Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FQPF2N80
  • В избранное
  • В сравнение
FQPF2N80

FQPF2N80

FQPF2N80
;
FQPF2N80

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    FQPF2N80
  • Описание:
    MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220FВсе характеристики

Минимальная цена FQPF2N80 при покупке от 1 шт 482.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQPF2N80 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FQPF2N80

FQPF2N80 onsemi / Fairchild MOSFET N-CH 800В 1,5А TO220F

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)) - 800В
    • Номинальный ток (ID) - 1,5А
    • Тип - N-канальный MOSFET
    • Пакет - TO220F
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме ON
    • Низкое сопротивление при ON (RDS(on))
    • Малый ток утечки при OFF
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Малые размеры и вес
  • Минусы:
    • Сложность в проектировании для высокочастотных приложений без использования компенсационного сопротивления
    • Риск возникновения электрических шумов при работе в высокочастотном диапазоне
  • Общее назначение:
    • Контроль тока в электронных цепях
    • Изменение состояния цепей (включение/выключение)
    • Управление мощностью в различных приборах и устройствах
  • Применение:
    • Автомобильная техника
    • Питание устройств
    • Электронные системы управления
    • Инверторы
    • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики FQPF2N80

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    800 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.3Ohm @ 750mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    550 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    35W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220F-3
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    FQPF2

Техническая документация

 FQPF2N80.pdf
pdf. 0 kb
  • 373 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    482 ₽
  • 10
    313 ₽
  • 100
    214 ₽
  • 500
    171 ₽
  • 1000
    158 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    FQPF2N80
  • Описание:
    MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220FВсе характеристики

Минимальная цена FQPF2N80 при покупке от 1 шт 482.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQPF2N80 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FQPF2N80

FQPF2N80 onsemi / Fairchild MOSFET N-CH 800В 1,5А TO220F

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)) - 800В
    • Номинальный ток (ID) - 1,5А
    • Тип - N-канальный MOSFET
    • Пакет - TO220F
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме ON
    • Низкое сопротивление при ON (RDS(on))
    • Малый ток утечки при OFF
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Малые размеры и вес
  • Минусы:
    • Сложность в проектировании для высокочастотных приложений без использования компенсационного сопротивления
    • Риск возникновения электрических шумов при работе в высокочастотном диапазоне
  • Общее назначение:
    • Контроль тока в электронных цепях
    • Изменение состояния цепей (включение/выключение)
    • Управление мощностью в различных приборах и устройствах
  • Применение:
    • Автомобильная техника
    • Питание устройств
    • Электронные системы управления
    • Инверторы
    • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики FQPF2N80

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    800 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.3Ohm @ 750mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    550 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    35W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220F-3
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack
  • Base Product Number
    FQPF2

Техническая документация

 FQPF2N80.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDS8840NZMOSFET N-CH 40V 18.6A 8SOIC
    309Кешбэк 46 баллов
    FDD5N50NZTMТранзистор: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
    311Кешбэк 46 баллов
    FDMA86265PMOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET
    321Кешбэк 48 баллов
    FDMC6675BZMOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
    340Кешбэк 51 балл
    FDMA86108LZMOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
    342Кешбэк 51 балл
    FDD2582MOSFET N-CH 150V 3.7/21A TO252AA
    344Кешбэк 51 балл
    FCD900N60ZMOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
    346Кешбэк 51 балл
    FDMC8554MOSFET N-CH 20V 16.5A 8MLP
    348Кешбэк 52 балла
    FDS86106MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
    366Кешбэк 54 балла
    FDMS7672POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
    366Кешбэк 54 балла
    FDD5680POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
    375Кешбэк 56 баллов
    FDMC8321LMOSFET N-CH 40V 22A/49A POWER33
    377Кешбэк 56 баллов
    FDMC6679AZMOSFET P-CH 30V 11.5A/20A 8MLP
    381Кешбэк 57 баллов
    FDT86106LZТранзистор: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
    381Кешбэк 57 баллов
    FDS6575MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
    383Кешбэк 57 баллов
    NDT456PMOSFET P-CH 30V 7.5A SOT-223-4
    385Кешбэк 57 баллов
    FDC8601MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT6
    387Кешбэк 58 баллов
    FDMC7660SMOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
    391Кешбэк 58 баллов
    FDMS86105MOSFET N-CH 100V 6A/26A 8PQFN
    397Кешбэк 59 баллов
    FDD3670MOSFET N-CH 100V 34A TO252
    422Кешбэк 63 балла
    FDM3622MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
    422Кешбэк 63 балла
    FDMA8878MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET
    428Кешбэк 64 балла
    FDMS7660ASMOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN
    438Кешбэк 65 баллов
    FDB12N50TMТранзистор: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
    445Кешбэк 66 баллов
    FCD600N60ZMOSFET N-CH 600V 7.4A DPAK
    447Кешбэк 67 баллов
    FCPF850N80ZPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
    451Кешбэк 67 баллов
    HUF76639S3STТранзистор: MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
    455Кешбэк 68 баллов
    FDD8453LZMOSFET N-CH 40V 16.4A/50A DPAK
    459Кешбэк 68 баллов
    FQPF2N80MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F
    482Кешбэк 72 балла
    FCU900N60ZMOSFET N-CH 600V 4.5A IPAK
    486Кешбэк 72 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы специального назначения
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Сборки
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - SCR
    Диоды силовые
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторные модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Полевые транзисторы - Сборки
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП