Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные
FGY75T120SQDN
  • В избранное
  • В сравнение
FGY75T120SQDN

FGY75T120SQDN

FGY75T120SQDN
;
FGY75T120SQDN

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ONSEMI
  • Артикул:
    FGY75T120SQDN
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 1200V 75A UFSВсе характеристики

Минимальная цена FGY75T120SQDN при покупке от 1 шт 1861.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FGY75T120SQDN с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FGY75T120SQDN

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Номинальное напряжение коллектора-emmитора (UDSS): 1200 В
      • Номинальная токовая характеристика (ID): 75 А
      • Коэффициент силуминового корпуса: UFS (Усиленный)
    • Плюсы:
      • Высокая надежность благодаря технологии UFS
      • Высокий уровень сопротивления к перегреву
      • Эффективность работы при больших нагрузках
      • Малый размер и легкость
    • Минусы:
      • Высокая стоимость по сравнению с обычными IGBT модулями
      • Требует специальных условий для охлаждения при высоких нагрузках
    • Общее назначение:
      • Передача и преобразование мощности в различных приборах и системах
      • Использование в промышленных и бытовых электронных устройствах
      • Применение в транспортных средствах для управления двигателем
    • В каких устройствах применяется:
      • Автомобильные системы управления двигателем
      • Промышленные преобразователи частоты
      • Системы управления мощностью в бытовой технике
      • Промышленное оборудование и автоматизация
Выбрано: Показать

Характеристики FGY75T120SQDN

  • Тип IGBT
    Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    150 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    300 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    1.95V @ 15V, 75A
  • Рассеивание мощности
    790 W
  • Энергия переключения
    6.25mJ (on), 1.96mJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    399 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    64ns/332ns
  • Условие испытаний
    600V, 75A, 10Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    99 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3 Variant
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Base Product Number
    FGY75

Техническая документация

 FGY75T120SQDN.pdf
pdf. 0 kb
  • 11 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 861 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ONSEMI
  • Артикул:
    FGY75T120SQDN
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 1200V 75A UFSВсе характеристики

Минимальная цена FGY75T120SQDN при покупке от 1 шт 1861.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FGY75T120SQDN с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FGY75T120SQDN

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Номинальное напряжение коллектора-emmитора (UDSS): 1200 В
      • Номинальная токовая характеристика (ID): 75 А
      • Коэффициент силуминового корпуса: UFS (Усиленный)
    • Плюсы:
      • Высокая надежность благодаря технологии UFS
      • Высокий уровень сопротивления к перегреву
      • Эффективность работы при больших нагрузках
      • Малый размер и легкость
    • Минусы:
      • Высокая стоимость по сравнению с обычными IGBT модулями
      • Требует специальных условий для охлаждения при высоких нагрузках
    • Общее назначение:
      • Передача и преобразование мощности в различных приборах и системах
      • Использование в промышленных и бытовых электронных устройствах
      • Применение в транспортных средствах для управления двигателем
    • В каких устройствах применяется:
      • Автомобильные системы управления двигателем
      • Промышленные преобразователи частоты
      • Системы управления мощностью в бытовой технике
      • Промышленное оборудование и автоматизация
Выбрано: Показать

Характеристики FGY75T120SQDN

  • Тип IGBT
    Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    150 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    300 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    1.95V @ 15V, 75A
  • Рассеивание мощности
    790 W
  • Энергия переключения
    6.25mJ (on), 1.96mJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    399 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    64ns/332ns
  • Условие испытаний
    600V, 75A, 10Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    99 ns
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3 Variant
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Base Product Number
    FGY75

Техническая документация

 FGY75T120SQDN.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IKFW40N65ES5XKSA1Транзистор: IKFW40N65ES5XKSA1
    1 328Кешбэк 199 баллов
    IGW30N60TPXKSA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 53A TO247-3
    359Кешбэк 53 балла
    IKW15N120T2FKSA1Транзистор: IGBT 1200V 30A 235W TO247-3
    862Кешбэк 129 баллов
    AIGB40N65H5ATMA1Транзистор: DISCRETE SWITCHES
    953Кешбэк 142 балла
    IGW30N60TFKSA1Транзистор: IGBT 600V 60A 187W TO247-3
    548Кешбэк 82 балла
    IKD03N60RFATMA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3
    222Кешбэк 33 балла
    IHW30N135R5XKSA1Транзистор: HOME APPLIANCES 14
    701Кешбэк 105 баллов
    AIKB50N65DF5ATMA1Транзистор: DISCRETE SWITCHES
    986Кешбэк 147 баллов
    IKQ75N120CS6XKSA1Транзистор: IGBT 1200V 75A TO247-3-46
    1 532Кешбэк 229 баллов
    IKW20N60H3FKSA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 40A TO247-3
    329Кешбэк 49 баллов
    IKY75N120CS6XKSA1Транзистор: IGBT TRENCH 1200V 150A TO247-4
    1 602Кешбэк 240 баллов
    IKW75N65ET7XKSA1Транзистор: IKW75N65ET7XKSA1
    1 228Кешбэк 184 балла
    IKFW50N60DH3EXKSA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 40A TO247-3
    936Кешбэк 140 баллов
    AIKQ120N60CTXKSA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 160A TO247-3
    3 179Кешбэк 476 баллов
    IKA08N65F5IKA08N65 - DISCRETE IGBT WITH AN
    625Кешбэк 93 балла
    AIKQ100N60CTXKSA1Транзистор: IC DISCRETE 600V TO247-3
    2 911Кешбэк 436 баллов
    AIKW50N65DF5XKSA1Транзистор: IC DISCRETE 650V TO247-3
    1 054Кешбэк 158 баллов
    IKW25N120CS7XKSA1Транзистор: INDUSTRY 14 PG-TO247-3
    340Кешбэк 51 балл
    MGW20N120Транзистор: IGBT, 28A, 1200V, N-CHANNEL, TO-
    754Кешбэк 113 баллов
    MGP20N36CLТранзистор: IGBT T0220 360V CL
    245Кешбэк 36 баллов
    SGB8206ANSL3GТранзистор: IGBT 20A, 350V, N-CHANNEL
    274Кешбэк 41 балл
    FGAF40S65AQТранзистор: 650V 40A FS4 SA IGBT
    614Кешбэк 92 балла
    SGB8206ANTF4GТранзистор: IGBT 20A, 350V, N-CHANNEL
    274Кешбэк 41 балл
    SGB8206NSL3GТранзистор: IGBT D2PAK 350V 20A
    118Кешбэк 17 баллов
    FGD3440G2-F085IGBT 400V 26.9A TO252AA
    562Кешбэк 84 балла
    MGP15N60UТранзистор: IGBT, 26A, 600V, N-CHANNEL
    224Кешбэк 33 балла
    STB1081L3Транзистор: TRANS IGBT CHIP N-CH 380V 15A 4P
    237Кешбэк 35 баллов
    SGB15N40CLT4Транзистор: IGBT D2PAK SP 400V TR
    342Кешбэк 51 балл
    NGTB25N120FL2WAGТранзистор: IGBT FIELD STOP 1.2KV TO247-4
    531Кешбэк 79 баллов
    FGI3236-F085IGBT, 44A, 350V, N-CHANNEL, TO-2
    50Кешбэк 7 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды силовые
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные диоды
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП