Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FQP17P06
  • В избранное
  • В сравнение
FQP17P06

FQP17P06

FQP17P06
;
FQP17P06

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FQP17P06
  • Описание:
    MOSFET P-CH 60V 17A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена FQP17P06 при покупке от 1 шт 263.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQP17P06 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FQP17P06

FQP17P06 ON SEMICONDUCTOR MOSFET P-CH 60V 17A TO220-3

  • Основные параметры:
    • Тип: МОФТ (MOSFET)
    • Ток непрерывного тока: 17 А
    • Напряжение блокировки: 60 В
    • Количество выводов: 3
    • Монтажный тип: TO220-3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое сопротивление в ON-режиме
    • Долгий срок службы из-за малого тепловыделения
    • Устойчивость к электрическим шумам
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с транзисторами
    • Требуется дополнительное охлаждение при больших нагрузках
    • Возможны проблемы с драйвом сигнала
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение высоких токов
    • Управление электронными устройствами
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателем
    • Инверторы
    • Распределительные щиты
Выбрано: Показать

Характеристики FQP17P06

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    17A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    120mOhm @ 8.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    27 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    900 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    79W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    FQP17

Техническая документация

 FQP17P06.pdf
pdf. 0 kb
  • 1853 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    263 ₽
  • 50
    210 ₽
  • 100
    202 ₽
  • 500
    183 ₽
  • 2000
    166 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FQP17P06
  • Описание:
    MOSFET P-CH 60V 17A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена FQP17P06 при покупке от 1 шт 263.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQP17P06 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FQP17P06

FQP17P06 ON SEMICONDUCTOR MOSFET P-CH 60V 17A TO220-3

  • Основные параметры:
    • Тип: МОФТ (MOSFET)
    • Ток непрерывного тока: 17 А
    • Напряжение блокировки: 60 В
    • Количество выводов: 3
    • Монтажный тип: TO220-3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое сопротивление в ON-режиме
    • Долгий срок службы из-за малого тепловыделения
    • Устойчивость к электрическим шумам
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с транзисторами
    • Требуется дополнительное охлаждение при больших нагрузках
    • Возможны проблемы с драйвом сигнала
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение высоких токов
    • Управление электронными устройствами
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателем
    • Инверторы
    • Распределительные щиты
Выбрано: Показать

Характеристики FQP17P06

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    17A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    120mOhm @ 8.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    27 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    900 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    79W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    FQP17

Техническая документация

 FQP17P06.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FQD1N80TMMOSFET N-CH 800V 1A DPAK
    253Кешбэк 37 баллов
    FDS9431AP-CHANNEL 2.5V SPECIFIED MOSFET
    254Кешбэк 38 баллов
    FCPF400N80ZL1MOSFET N-CH 800V 11A TO220F
    255Кешбэк 38 баллов
    FCP190N60MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
    255Кешбэк 38 баллов
    FQU20N06LTUMOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK
    257Кешбэк 38 баллов
    FQP16N25MOSFET N-CH 250V 16A TO220-3
    257Кешбэк 38 баллов
    NTTFS5116PLTAGMOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
    259Кешбэк 38 баллов
    FDN86246MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3
    259Кешбэк 38 баллов
    ECH8308-TL-HMOSFET P-CH 12V 10A 8ECH
    259Кешбэк 38 баллов
    FDMS8820MOSFET N-CH 30V 28A/116A 8PQFN
    261Кешбэк 39 баллов
    FDB13AN06A0MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
    261Кешбэк 39 баллов
    NTD4302T4GMOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
    261Кешбэк 39 баллов
    FQD16N25CTMMOSFET N-CH 250V 16A DPAK
    263Кешбэк 39 баллов
    ECH8420-TL-HMOSFET N-CH 20V 14A 8ECH
    263Кешбэк 39 баллов
    FQP17P06MOSFET P-CH 60V 17A TO220-3
    263Кешбэк 39 баллов
    NTB6413ANT4GMOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
    263Кешбэк 39 баллов
    FDPF8N60ZUTMOSFET N-CH 600V 6.5A TO220F
    265Кешбэк 39 баллов
    ECH8310-TL-HMOSFET P-CH 30V 9A 8ECH
    266Кешбэк 39 баллов
    FDS3590MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC
    266Кешбэк 39 баллов
    NVGS5120PT1GMOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
    268Кешбэк 40 баллов
    NVTFS4C13NWFTWGMOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
    268Кешбэк 40 баллов
    NTMFS4854NST3GMOSFET N-CH 25V 15.2A/149A SO8FL
    268Кешбэк 40 баллов
    FCD620N60ZFMOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK
    268Кешбэк 40 баллов
    FDMS8025SMOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN
    270Кешбэк 40 баллов
    NDT3055Транзистор: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
    270Кешбэк 40 баллов
    FDS6673BZMOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
    272Кешбэк 40 баллов
    NTMFS4937NT1GMOSFET N-CH 30V 10.2A/70A 5DFN
    274Кешбэк 41 балл
    FDME510PZTMOSFET P-CH 20V 6A MICROFET
    274Кешбэк 41 балл
    NTMS5P02R2GMOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
    274Кешбэк 41 балл
    NDT014LMOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
    276Кешбэк 41 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы специального назначения
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторные модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Симисторы - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - TRIACs
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - JFET
    Диоды силовые
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП