FGPF70N30TRDTU от 315 ₽ доступно 4000 шт Fairchild Semiconductor

FGPF70N30TRDTU

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Fairchild Semiconductor
Артикул:
FGPF70N30TRDTU
Описание:
Транзистор: 300V, 70A PDP IGBTВсе характеристики

Минимальная цена FGPF70N30TRDTU при покупке от 176 шт 315.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FGPF70N30TRDTU с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FGPF70N30TRDTU

FGPF70N30TRDTU Fairchild Semiconductor Транзистор: 300В, 70А PDP IGBT

Основные параметры:
- Рейтингное напряжение (V_CEO): 300В
- Рейтингный ток (I_TO): 70А
- Тип: PDP (Power Diode Package)
- Тип элемента: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Плюсы:
- Высокая эффективность работы
- Устойчивость к скачкам напряжения
- Малый уровень шума при работе
- Высокая скорость переключения
Минусы:
- Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
- Требуется дополнительное охлаждение
Общее назначение:
- Использование в промышленных преобразователях частоты
- Применение в системах управления двигателем
- Работа в инверторах питания
- Использование в солнечных батареях для управления током
В каких устройствах применяется:
- Автомобильные системы управления двигателем
- Промышленные установки для управления электродвигателями
- Системы управления энергопитанием
- Солнечные системы электропитания

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики FGPF70N30TRDTU

4000 шт
3-6 недель

Минимально и кратно 176 шт

Количество
Цена
176
315 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Fairchild Semiconductor
Артикул:
FGPF70N30TRDTU
Описание:
Транзистор: 300V, 70A PDP IGBTВсе характеристики

Описание FGPF70N30TRDTU

FGPF70N30TRDTU Fairchild Semiconductor Транзистор: 300В, 70А PDP IGBT

Основные параметры:
- Рейтингное напряжение (V_CEO): 300В
- Рейтингный ток (I_TO): 70А
- Тип: PDP (Power Diode Package)
- Тип элемента: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Плюсы:
- Высокая эффективность работы
- Устойчивость к скачкам напряжения
- Малый уровень шума при работе
- Высокая скорость переключения
Минусы:
- Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
- Требуется дополнительное охлаждение
Общее назначение:
- Использование в промышленных преобразователях частоты
- Применение в системах управления двигателем
- Работа в инверторах питания
- Использование в солнечных батареях для управления током
В каких устройствах применяется:
- Автомобильные системы управления двигателем
- Промышленные установки для управления электродвигателями
- Системы управления энергопитанием
- Солнечные системы электропитания

Выбрать все

Выбрано: Показать

FGPF70N30TRDTU

FGPF70N30TRDTU

Описание FGPF70N30TRDTU

Характеристики FGPF70N30TRDTU

Описание FGPF70N30TRDTU

Характеристики FGPF70N30TRDTU

Похожие товары

Похожие категории