Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
FS03MR12A6MA1BBPSA1
  • В избранное
  • В сравнение
FS03MR12A6MA1BBPSA1

FS03MR12A6MA1BBPSA1

FS03MR12A6MA1BBPSA1
;
FS03MR12A6MA1BBPSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    FS03MR12A6MA1BBPSA1
  • Описание:
    Транзистор: HYBRID PACK DRIVE SIC AG-HYBRIDDВсе характеристики

Минимальная цена FS03MR12A6MA1BBPSA1 при покупке от 1 шт 380486.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FS03MR12A6MA1BBPSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FS03MR12A6MA1BBPSA1

FS03MR12A6MA1BBPSA1 Infineon Technologies Транзистор: HYBRID PACK DRIVE SIC AG-HYBRIDD

  • Основные параметры:
    • Количество каналов: 3
    • Максимальный ток: 12 А
    • Максимальное напряжение: 650 В
    • Тип технологии: SiC (silicon carbide)
    • Форм-фактор: Hybrid Pack
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы
    • Низкий уровень шума и тепловыделения
    • Устойчивость к перенапряжению и перегреву
    • Малый размер и вес
    • Долгий срок службы благодаря надежной технологии
  • Минусы:
    • Высокая стоимость
    • Требуется специальное оборудование для монтажа
    • Сложнее в обслуживании по сравнению с традиционными транзисторами
  • Общее назначение:
    • Используется в системах управления двигателем
    • Применяется в промышленных электропитаниях
    • Работает в высокочастотных режимах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы привода
    • Энергосберегающие системы
    • Промышленные электродвигатели
    • Системы управления переменными частотами
Выбрано: Показать

Характеристики FS03MR12A6MA1BBPSA1

  • Package
    Tray
  • Тип полевого транзистора
    6 N-Channel (3-Phase Bridge)
  • Особенности полевого транзистора
    Silicon Carbide (SiC)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200V (1.2kV)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    400A (Tj)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.7mOhm @ 400A, 15V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5.55V @ 240mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1320nC @ 15V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    42500pF @ 600V
  • Рассеивание мощности
    20mW
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    AG-HYBRIDD-2

Техническая документация

 FS03MR12A6MA1BBPSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 20 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    380 486 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    FS03MR12A6MA1BBPSA1
  • Описание:
    Транзистор: HYBRID PACK DRIVE SIC AG-HYBRIDDВсе характеристики

Минимальная цена FS03MR12A6MA1BBPSA1 при покупке от 1 шт 380486.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FS03MR12A6MA1BBPSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание FS03MR12A6MA1BBPSA1

FS03MR12A6MA1BBPSA1 Infineon Technologies Транзистор: HYBRID PACK DRIVE SIC AG-HYBRIDD

  • Основные параметры:
    • Количество каналов: 3
    • Максимальный ток: 12 А
    • Максимальное напряжение: 650 В
    • Тип технологии: SiC (silicon carbide)
    • Форм-фактор: Hybrid Pack
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы
    • Низкий уровень шума и тепловыделения
    • Устойчивость к перенапряжению и перегреву
    • Малый размер и вес
    • Долгий срок службы благодаря надежной технологии
  • Минусы:
    • Высокая стоимость
    • Требуется специальное оборудование для монтажа
    • Сложнее в обслуживании по сравнению с традиционными транзисторами
  • Общее назначение:
    • Используется в системах управления двигателем
    • Применяется в промышленных электропитаниях
    • Работает в высокочастотных режимах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы привода
    • Энергосберегающие системы
    • Промышленные электродвигатели
    • Системы управления переменными частотами
Выбрано: Показать

Характеристики FS03MR12A6MA1BBPSA1

  • Package
    Tray
  • Тип полевого транзистора
    6 N-Channel (3-Phase Bridge)
  • Особенности полевого транзистора
    Silicon Carbide (SiC)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200V (1.2kV)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    400A (Tj)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.7mOhm @ 400A, 15V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5.55V @ 240mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1320nC @ 15V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    42500pF @ 600V
  • Рассеивание мощности
    20mW
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    AG-HYBRIDD-2

Техническая документация

 FS03MR12A6MA1BBPSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DF23MR12W1M1PB11BPSA1Транзистор: MOSFET MODULE 1200V
    16 764Кешбэк 2 514 баллов
    FF23MR12W1M1B11BOMA1Транзистор: MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE
    18 166Кешбэк 2 724 балла
    FF08MR12W1MA1B11ABPSA1Транзистор: EASY PACK
    25 158Кешбэк 3 773 балла
    FS45MR12W1M1B11BOMA1Транзистор: MOSFET MODULE 1200V 50A
    26 171Кешбэк 3 925 баллов
    FF11MR12W1M1PB11BPSA1Транзистор: MOSFET MODULE 1200V DUAL
    30 965Кешбэк 4 644 балла
    F411MR12W2M1B76BOMA1Транзистор: LOW POWER EASY AG-EASY2B-2
    60 301Кешбэк 9 045 баллов
    FF6MR12KM1BOSA1Транзистор: MEDIUM POWER 62MM
    85 100Кешбэк 12 765 баллов
    FS05MR12A6MA1BBPSA1Транзистор: HYBRID PACK DRIVE SIC AG-HYBRIDD
    186 533Кешбэк 27 979 баллов
    FS03MR12A6MA1BBPSA1Транзистор: HYBRID PACK DRIVE SIC AG-HYBRIDD
    380 486Кешбэк 57 072 балла
    MTD3N25E1-MOTRANS MOSFET N-CH 250V 3A 3PIN(2
    129Кешбэк 19 баллов
    MCH6630-TL-E-ONТранзистор: N-CHANNEL MOSFET
    19Кешбэк 2 балла
    6LN04CH-TL-E-ONТранзистор: N-CHANNEL SILICON MOSFET
    19Кешбэк 2 балла
    MCH6635-TL-E-ONP-CHANNEL SILICON MOSFET
    23Кешбэк 3 балла
    MCH6631-TL-EТранзистор: N CHANNEL AND P CHANNEL SILICON
    23Кешбэк 3 балла
    CPH3422-TL-EN-CHANNEL MOSFET
    32Кешбэк 4 балла
    EFC4630R-TRТранзистор: INTEGRATED CIRCUIT
    53Кешбэк 7 баллов
    CPH3407-TL-E-ONN-CHANNEL SILICON MOSFET
    53Кешбэк 7 баллов
    NTJD1155LT2GТранзистор: MOSFET N/P-CH SC-88-6
    82Кешбэк 12 баллов
    NTND31225CZTAGТранзистор: MOSFET DUAL 20V XLLGA6
    95Кешбэк 14 баллов
    EFC2J013NUZTDGТранзистор: MOSFET N-CH 12V 17A WLCSP6 DUAL
    95Кешбэк 14 баллов
    2SK4098LS-YOC11N-CHANNEL MOSFET
    110Кешбэк 16 баллов
    2SJ645-TL-EP-CHANNEL SILICON MOSFET
    122Кешбэк 18 баллов
    MTD3N25E1Транзистор: TRANS MOSFET N-CH 250V 3A 3PIN(2
    129Кешбэк 19 баллов
    2SK2530-TL-E-ON250V, N-CHANNEL AP LINEUP
    139Кешбэк 20 баллов
    FW257-TL-E-ONТранзистор: N-CHANNEL MOSFET
    158Кешбэк 23 балла
    NVMFD5C680NLWFT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 26A S08FL
    165Кешбэк 24 балла
    NTMC083NP10M5LТранзистор: NTMC083NP10M5L
    167Кешбэк 25 баллов
    MPIC2112PМикросхема: HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER,
    182Кешбэк 27 баллов
    EFC2K101NUZTDGТранзистор: NCH 12V 15A WLCSP DUAL
    182Кешбэк 27 баллов
    MTB6N60ET4Транзистор: 6A, 600V, 1.2OHM, N-CHANNEL
    184Кешбэк 27 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные диоды
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторные модули
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов
    Модули драйверов питания
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - массивы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП