G3R30MT12K

G3R30MT12K GeneSiC Semiconductor SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4 — это полупроводниковый транзистор на основе карбидного кремния (SiC), который используется в различных электронных устройствах из-за своих уникальных свойств.

• Основные параметры:
• Размер тока (I_DS): 90 А
• Максимальное напряжение (V_GS(th)): 12 В
• Коллекторно-эмиттерное напряжение (V_CEO): 30 В
• Тип корпуса: TO247-4

• Плюсы:
• Высокая скорость переключения (низкий тайминг транзистора).
• Низкое сопротивление при прохождении тока.
• Устойчивость к высоким температурам.
• Малое энергетическое потребление.

• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET.
• Требуется специальное оборудование для производства.
• Требуются особые меры охлаждения.

• Общее назначение:
• Использование в высоковольтных и высокопроизводительных системах.
• Аккумуляторные системы и быстрые зарядные устройства.
• Электромобили и гибридные автомобили.
• Системы управления двигателем.

• Применяется в:
• Двигателях внутреннего сгорания.
• Солнечных батареях.
• Бытовой технике с высокими требованиями к энергоэффективности.
• Инверторах для преобразования напряжения.