Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - мостовые выпрямители
GBI25W
  • В избранное
  • В сравнение
GBI25W

GBI25W

GBI25W
;
GBI25W

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    DIOTEC SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    GBI25W
  • Описание:
    1PH BRIDGE 30X20X3.6 1600V 25AВсе характеристики

Минимальная цена GBI25W при покупке от 1 шт 407.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBI25W с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBI25W

GBI25W DIOTEC SEMICONDUCTOR 1PH BRIDGE 30X20X3.6 1600V 25A — это тип электронного компонента, используемого в различных приборах и системах для управления электрическими цепями. Давайте рассмотрим его основные параметры, преимущества и недостатки:

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (V): 1600 В
    • Номинальный ток (A): 25 А
    • Форма корпуса: 30x20x3.6 мм
    • Тип: 1фазная мостовая диодная плата
  • Преимущества:
    • Высокое напряжение сопротивления (1600 В)
    • Высокий ток пропуска (25 А)
    • Компактные размеры (30x20x3.6 мм)
    • Стабильная работа при различных условиях
  • Недостатки:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными моделями
    • Требует осторожного обращения для предотвращения повреждений
  • Общее назначение:
    • Управление токами в электрических цепях
    • Защита от обратного тока
    • Эффективное управление нагрузками в различных приборах
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Маршрутизаторы и коммутационное оборудование
    • Системы управления приводами
    • Инверторы
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики GBI25W

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    1.6 kV
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    4.2 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 12.5 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 1600 V
  • Рабочая температура
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBI
  • Исполнение корпуса
    GBI

Техническая документация

 GBI25W.pdf
pdf. 0 kb
  • 579 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    407 ₽
  • 10
    257 ₽
  • 100
    176 ₽
  • 500
    144 ₽
  • 1000
    138 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    DIOTEC SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    GBI25W
  • Описание:
    1PH BRIDGE 30X20X3.6 1600V 25AВсе характеристики

Минимальная цена GBI25W при покупке от 1 шт 407.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBI25W с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBI25W

GBI25W DIOTEC SEMICONDUCTOR 1PH BRIDGE 30X20X3.6 1600V 25A — это тип электронного компонента, используемого в различных приборах и системах для управления электрическими цепями. Давайте рассмотрим его основные параметры, преимущества и недостатки:

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (V): 1600 В
    • Номинальный ток (A): 25 А
    • Форма корпуса: 30x20x3.6 мм
    • Тип: 1фазная мостовая диодная плата
  • Преимущества:
    • Высокое напряжение сопротивления (1600 В)
    • Высокий ток пропуска (25 А)
    • Компактные размеры (30x20x3.6 мм)
    • Стабильная работа при различных условиях
  • Недостатки:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными моделями
    • Требует осторожного обращения для предотвращения повреждений
  • Общее назначение:
    • Управление токами в электрических цепях
    • Защита от обратного тока
    • Эффективное управление нагрузками в различных приборах
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Маршрутизаторы и коммутационное оборудование
    • Системы управления приводами
    • Инверторы
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики GBI25W

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    1.6 kV
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    4.2 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 12.5 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 1600 V
  • Рабочая температура
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, GBI
  • Исполнение корпуса
    GBI

Техническая документация

 GBI25W.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    GBU12K1PH BRIDGE GBU 800V 12A
    381Кешбэк 57 баллов
    B380C3700A1PH BRIDGE 30X20X3.6 800V 3.7A
    383Кешбэк 57 баллов
    GBI25W1PH BRIDGE 30X20X3.6 1600V 25A
    407Кешбэк 61 балл
    GBI35J1PH BRIDGE 30X20X3.6 600V 35A
    413Кешбэк 61 балл
    B80C3700A1PH BRIDGE 30X20X3.6 160V 3.7A
    416Кешбэк 62 балла
    B500C7000A1PH BRIDGE 30X20X3.6 1000V 7A
    421Кешбэк 63 балла
    KBPC3502WP1PH BRIDGE KBPC 200V 35A
    423Кешбэк 63 балла
    KBPC3506WPДиод: 1PH BRIDGE KBPC 600V 35A
    423Кешбэк 63 балла
    B40C3700A1PH BRIDGE 30X20X3.6 80V 3.7A
    425Кешбэк 63 балла
    B80C5000A1PH BRIDGE 30X20X3.6 160V 5A
    427Кешбэк 64 балла
    B40C7000A1PH BRIDGE 30X20X3.6 80V 7A
    441Кешбэк 66 баллов
    B250C3700A1PH BRIDGE 30X20X3.6 600V 3.7A
    441Кешбэк 66 баллов
    GBI35M1PH BRIDGE 30X20X3.6 1000V 35A
    443Кешбэк 66 баллов
    GBI40K1PH BRIDGE 30X20X3.6 800V 40A
    451Кешбэк 67 баллов
    GBU12M1PH BRIDGE GBU 1000V 12A
    455Кешбэк 68 баллов
    DBI20-08B3PH BRIDGE 35X25X4 800V 20A
    465Кешбэк 69 баллов
    B250C5000A1PH BRIDGE 30X20X3.6 600V 5A
    467Кешбэк 70 баллов
    B125C7000A1PH BRIDGE 30X20X3.6 250V 7A
    467Кешбэк 70 баллов
    KBPC3506FPДиод: 1PH BRIDGE KBPC 600V 35A
    473Кешбэк 70 баллов
    B125C5000A1PH BRIDGE 30X20X3.6 250V 5A
    475Кешбэк 71 балл
    KBPC3508WP1PH BRIDGE KBPC 800V 35A
    479Кешбэк 71 балл
    GBU12B1PH BRIDGE GBU 100V 12A
    491Кешбэк 73 балла
    GBU12J1PH BRIDGE GBU 600V 12A
    491Кешбэк 73 балла
    GBU12G1PH BRIDGE GBU 400V 12A
    491Кешбэк 73 балла
    B380C5000A1PH BRIDGE 30X20X3.6 800V 5A
    499Кешбэк 74 балла
    KBPC10/15/2510WP1PH BRIDGE KBPC 1000V 25A
    501Кешбэк 75 баллов
    GBU12DДиод: 1PH BRIDGE GBU 200V 12A
    511Кешбэк 76 баллов
    KBPC10/15/2510FP1PH BRIDGE KBPC 1000V 25A
    537Кешбэк 80 баллов
    GBU12A1PH BRIDGE GBU 50V 12A
    543Кешбэк 81 балл
    B500C5000A1PH BRIDGE 30X20X3.6 1000V 5A
    545Кешбэк 81 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Модули драйверов питания
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули триодных тиристоров
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторные модули
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды выпрямительные - Модули
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды силовые
    IGBT транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Симисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП