 375W TO-247
    930Кешбэк 139 баллов
    STGWF30NC60SТранзистор: IGBT 600V 35A 79W TO3P
    936Кешбэк 140 баллов
    STGWT40H65DFBТранзистор: IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L
    938Кешбэк 140 баллов
    STGW40NC60KDТранзистор: IGBT 600V 70A 250W TO247
    947Кешбэк 142 балла
    STGWA15M120DF3Транзистор: IGBT 1200V 30A 259W
    954Кешбэк 143 балла
    STGWA25M120DF3Транзистор: IGBT 1200V 50A 375W TO247
    971Кешбэк 145 баллов
    STGW60H65FBТранзистор: IGBT 650V 80A 375W TO247
    976Кешбэк 146 баллов
    STGW40H60DLFBТранзистор: IGBT 600V 80A 283W TO-247
    976Кешбэк 146 баллов
    STGW30NC60WDТранзистор: IGBT 600V 60A 200W TO247
    1 004Кешбэк 150 баллов
    STGP19NC60HТранзистор: IGBT 600V 40A 130W TO220
    1 012Кешбэк 151 балл
    STGWT80V60FТранзистор: IGBT 600V 120A 469W TO-3P
    1 012Кешбэк 151 балл
    STGW30NC120HDТранзистор: IGBT 1200V 60A 220W TO247
    1 034Кешбэк 155 баллов
    STGW30NC60KDТранзистор: IGBT 600V 60A 200W TO247
    1 056Кешбэк 158 баллов
    STGWA40H120DF2Транзистор: TRENCH GATE IGBT TO247 PKG
    1 073Кешбэк 160 баллов
    STGWT80H65FBТранзистор: IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
    1 088Кешбэк 163 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Триодные тиристоры - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Принадлежности
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП