Вход/Регистрация
FF300R12KS4HOSA1Транзистор: IGBT MOD 1200V 370A 1950W
FZ800R45KL3B5NOSA2
FZ800R45KL3B5NOSA2
- Производитель:Infineon Technologies
- Артикул:FZ800R45KL3B5NOSA2
- Описание:Транзистор: IGBT MOD 4500V 1600A 9000WВсе характеристики
Минимальная цена FZ800R45KL3B5NOSA2 при покупке от 1 шт 311608.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FZ800R45KL3B5NOSA2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 47 шт3-6 недель
- КоличествоЦена
- 1311 608 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:Infineon Technologies
- Артикул:FZ800R45KL3B5NOSA2
- Описание:Транзистор: IGBT MOD 4500V 1600A 9000WВсе характеристики
Минимальная цена FZ800R45KL3B5NOSA2 при покупке от 1 шт 311608.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FZ800R45KL3B5NOSA2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание FZ800R45KL3B5NOSA2
FZ800R45KL3B5NOSA2 — это транзистор Infineon Technologies типа IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с характеристиками:
- Номинальное напряжение блокировки (UD(ON)): 4500 В
- Номинальный ток (INom): 1600 А
- Мощность (Ptot): 9000 ВА
Основные плюсы:
- Высокая надежность и долговечность.
- Эффективность работы.
- Малый тепловой отсев.
- Простота в управлении.
Основные минусы:
- Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов.
- Требуются дополнительные компоненты для защиты.
Общее назначение:
- Регулирование мощности в промышленных приборах.
- Инверторы частоты для электродвигателей.
- Системы преобразования энергии.
- Автомобильная индустрия для управления двигателем и зарядкой аккумуляторов.
Выбрано: Показать
Характеристики FZ800R45KL3B5NOSA2
Техническая документация
FZ800R45KL3B5NOSA2.pdf pdf. 0 kb