Вход/Регистрация
FP75R12KT4B11BOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 75A 385W
FP75R12KT4B11BOSA1
FP75R12KT4B11BOSA1
- Производитель:Infineon Technologies
- Артикул:FP75R12KT4B11BOSA1
- Описание:Транзистор: IGBT MOD 1200V 75A 385WВсе характеристики
Минимальная цена FP75R12KT4B11BOSA1 при покупке от 1 шт 18187.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FP75R12KT4B11BOSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 22 шт3-6 недель
- КоличествоЦена
- 118 187 ₽
- 319 679 ₽
- 1014 956 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:Infineon Technologies
- Артикул:FP75R12KT4B11BOSA1
- Описание:Транзистор: IGBT MOD 1200V 75A 385WВсе характеристики
Минимальная цена FP75R12KT4B11BOSA1 при покупке от 1 шт 18187.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FP75R12KT4B11BOSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание FP75R12KT4B11BOSA1
FP75R12KT4B11BOSA1 — транзистор Infineon Technologies типа IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с характеристиками:
- Номинальное напряжение: 1200В
- Номинальный ток: 75А
- Мощность: 385ВА
Плюсы:
- Высокая эффективность работы
- Долгий срок службы
- Устойчивость к перегреву
- Простота управления
Минусы:
- Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
- Требует дополнительных компонентов для защиты от перегрузок
- Не подходит для высокочастотных приложений из-за медленной скорости включения/выключения
Общее назначение: Используется в различных приборах и системах, требующих регулирования мощности или частоты. Это включает:
- Промышленное оборудование
- Автомобильные системы
- Системы управления двигателем
- Энергосберегающие устройства
- Солнечные энергетические системы
Выбрано: Показать
Характеристики FP75R12KT4B11BOSA1
Техническая документация
FP75R12KT4B11BOSA1.pdf pdf. 0 kb