Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
G3R30MT12K
G3R30MT12K

G3R30MT12K

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    GeneSiC Semiconductor
  • Артикул:
    G3R30MT12K
  • Описание:
    SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4Все характеристики

Минимальная цена G3R30MT12K при покупке от 1 шт 4112.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить G3R30MT12K с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики G3R30MT12K

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    90A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    15V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    36mOhm @ 50A, 15V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.69V @ 12mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    155 nC @ 15 V
  • Vgs (Max)
    ±15V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3901 pF @ 800 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    400W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-4
  • Корпус
    TO-247-4
  • Base Product Number
    G3R30
Техническая документация
 G3R30MT12K.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 600 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    4 112 ₽
  • 10
    3 653 ₽
  • 30
    3 451 ₽
  • 120
    3 325 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    GeneSiC Semiconductor
  • Артикул:
    G3R30MT12K
  • Описание:
    SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4Все характеристики

Минимальная цена G3R30MT12K при покупке от 1 шт 4112.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить G3R30MT12K с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики G3R30MT12K

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    90A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    15V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    36mOhm @ 50A, 15V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.69V @ 12mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    155 nC @ 15 V
  • Vgs (Max)
    ±15V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3901 pF @ 800 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    400W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-4
  • Корпус
    TO-247-4
  • Base Product Number
    G3R30
Техническая документация
 G3R30MT12K.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BSC320N20NS3GATMA1MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
    438Кешбэк 65 баллов
    RSH065N06GZETBMOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP
    241Кешбэк 36 баллов
    DMG7430LFGQ-7MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333
    190Кешбэк 28 баллов
    SIHFR9024TR-GE3MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
    232Кешбэк 34 балла
    TK49N65W,S1FPB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO2
    2 635Кешбэк 395 баллов
    DMP45H150DHE-13MOSFET P-CH 450V 250MA SOT223
    113Кешбэк 16 баллов
    PSMN4R2-80YSEXPSMN4R2-80YSE/SOT1023/4 LEADS
    1 093Кешбэк 163 балла
    2SK3019-TPMOSFET N-CH 30V 100MA SOT523
    49Кешбэк 7 баллов
    SIHP15N80AEF-GE3EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
    604Кешбэк 90 баллов
    SQJQ112ER-T1_GE3AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
    874Кешбэк 131 балл
    BSO613SPVGXUMA1MOSFET N/P-CH 8-SOIC
    285Кешбэк 42 балла
    2SJ557-T1B-ASMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
    148Кешбэк 22 балла
    SCT3017ALGC11650V, 118A, THD, TRENCH-STRUCTUR
    15 176Кешбэк 2 276 баллов
    AUIRF7749L2TRMOSFET N-CH 60V 36A DIRECTFET
    1 372Кешбэк 205 баллов
    RD3H160SPTL1MOSFET P-CH 45V 16A TO252
    369Кешбэк 55 баллов
    SI2310B-TPMOSFET N-CH 60V 3A SOT23
    60Кешбэк 9 баллов
    2SK2329L-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    318Кешбэк 47 баллов
    SQR40N10-25_GE3MOSFET N-CH 100V 40A TO252 REV
    586Кешбэк 87 баллов
    DIT120N08MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
    473Кешбэк 70 баллов
    2N7002KA-TPMOSFET N-CH 60V 340MA SOT23
    36.5Кешбэк 5 баллов
    AOY66923MOSFET N-CH 100V 16.5/58A TO251B
    332Кешбэк 49 баллов
    IRF150P221AKMA1MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3
    1 212Кешбэк 181 балл
    NTMFS10N7D2CMOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN
    766Кешбэк 114 баллов
    IXFH220N20X3MOSFET N-CH 200V 220A TO247
    2 915Кешбэк 437 баллов
    RF1S9540P-CHANNEL POWER MOSFETS
    480Кешбэк 72 балла
    DMP6023LFGQ-7MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
    175Кешбэк 26 баллов
    ISP12DP06NMXTSA1MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT223-4
    208Кешбэк 31 балл
    IRFZ44PBF-BE3MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
    392Кешбэк 58 баллов
    IPP60R210CFD7XKSA1MOSFET N CH
    439Кешбэк 65 баллов
    SI3456DDV-T1-BE3N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
    80Кешбэк 12 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды силовые
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Модули драйверов питания
    IGBT транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП