Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
FQPF8N80CYDTU
  • В избранное
  • В сравнение
FQPF8N80CYDTU

FQPF8N80CYDTU

FQPF8N80CYDTU
;
FQPF8N80CYDTU

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FQPF8N80CYDTU
  • Описание:
    MOSFET N-CH 800V 8A TO220F-3Все характеристики

Минимальная цена FQPF8N80CYDTU при покупке от 1 шт 643.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQPF8N80CYDTU с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FQPF8N80CYDTU

FQPF8N80CYDTU onsemi MOSFET N-Ч 800В 8А TO220F-3

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение: 800В
    • Номинальный ток: 8А
    • Контейнер: TO220F-3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Малый ток стока при отключенном MOSFET
    • Высокая надежность
    • Удобство использования в различных электронных устройствах
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию систем охлаждения
    • Способность к перегреву при неправильной работе
  • Общее назначение:
    • Изменение состояния цепей с высоким напряжением и низким током
    • Управление электрическими нагрузками
    • Регулирование напряжения и тока
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления двигателем
    • Питание для электронных устройств
    • Электропитание для бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики FQPF8N80CYDTU

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    800 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    8A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.55Ohm @ 4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    45 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2050 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    59W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220F-3 (Y-Forming)
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
  • Base Product Number
    FQPF8
  • 99 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    643 ₽
  • 50
    321 ₽
  • 800
    223 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    FQPF8N80CYDTU
  • Описание:
    MOSFET N-CH 800V 8A TO220F-3Все характеристики

Минимальная цена FQPF8N80CYDTU при покупке от 1 шт 643.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQPF8N80CYDTU с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FQPF8N80CYDTU

FQPF8N80CYDTU onsemi MOSFET N-Ч 800В 8А TO220F-3

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение: 800В
    • Номинальный ток: 8А
    • Контейнер: TO220F-3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Малый ток стока при отключенном MOSFET
    • Высокая надежность
    • Удобство использования в различных электронных устройствах
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию систем охлаждения
    • Способность к перегреву при неправильной работе
  • Общее назначение:
    • Изменение состояния цепей с высоким напряжением и низким током
    • Управление электрическими нагрузками
    • Регулирование напряжения и тока
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления двигателем
    • Питание для электронных устройств
    • Электропитание для бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики FQPF8N80CYDTU

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    800 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    8A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.55Ohm @ 4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    45 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2050 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    59W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220F-3 (Y-Forming)
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
  • Base Product Number
    FQPF8
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDS3512MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
    575Кешбэк 86 баллов
    FQA8N100CMOSFET N-CH 1000V 8A TO3PN
    579Кешбэк 86 баллов
    FDMS86310MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN
    583Кешбэк 87 баллов
    FDB390N15AMOSFET N-CH 150V 27A D2PAK
    583Кешбэк 87 баллов
    FDMS6681Z
    584Кешбэк 87 баллов
    FDMC510PТранзистор: MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
    585Кешбэк 87 баллов
    FQB27P06TMMOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
    595Кешбэк 89 баллов
    FDPF15N65MOSFET N-CH 650V 15A TO220F
    597Кешбэк 89 баллов
    FDP070AN06A0Транзистор: MOSFET N-CH 60V 15A/80A TO220-3
    599Кешбэк 89 баллов
    FDB3682MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO263
    602Кешбэк 90 баллов
    FDPF190N15AMOSFET N-CH 150V 27.4A TO220F
    609Кешбэк 91 балл
    NTMFS5C404NLT1GMOSFET N-CH 40V 52A/370A 5DFN
    615Кешбэк 92 балла
    FDP2572Транзистор: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO220-3
    617Кешбэк 92 балла
    NTB60N06T4GMOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
    619Кешбэк 92 балла
    FDMC86260ET150
    619Кешбэк 92 балла
    FDMS86252MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN
    621Кешбэк 93 балла
    FDMC86340ET80
    621Кешбэк 93 балла
    FDMS3572MOSFET N-CH 80V 8.8A/22A 8MLP
    623Кешбэк 93 балла
    NTMFS5C410NLT1GMOSFET N-CH 40V 46A/302A 5DFN
    625Кешбэк 93 балла
    FDMS86300DCMOSFET N-CH 80V 24A/76A DLCOOL56
    631Кешбэк 94 балла
    2SK4088LSMOSFET N-CH 650V 7.5A TO220FI
    631Кешбэк 94 балла
    FDPF18N50MOSFET N-CH 500V 18A TO220F
    641Кешбэк 96 баллов
    FCP850N80ZMOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
    641Кешбэк 96 баллов
    NTMFS5C612NLT3GMOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN
    643Кешбэк 96 баллов
    FQPF8N80CYDTUMOSFET N-CH 800V 8A TO220F-3
    643Кешбэк 96 баллов
    FDPF33N25TMOSFET N-CH 250V 33A TO220F
    645Кешбэк 96 баллов
    FDMS86300MOSFET N-CH 80V 19A/80A 8PQFN
    645Кешбэк 96 баллов
    FDB120N10MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK
    647Кешбэк 97 баллов
    NTB6410ANT4GMOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
    651Кешбэк 97 баллов
    2SK3709MOSFET N-CH 100V 37A TO220ML
    653Кешбэк 97 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы специального назначения
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторные модули
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Модули драйверов питания
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды - ВЧ
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП