Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
FQI19N20TU

FQI19N20TU

FQI19N20TU
;
FQI19N20TU

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена FQI19N20TU при покупке от 342 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQI19N20TU с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FQI19N20TU

FQI19N20TU Fairchild Semiconductor MOSFET N-CH 200V 19.4A I2PAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 200В
    • Номинальный ток (ID): 19.4А
    • Пакет: I2PAK
    • Тип: N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малый размер и легкость
    • Высокая надежность и долговечность
    • Низкий уровень шума и искажений
  • Минусы:
    • Требует использования пассивных компонентов для управления
    • Могут возникать проблемы при работе в высокочастотном режиме без правильного проектирования
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для управления током
    • Уменьшение энергопотерь в системах
    • Регулировка напряжения и тока в различных приборах
  • Применение:
    • Автомобильная электроника
    • Питание и регулировка напряжения в бытовой технике
    • Электронные устройства для управления двигателем
    • Системы управления мощностью
Выбрано: Показать

Характеристики FQI19N20TU

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    19.4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    150mOhm @ 9.7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    40 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1600 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.13W (Ta), 140W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    I2PAK (TO-262)
  • Корпус
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • по запросу
Минимально и кратно 342 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена FQI19N20TU при покупке от 342 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQI19N20TU с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FQI19N20TU

FQI19N20TU Fairchild Semiconductor MOSFET N-CH 200V 19.4A I2PAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 200В
    • Номинальный ток (ID): 19.4А
    • Пакет: I2PAK
    • Тип: N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малый размер и легкость
    • Высокая надежность и долговечность
    • Низкий уровень шума и искажений
  • Минусы:
    • Требует использования пассивных компонентов для управления
    • Могут возникать проблемы при работе в высокочастотном режиме без правильного проектирования
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для управления током
    • Уменьшение энергопотерь в системах
    • Регулировка напряжения и тока в различных приборах
  • Применение:
    • Автомобильная электроника
    • Питание и регулировка напряжения в бытовой технике
    • Электронные устройства для управления двигателем
    • Системы управления мощностью
Выбрано: Показать

Характеристики FQI19N20TU

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    19.4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    150mOhm @ 9.7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    40 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1600 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.13W (Ta), 140W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    I2PAK (TO-262)
  • Корпус
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 342 шт